用于单晶炉的保温筒以及具有其的单晶炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101886290A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CNCN101886290101886290A(43)申请公布日2010.11.17(21)申请号201010230175.3(22)申请日2010.07.13(71)申请人王敬地址100084北京市海淀区清华大学南零楼3单元202室(72)发明人王敬(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201代理人黄德海(51)Int.Cl.C30B15/14(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称用于单晶炉的保温筒以及具有其的单晶炉(57)摘要本发明公开了一种保温筒，用于单晶炉，其特征在于，在所述保温筒的内层的内侧形成有热反射层，其中，所述热反射层的材料选择成、对入射到所述热反射层上的热量的反射量大于将所述热量入射到所述保温筒的内层上时的反射量。通过本发明的保温筒可以将辐射到保温筒的热量再有效地反射回到炉体内部，从而在一定程度上解决热量浪费的问题，降低热功耗。本发明进一步公开了具有所述保温筒的单晶炉。CN108629ACN101886290ACCNN110188629001886291A权利要求书1/2页1.一种保温筒，用于单晶炉，其特征在于，在所述保温筒的内层的内侧形成有热反射层，其中，所述热反射层的材料选择成、对入射到所述热反射层上的热量的反射量大于将所述热量入射到所述保温筒的内层上时的反射量。2.如权利要求1所述的保温筒，其特征在于，其中，所述热反射层由选自包括含硅化合物、耐2000℃金属、硼化物、碳化物、氮化物的组中的任一种或多种材料形成，其中，所述含硅化合物包括碳化硅、氮化硅、硼化硅，所述耐2000℃金属包括钨、钼、钽、铌及其合金，所述硼化物包括碳化硼、氮化硼、硼化锆、硼化镧、硼化钛、硼化钽、硼化铬、硼化钨、硼化钼、硼化钒、硼化铌，所述碳化物包括碳化铬、碳化钽、碳化钒、碳化锆、碳化钨、碳化钼、碳化钛、碳化铌，所述氮化物包括氮化钛、氮化钨、氮化钼、氮化铬、氮化铌、氮化锆、氮化钽、氮化钒。3.如权利要求1所述的保温筒，其特征在于，所述热反射层的内表面的表面粗糙度小于25μm。4.如权利要求1所述的保温筒，其特征在于，所述热反射层由通过气相沉积方法而形成的膜构成。5.如权利要求1所述的保温筒，其特征在于，所述热反射层由垫衬构成。6.如权利要求5所述的保温筒，其特征在于，所述垫衬为多个，所述垫衬通过紧固件连接至所述保温筒。7.一种单晶炉，包括：上炉体；下炉体，所述下炉体与所述上炉体相配合且纵向可移动；设置在所述下炉体内的支撑装置，所述支撑装置上设置有坩埚；设置在所述坩埚外周的至少一个加热器，所述加热器用于在所述下炉体和所述上炉体闭合时对所述坩埚进行加热；和保温筒，所述保温筒设置在所述加热器外周且其顶端高度高于所述坩埚的顶端高度，其中，在所述保温筒的内层的内侧形成有热反射层，所述热反射层的材料选择成、对入射到所述热反射层上的热量的反射量大于将所述热量入射到所述内层上时的反射量。8.如权利要求7所述的单晶炉，其特征在于，其中，所述热反射层由选自包括含硅化合物、耐2000℃金属、硼化物、碳化物、氮化物的组中的任一种或多种材料形成，其中，所述含硅化合物包括碳化硅、氮化硅、硼化硅，所述耐2000℃金属包括钨、钼、钽、铌及其合金，所述硼化物包括碳化硼、氮化硼、硼化锆、硼化镧、硼化钛、硼化钽、硼化铬、硼化钨、硼化钼、硼化钒、硼化铌，所述碳化物包括碳化铬、碳化钽、碳化钒、碳化锆、碳化钨、碳化钼、碳化钛、碳化铌，所述氮化物包括氮化钛、氮化钨、氮化钼、氮化铬、氮化铌、氮化锆、氮化钽、氮化钒。9.如权利要求7所述的单晶炉，其特征在于，所述热反射层的内表面的表面粗糙度小于25μm。10.如权利要求7所述的单晶炉，其特征在于，所述热反射层由通过气相沉积方法而形2CCNN110188629001886291A权利要求书2/2页成的膜构成。11.如权利要求7所述的单晶炉，其特征在于，所述热反射层由垫衬构成。12.如权利要求11所述的单晶炉，其特征在于，所述垫衬为多个，所述垫衬通过紧固件连接至所述保温筒。3CCNN110188629001886291A说明书1/5页用于单晶炉的保温筒以及具有其的单晶炉技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种用于生长单晶材料的单晶炉中的保温筒和采用该保温筒的单晶炉。背景技术[0002]在太阳能电池、电子器件和电路用单晶硅片的生产过程中，采用单晶炉，使得多晶硅原料在石英坩埚中熔化，并用直拉法从硅熔体中拉制硅单晶。[0003]现有单晶炉包括：上炉体；下炉体，所述下炉体与所述上炉体相配合且纵向可移动；设置在所述下炉体内的支撑装置，所述支撑装置上设置有坩埚，坩埚内装多晶硅