化学气相沉积炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101956183A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN101956183A(43)申请公布日2011.01.26(21)申请号201010504602.2(22)申请日2010.10.12(71)申请人上海宏力半导体制造有限公司地址201203上海市张江高科技园区郭守敬路818号(72)发明人张博(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人郑玮(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)C23C16/52(2006.01)C23C16/40(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称化学气相沉积炉(57)摘要本发明涉及一种化学气相沉积炉，包括用于进行化学气象沉积的反应腔以及与所述反应腔连通的气体输出管道，所述化学气相沉积炉还包括气压自动控制装置，所述气压自动控制装置的一部分设置于所述气体输出管道中，所述气压自动控制装置不受外界大气压影响自动调节所述反应腔和所述气体输出管道中的气压来实现反应腔和所述气体输出管道内气压稳定。本发明的化学气相沉积炉能够提高化学气相沉积炉内不同位置的晶圆表面薄膜的厚度和薄膜均匀性，以及各批次之间的晶圆表面薄膜的厚度的均匀性。CN1095683ACN101956183A权利要求书1/1页1.一种化学气相沉积炉，包括用于进行化学气象沉积的反应腔以及与所述反应腔连通的气体输出管道，其特征在于，所述化学气相沉积炉还包括气压自动控制装置，所述气压自动控制装置的一部分设置于所述气体输出管道中，所述气压自动控制装置自动调节所述反应腔和所述气体输出管道中的气压，以保持所述反应腔和所述气体输出管道内气压的稳定。2.如权利要求1所述的化学气相沉积炉，其特征在于，所述反应腔包括排气口，所述排气口设置在所述反应腔的邻近底部的侧壁上，所述气体输出管道通过所述排气口与所述反应腔连通。3.如权利要求1所述的化学气相沉积炉，其特征在于，所述反应腔还包括进气口和设置于所述反应腔的内侧壁的进气管道，所述进气管道的一端与所述进气口连通，另一端设置于所述反应腔的邻近顶部的一侧。4.如权利要求1或2或3所述的化学气相沉积炉，其特征在于，所述化学气相沉积炉为常压化学气相沉积炉。5.如权利要求1或2或3所述的化学气相沉积炉，其特征在于，所述化学气相沉积炉为氧化炉。2CN101956183A说明书1/3页化学气相沉积炉技术领域[0001]本发明涉及一种化学气相沉积炉。背景技术[0002]在半导体的制程中，经常需要在晶圆上沉积薄膜，而沉积的薄膜有多种可采取的方式，其中较为常见的一种方式就是化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)法。化学气相沉积是将反应气体输送至高温沉积炉(furnace)内，并使其与置于沉积炉的晶圆在一定条件下发生化学反应，以在晶圆表面沉积一层薄膜。根据化学气象沉积过程中对真空度的不同要求，化学气相沉积的方法又可分为低压化学气相沉积(LoWPressureChemicalVaporDeposition，LPCVD)法和常压化学气相沉积(AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition，APCVD)法。[0003]请参阅图1，图1是一种现有技术的常压化学气相沉积炉的结构示意图。图1所示的化学气相沉积炉主要包括反应腔11。所述反应腔11包括进气口13、进气管道15以及排气口17。所述进气管道15的一端与所述进气口13连通，另一端设置于所述反应腔11的邻近顶部的一侧。所述排气口17与所述反应腔11的气体输出管道(gasexhaustpipe)连通。半导体制程所需的反应气体依次经所述进气口13和进气管道15输送至沉积炉的反应腔11的顶部。所述反应气体从所述反应腔11的顶部移动到所述反应腔11的底部，并经所述排气口17排出。在所述反应气体从顶部到底部的移动过程中，反应气体在晶圆上沉积而形成薄膜。所述薄膜的厚度和薄膜均匀性与所述反应气体的气流速率、气压有关。[0004]然而，与所述排气口17连通的气体输出管道中的气压通常会受到外界大气压(atmospherepressure)的影响和工厂总排气管道中的气压变化的影响。例如，当外界由冬天变为夏天或者由夏天变为冬天时，外界气压改变，所述气体输出管道中的气压也随着改变。由于所述反应腔11与所述气体输出管道连通，所述反应腔11内的气压也随着外界气压的改变而改变，从而造成反应腔11内不同位置的各晶圆表面的薄膜(withinbatchuniformity)不均匀，利用所述化学气相沉积炉制造的各批次的晶圆表面的薄膜厚度(thicknessbatchtobatch)也不同。发明内容[0005]本发明的目的在于提供一种能够提高晶圆