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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101951751A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN101951751A(43)申请公布日2011.01.19(21)申请号201010240207.8(22)申请日2010.07.29(71)申请人山东天诺光电材料有限公司地址250300山东省济南市长清区济南经济开发区时代路南首789号(72)发明人余凤斌朱焰焰(74)专利代理机构济南日新专利代理事务所37224代理人谢省法(51)Int.Cl.H05K7/20(2006.01)C01B31/04(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图1页(54)发明名称一种高导热石墨散热片的制备方法(57)摘要本发明提供一种高导热石墨散热片的制备方法,a.采用石墨粉为原料,将石墨粉放入由硫酸和双氧水混合而成的酸处理液中,在温度为20-100℃条件下,浸泡处理20-120分钟;或将石墨粉用高温提纯法处理;或放入由氟化物和强酸混合而成的混合液中,浸泡处理20-150分钟;b.然后将经处理的石墨粉水洗至pH=5-6.5;c.将经水洗的石墨粉放入石墨膨胀炉中,在8001000℃条件下高温膨胀3-20小时,然后缓慢冷却至室温;d.按照石墨粉∶复配粒子=2-8∶1的质量份配比,通过石墨卷材生产设备制成厚度为0.05-5mm的石墨散热片。CN10957ACCNN110195175101951757A权利要求书1/1页1.一种高导热石墨散热片的制备方法,其特征在于:a.采用粒径为70-800μm、碳元素含量为95-99.99%的石墨粉为原料,将石墨粉放入由强酸∶双氧水=1∶3-20重量份配比混合而成的酸处理液中,在温度为20-100℃条件下,浸泡处理20-120分钟;或将石墨粉用高温提纯法处理;或放入由氟化物∶浓度为5-35%的强酸=1.5-10∶1重量份配比混合而成的混合液中,浸泡处理20-150分钟;b.然后将经处理的石墨粉水洗至pH=5-6.5;c.将经水洗的石墨粉放入石墨膨胀炉中,在800-1000℃条件下高温膨胀3-20小时,然后缓慢冷却至室温;d.取粒径为0.5μm-200μm的炭黑、氮化硼或铜粉为石墨粉的复配粒子,按照石墨粉∶复配粒子=2-8∶1的质量份配比,通过石墨卷材生产设备制成石墨散热片。2.根据权利要求1所述的一种高导热石墨散热片的制备方法,其特征在于所述的强酸是盐酸、硫酸或硝酸。3.根据权利要求1所述的一种高导热石墨散热片的制备方法,其特征在于所述的高温提纯法的温度是2800-3300℃。4.根据权利要求1所述的一种高导热石墨散热片的制备方法,其特征在于所述的氟化物是氟化钠或氟化铵。5.根据权利要求1所述的一种高导热石墨散热片的制备方法,其特征在于在所述的石墨散热片表面进行连续化学镀、电镀或真空镀金属层。6.根据权利要求6所述的一种高导热石墨散热片的制备方法,其特征在于所述的金属层为铜层、镍层、铝层或其金属化合物层。7.根据权利要求1所述的一种高导热石墨散热片的制备方法,其特征在于所述的石墨散热片密度为0.5-1.5g/cm3。8.根据权利要求1或7所述的一种高导热石墨散热片的制备方法,其特征在于所述的石墨散热片厚度为0.05-5mm。2CCNN110195175101951757A说明书1/6页一种高导热石墨散热片的制备方法技术领域:[0001]本发明涉及一种高导热石墨散热片,更具体地说涉及一种用于电子产品导热散热的新型导热材料。背景技术:[0002]随着微电子集成技术和高密度印制板组装技术的迅速发展,组装密度迅速提高,电子元件、逻辑电路体积成千上万倍地缩小,电子仪器及设备日益朝轻、薄、短、小方向发展。在高频工作频率下,半导体工作热环境向高温方向迅速移动,此时,电子元器件产生的热量迅速积累、增加,在使用环境温度下,要使电子元器件仍能高可靠性地正常工作,及时散热能力成为影响其使用寿命的关键限制因素。为保障元器件运行可靠性,需使用高可靠性、高导热性能等综合性能优异的材料,迅速、及时地将发热元件积聚的热量传递给散热设备,保障电子设备正常运行。[0003]目前所用的散热材料基本都是铝合金,但铝的导热系数并不是很高(237W/mK),金和银的导热性能较好,但是价格太高,铜的导热系数次之(398W/mK),但铜重量大,易氧化。而石墨材料具有耐高温、重量轻(仅为传统金属导热材料的1/2-1/5)、热导率高、化学稳定性强、热膨胀系数小,取代传统的金属导热材料,不仅有利于电子器件的小型化微型化和高功率化,而且可以有效减轻器件的重量,增加有效载荷。但石墨硬度和机械强度远不如金属,这给后续加工带来了困难。[0004]传统的石墨化学处理中,普遍采用的是强氧化剂酸(浓硫酸和浓硝酸的混合液),处理温度为常温到100℃,处理时间5分钟以上,以便使石