离子镀膜装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101956161A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN101956161A(43)申请公布日2011.01.26(21)申请号201010265137.1(22)申请日2010.08.27(71)申请人苏州五方光电科技有限公司地址215200江苏省吴江市松陵镇八坼友谊工业区(72)发明人金春伟奂微微(74)专利代理机构南京纵横知识产权代理有限公司32224代理人董建林(51)Int.Cl.C23C14/22(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称离子镀膜装置(57)摘要本发明公开了一种离子镀膜装置，涉及一种通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆的装置，尤其涉及离子镀膜装置，包括镀膜炉及设置在镀膜炉内的膜料，其特征是，所述镀膜炉内设有发射等离子体的离子源，离子源发射等离子体加热所述膜料，使之成为膜料蒸汽，均匀镀在玻璃片上，有效增强膜层强度，镀膜的致密性更好，降低了镜片生产过程中刮伤、点渍等不良发生率，有效提高制程良率；离子源设置在镀膜炉的中后部，有助于离子源离子发射角度的均匀性，实现均匀镀膜；混合气体中加入氩气，可增大离子密度，延长离子源灯丝的使用寿命。CN10956ACN101956161A权利要求书1/1页1.一种离子镀膜装置，包括镀膜炉及设置在镀膜炉内的膜料，其特征是，所述镀膜炉内设有发射等离子体的离子源，离子源发射等离子体加热所述膜料，使之成为膜料蒸汽，均匀镀在玻璃片上。2.根据权利要求1所述离子镀膜装置，其特征是，所述离子源设置在所述镀膜炉内相对膜料的中后部位置。3.根据权利要求1所述离子镀膜装置，其特征是，所述镀膜炉内充入的是混合气体。4.根据权利要求1至3中任意一项所述离子镀膜装置，其特征是，所述混合气体为氧气和氩气，氧气与氩气的体积比例为1∶2。5.根据权利要求1所述离子镀膜装置，其特征是，所述离子源与离子源电源连接。6.根据权利要求5所述离子镀膜装置，其特征是，所述离子源电源阳极电压为200-380V。7.根据权利要求5所述离子镀膜装置，其特征是，所述离子源电源阳极电流为8-20A。8.根据权利要求1所述离子镀膜装置，其特征是，所述镀膜炉顶端设有镀膜伞。9.根据权利要求8所述离子镀膜装置，其特征是，所述玻璃片设在所述镀膜伞内。2CN101956161A说明书1/2页离子镀膜装置技术领域[0001]本发明涉及一种通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆的装置，尤其涉及离子镀膜装置。背景技术[0002]光学薄膜，就是在镜片上镶上一层或多层非常薄的特殊材料，使镜片能达到某种特定的光学效果。光学薄膜的制造是以真空蒸镀方式制作，最普通的方式为热电阻式，是将蒸镀材料在真空蒸镀机内置于电阻丝或片上，在高真空的情况下，加热使材料成为蒸气，直接镀于镜片上。由于有许多高熔点的材料，不易使用此种方式使之熔化、蒸镀。而以电子枪式改进此缺点，其方法是以高压电子束直接打击材料，由于能量集中可以蒸镀高熔点的材料。另一方式为溅射方式，是通过高压使惰性气体离子化，打击材料使之直接溅射至镜片，以此方式所作薄膜的附着力非常好。[0003]离子镀膜是在真空蒸发镀和溅射镀膜的基础上发展起来的一种镀膜新技术，将各种气体放电方式引入到气相沉积领域，整个气相沉积过程都是在等离子体中进行的。离子镀大大提高了膜层粒子能量，可以获得更优异性能的膜层，扩大了“薄膜”的应用领域。但是，现有技术中离子源主要起清洗或镀单层光学薄膜的作用，且镀膜均匀性相对较差，离子源使用寿命相对较短。发明内容[0004]本发明所要解决的技术问题是提供一种可镀多层薄膜的离子镀膜装置，降低了镜片生产过程不良发生率，有效提高制程良率，改善了镀膜的致密性、均匀性，延长离子源的使用寿命。[0005]为解决上述技术问题，本发明提供一种离子镀膜装置，包括镀膜炉及设置在镀膜炉内的膜料，其特征是，所述镀膜炉内设有发射等离子体的离子源，离子源发射等离子体加热所述膜料，使之成为膜料蒸汽，均匀镀在玻璃片上。[0006]所述镀膜炉内充入的是混合气体。[0007]所述混合气体为氧气和氩气，氧气与氩气的体积比例为1∶2。[0008]所述离子源与离子源电源连接。[0009]所述离子源电源阳极电压为200-380V。[0010]所述离子源电源阳极电流为8-20A。[0011]所述镀膜炉顶端设有镀膜伞。[0012]所述玻璃片设在所述镀膜伞内。[0013]本发明所达到的有益效果：本装置有效增强膜层强度，镀膜的致密性更好，降低了镜片生产过程中刮伤、点渍等不良发生率，有效提高制程良率；离子源设置在镀膜炉的中后部，有助于离子源离子发射角度的均匀性，实现均匀镀膜；混合气体中加入氩气，可增大离子密度，延长离子源灯丝的使用寿命。3CN101