预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/9
2/9
3/9
4/9
5/9
6/9
7/9
8/9
9/9

在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101876086A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN101876086A(43)申请公布日2010.11.03(21)申请号201010234894.2(22)申请日2010.07.23(71)申请人哈尔滨工业大学地址150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号(72)发明人徐超冷雪松许磊孙婷徐玉恒孙亮杨春晖(74)专利代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所23109代理人韩末洙(51)Int.Cl.C30B29/30(2006.01)C30B15/00(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的制备方法(57)摘要Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的制备方法,它涉及一种铁铌酸锂晶体的制备方法。本发明解决了铁铌酸锂晶体抗光致散射能力弱而造成的信噪比较低的问题。本方法如下:称取MgO、ZrO2、Fe2O3、Nb2O5和Li2CO3,然后混合,得到混合物;将混合物烘干后放入铂坩埚,然后在750℃煅烧3小时,再在1150℃烧结4小时,得到掺杂铌酸锂的多晶原料;将装有掺杂铌酸锂的多晶原料的铂坩埚放入中频炉内,然后在提拉速度为0.3~1.8mm/h、轴向温度梯度为40~50℃/cm、旋转速度为15~25r/min的条件下提拉,即得Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体。本发明Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的抗光致散射能力可达4.8×104W/cm2。CN10876ACN101876086A权利要求书1/1页1.Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的制备方法,其特征在于Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的制备方法如下:一、按照MgO掺杂量为1%(摩尔)、ZrO2掺杂量为1%(摩尔)、Fe2O3掺杂量为0.03%(质量)及Li元素与Nb元素摩尔比为0.946~1.400﹕1的比例称取MgO、ZrO2、Fe2O3、Nb2O5和Li2CO3,然后混合,得到MgO、ZrO2、Fe2O3、Nb2O5和Li2CO3的混合物;二、将步骤一的混合物烘干后放入铂坩埚,然后在750℃煅烧3小时,再在1150℃烧结4小时,得到掺杂铌酸锂的多晶原料;三、将装有掺杂铌酸锂的多晶原料的铂坩埚放入中频炉内,然后在提拉速度为0.3~1.8mm/h、轴向温度梯度为40~50℃/cm、旋转速度为15~25r/min的条件下提拉,即得Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体。2.根据权利要求1所述Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的制备方法,其特征在于步骤一中所述MgO的纯度为99.99%。3.根据权利要求1所述Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的制备方法,其特征在于步骤一中所述ZrO2的纯度为99.99%。4.根据权利要求1所述Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的制备方法,其特征在于步骤一中所述Fe2O3的纯度为99.99%。5.根据权利要求1所述Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的制备方法,其特征在于步骤一中所述Nb2O5的纯度为99.99%。6.根据权利要求1所述Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的制备方法,其特征在于步骤一中所述Li2CO3的纯度为99.99%。7.根据权利要求1、2、3、4、5或6所述Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的制备方法,其特征在于步骤一中Li元素与Nb元素摩尔比为1﹕1。8.根据权利要求7所述Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的制备方法,其特征在于步骤三中所述提拉速度为0.5~1.5mm/h。9.根据权利要求7所述Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的制备方法,其特征在于步骤三中所述提拉速度为1mm/h。10.根据权利要求1、2、3、4、5、6、8或9所述Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的制备方法,其特征在于步骤三中所述旋转速度为20r/min。2CN101876086A说明书1/5页Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种铁铌酸锂晶体的制备方法。背景技术[0002]随着信息时代的到来,多媒体技术的迅速发展,人们需要使用和存储的信息数量空前增长。然而,传统的磁性存储和光盘存储技术由于受到存储原理的限制,已经接近了存储容量的极限,越来越不能满足人们对大容量存储的需求。全息光存储技术由于具有存储容量大、可通过并行方式进行内容寻址、寻址速度快、存储寿命长、可抗磁性干扰等优点而被认为是最具潜力的新一代存储技术。全息光存储的性能又在很大程度上依赖于存储介质材料。[0003]在众多光存储介质中,铁铌酸锂(Fe:LiNbO3)晶体由于具有衍射效率高、存储动态范围大等优点被认为是体全息光存储的理想材料之一。但铁铌酸锂晶体也存在由于抗光致2散射能力弱(Fe:LiNbO3晶体的抗光致散射能力仅为3.7×10W/cm)而造成的信噪比较低的问题,这在一定程度上限制了铁铌酸锂晶体在全息光存储中的实际应用。发明内容[0004]本发明的目的是为了解决铁铌酸锂晶体