一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102011174A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102011174A(43)申请公布日2011.04.13(21)申请号201010565417.4(22)申请日2010.11.30(71)申请人江苏华盛天龙光电设备股份有限公司地址213200江苏省常州市金坛市华城路318号(72)发明人李留臣(74)专利代理机构西安弘理专利事务所61214代理人罗笛(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套(57)摘要本发明公开了一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套，包括同轴设置的法兰一、内套筒和外套筒，法兰一的盘体上开有充气孔和环形凹槽一，内套筒固定在法兰一盘体的内部侧壁上，环形凹槽一与内套筒形成缓冲腔，且充气孔与缓冲腔相通，外套筒固定在法兰一的盘体下端面上且位于内套筒的外侧，且在外套筒和内套筒之间形成充气缝隙，充气缝隙与缓冲腔相通。本发明结构简单，设计合理，能提高系统的稳定性，并能有效地提高硅单晶的生长速度，提高生产效率，广泛适用于半导体硅单晶生长设备和其它单晶生长设备中。CN10274ACCNN102011174102011177AA权利要求书1/1页1.一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套，其特征在于，包括同轴设置的法兰一（1）、内套筒（4）和外套筒（9），所述法兰一（1）的盘体上开有一径向方向的充气孔（2），所述内套筒（4）固定在所述法兰一（1）盘体的内部侧壁上，在所述法兰一（1）的盘体内侧开有环形凹槽一，所述环形凹槽一与内套筒（4）形成环形且密闭的缓冲腔（3），所述充气孔（2）与所述缓冲腔（3）相通；所述外套筒（9）固定在法兰一（1）的盘体下端面上且位于内套筒（4）的外侧，所述外套筒（9）和内套筒（4）之间形成环形的充气缝隙（10），所述充气缝隙（10）与所述缓冲腔（3）相通。2.按照权利要求1所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套，其特征在于，所述外套筒（9）的上端固定有法兰二（7），所述法兰二（7）与所述法兰一（1）通过螺栓固定连接，在所述法兰二（7）上且位于所述外套筒（9）的内侧呈环形分布均匀开有多个初次分流孔（6），在法兰一（1）的盘体上且位于缓冲腔（3）和法兰二（7）之间开有环形槽，并通过所述环形槽和初次分流孔（6）使缓冲腔（3）和充气缝隙（10）相通。3.按照权利要求2所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套，其特征在于，所述充气缝隙（10）内，在外套筒（9）和内套筒（4）之间焊接有环形的隔板（8），所述隔板（8）上均匀开通有多个二次分流孔（5）。4.按照权利要求3所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套，其特征在于，所述内套筒（4）下端伸出在所述外套筒（9）的下方，并在所述内套筒（4）的下端部固定有导流罩（11），所述导流罩（11）为上小下大的锥形形状。5.按照权利要求1、2、3或4所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套，其特征在于，所述缓冲腔（3）的高度大于所述充气孔（2）的高度。6.按照权利要求1、2、3或4所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套，其特征在于，所述内套筒（4）与所述法兰一（1）焊接连接。7.按照权利要求2、3或4所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套，其特征在于，所述法兰一（1）的下端面上开有用于安装法兰二（7）的环形凹槽二，所述法兰二（7）设置在所述环形凹槽二内。8.按照权利要求2、3或4所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套，其特征在于，所述外套筒（9）与所述法兰二（7）焊接连接。2CCNN102011174102011177AA说明书1/2页一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套技术领域[0001]本发明属于硅单晶制备设备技术领域，具体涉及一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套。背景技术[0002]硅单晶生长炉是将多晶硅转变为单晶硅的专用设备，硅单晶的生长是在真空工作室内将多晶原材料放入坩埚中，通过加热器将原材料熔化，然后，通过籽晶引导、向上提拉方法生长出理想的硅单晶。在连续向上提拉的硅单晶生长工艺过程中，为了保证硅单晶的稳定快速生长和挥发物的及时排除，整个生长工艺过程中，将工艺气体（常用高纯氩气）从单晶炉顶部充入，通过真空泵从单晶炉底部排出。发明内容[0003]本发明的目的是提供一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套，其气冷效果好，能保证工艺气体合理均匀地充入理想位置，进而有效提高硅单晶的生长速度。[0004]本发明所采用的技术方案是，一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套，包括同轴设置的法兰一、内套筒和外套筒，法兰一的盘体上开有一径向方向的充气孔，内套筒固定在法兰一盘体的内部侧壁上，在法兰一的盘体内侧开有环形凹槽一，环形凹槽一与内套筒形成环形且密闭的缓冲腔，充气孔与缓冲腔相通；外套筒固定在法兰一的盘体下