Zr、Ru、Fe三掺杂的铌酸锂晶体的制备方法.pdf
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Zr、Ru、Fe三掺杂的铌酸锂晶体的制备方法.pdf
Zr、Ru、Fe三掺杂的铌酸锂晶体的制备方法,它涉及一种三掺杂的铌酸锂晶体的制备方法。本发明解决了双掺Fe、Ru的铌酸锂晶体响应速度慢的问题。本方法如下:称取ZrO2、RuO2、Fe2O3、Nb2O5和Li2CO3,然后混合,得到混合物;将混合物烘干后放入铂坩埚,然后在750℃煅烧3小时,再在1150℃烧结4小时,再将铂坩埚放入中频炉内,然后在提拉速度为0.5~1.8mm/h、轴向温度梯度为40~50℃/cm、旋转速度为15~25r/min的条件下提拉,即得Zr、Ru、Fe三掺杂的铌酸锂晶体。本发明制备的
Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的制备方法.pdf
Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的制备方法,它涉及一种铁铌酸锂晶体的制备方法。本发明解决了铁铌酸锂晶体抗光致散射能力弱而造成的信噪比较低的问题。本方法如下:称取MgO、ZrO2、Fe2O3、Nb2O5和Li2CO3,然后混合,得到混合物;将混合物烘干后放入铂坩埚,然后在750℃煅烧3小时,再在1150℃烧结4小时,得到掺杂铌酸锂的多晶原料;将装有掺杂铌酸锂的多晶原料的铂坩埚放入中频炉内,然后在提拉速度为0.3~1.8mm/h、轴向温度梯度为40~50℃/cm、旋转速度为15~25r/min的条件下提拉,即得Zr
镁镱铒三掺杂铌酸锂激光晶体及其制备方法.pdf
一种镁镱铒三掺杂铌酸锂激光晶体及其制备方法,属于单晶生长领域。该激光晶体采用提拉法生长,在晶体生长配方中初始原料为MgO,Yb2O3,Er2O3,Li2CO3和Nb2O5粉末,首先进行配料,混料和压料,接着进行块料烧结,然后放入提拉炉中进行生长,生长过程中遵循化料、下种、引晶、缩颈、放肩、等径生长、拉脱和退火步骤。最后对生长出来的晶体进行极化处理。本发明生长的镁镱铒三掺杂铌酸锂激光晶体具有较长的荧光寿命,较大的吸收和发射截面。该晶体有望在全固态中红外波段激光器中应用。
掺杂铌酸锂晶体体全息存储的研究.docx
掺杂铌酸锂晶体体全息存储的研究掺杂铌酸锂晶体体全息存储的研究摘要:铌酸锂晶体是一种常用的光学材料,其具有高折射率、高光学质量因数、较高的光学非线性系数等特点。因此,铌酸锂晶体在光学信息存储领域中有着广泛的应用。本文着重探讨了掺杂铌酸锂晶体体全息存储的研究,分析了其特点和优势,并结合实例进行了说明。通过研究发现,掺杂铌酸锂晶体体全息存储具有高信息存储密度、长时间存储和高还原性等特点,在光学存储器件应用中具有较大的发展前景。关键词:铌酸锂晶体;掺杂;体全息存储;信息存储;优势一、铌酸锂晶体体全息存储的研究现状
锆铁铜铌酸锂晶体及其制备方法.pdf
锆铁铜铌酸锂晶体及其制备方法,涉及掺杂的铌酸锂晶体及其制备方法。本发明解决了现有的Cu、Fe双掺铌酸锂晶体的响应时间长的技术问题。本发明的锆铁铜铌酸锂晶体由Nb2O5、Li2CO3、ZrO2、Fe2O3和CuO制成;方法:将Fe2O3、CuO、ZrO2、Nb2O5和Li2CO3混合后,煅烧得到多晶,然后将多晶在单晶生长炉内采用提拉法经引晶、缩颈、放肩、收肩及等径生长,拉脱后退火生成晶体,然后经极化得到锆铁铜铌酸锂晶体。本发明的锆铁铜铌酸锂晶体的写入时间为5s~35s,固定衍射效率在5.9%~38%。可用于