一种直拉硅单晶用炉盖及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113355735A(43)申请公布日2021.09.07(21)申请号202010150307.5(22)申请日2020.03.06(71)申请人内蒙古中环光伏材料有限公司地址010070内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号(72)发明人李晓东韩凯景吉祥赵志远钟旭卢佳锋康学兵田鑫阳贾国华(74)专利代理机构天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)12213代理人栾志超(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)F27D1/18(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称一种直拉硅单晶用炉盖及其制作方法(57)摘要本发明提供一种直拉硅单晶用炉盖，包括盖体，在所述盖体靠近晶体一侧设有用于防止所述盖体直接长时间暴露在高温环境下形成游离的金属离子的叠层内衬，所述叠层内衬设置在所述盖体内壁并沿所述盖体径向圆周设置。本发明还提供一种直拉硅单晶用炉盖的制作方法。本发明提出的炉盖，是在盖体内侧涂覆一叠层内衬，即能保护炉盖内壁结构，又能防止炉盖内壁形成一层金属离子，提高炉盖的使用寿命，提高直拉单晶晶体品质。CN113355735ACN113355735A权利要求书1/1页1.一种直拉硅单晶用炉盖，包括盖体，其特征在于，在所述盖体靠近晶体一侧设有用于防止所述盖体直接长时间暴露在高温环境下形成游离的金属离子的叠层内衬，所述叠层内衬设置在所述盖体内壁并沿所述盖体径向圆周设置。2.根据权利要求1所述的炉盖，其特征在于，所述叠层内衬至少包括所述盖体位于水冷套上端口正上方一侧的区域。3.根据权利要求2所述的炉盖，其特征在于，所述叠层内衬还包括置于导流筒斜上方且沿水冷套外壁方向与所述盖体交叉的区域。4.根据权利要求3所述的炉盖，其特征在于，所述叠层内衬包括所述盖体内壁所有区域。5.根据权利要求1-4任一项所述的炉盖，其特征在于，所述叠层内衬包括内涂层和外涂层，所述内涂层靠近所述盖体设置，所述外涂层置于所述内涂层远离所述盖体一侧设置；所述内涂层和所述外涂层与所述盖体内壁相适配，均为环形结构。6.根据权利要求4所述的炉盖，其特征在于，所述内涂层厚度大于所述外涂层厚度；所述内涂层厚度为30-50mm；所述外涂层厚度为10-20mm。7.根据权利要求1-4、6任一项所述的炉盖，其特征在于，所述内涂层为二氧化硅涂层；所述外涂层为氢氧化钡涂层。8.一种用于如权利要求1-7任一项所述的炉盖叠层内衬的制作方法，其特征在于，包括：清理所述盖体内侧表皮的步骤；对清理后的所述盖体进行熔射，执行喷枪设备在所述盖体内侧喷涂形成所述叠层内衬的步骤。9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，清理所述盖体内侧表皮包括利用喷砂机对所述盖体内壁进行喷洒处理，去除所述盖体表面金属杂质；再将所述盖体清洗、烘干。10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，喷涂所述叠层内衬包括使用所述喷枪设备以二氧化硅粉为原料喷涂一层厚度为30-50mm的所述内涂层；再在所述内涂层的基础上使用所述喷枪设备以氢氧化钡溶液为原料喷涂一层厚度为10-20mm的所述外涂层，所述氢氧化钡溶液为饱和溶液。2CN113355735A说明书1/5页一种直拉硅单晶用炉盖及其制作方法技术领域[0001]本发明属于直拉硅单晶设备制造技术领域，尤其是涉及一种直拉硅单晶用炉盖及其制作方法。背景技术[0002]现有单晶炉设备的炉盖及炉桶、副室都是不锈钢材料，并且在设备运行过程中炉盖、炉桶、副室的内壁都是暴露在炉体内部的一个高温状态下。尤其是单晶炉炉盖，与炉体内的气氛接触的空间及结构更多，使得在炉盖内壁被高温气体连续喷射接触，就会导致金属离子的游走、扩散在炉盖内壁表面，长时间接触会把炉盖内壁氧化腐蚀一层膜，形成金属物，金属物被气流带动极易从晶体与导流筒之间的空隙处落入熔硅中，进而导致熔硅中含有的金属杂质增加，致使晶体品质受到影响，性能参数不佳，成本加大。[0003]因此如何解决防止炉盖内壁在高温环境下极易被氧化形成游走的金属离子的技术问题，同时提高单晶晶体质量、提高生产效率是高质量、低成本加工直拉单晶生产的关键。发明内容[0004]本发明提供一种直拉硅单晶用炉盖及其制作方法，解决了现有技术中炉盖内壁在高温环境下极易被氧化形成游走的金属离子的技术问题，本发明提出的炉盖，能保护炉盖内壁结构，防止炉盖内壁形成一层金属离子，提高炉盖的使用寿命，提高直拉单晶晶体品质。[0005]为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：[0006]一种直拉硅单晶用炉盖，包括盖体，在所述盖体靠近晶体一侧设有用于防止所述盖体直接长时间暴露在高温环境下形成游离的金属离子的叠层内衬，所述叠层内衬设置在所述盖体内壁