一种单晶炉加热系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102212870A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102212870A(43)申请公布日2011.10.12(21)申请号201110131161.0(22)申请日2011.05.20(71)申请人仪征市荣昌炭素材料有限公司地址211424江苏省扬州市仪征市大仪镇大巷街道仪征市荣昌炭素材料有限公司(72)发明人倪宝达(74)专利代理机构扬州市锦江专利事务所32106代理人江平(51)Int.Cl.C30B11/00(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称一种单晶炉加热系统(57)摘要一种单晶炉加热系统，涉及熔融单晶硅炉装置的领域，包括炉底、炉室和炉盖，炉室包括下炉室和主炉室，炉盖的上端设置炉口，炉室内设置保温桶、下保温层和上保温层，保温桶包括下保温桶、中保温桶和上保温桶，炉室与保温桶之间设置碳毡保温层；炉底上穿置坩埚托杆，坩埚托杆的上端设置三瓣埚底座，三瓣埚底座的上方设置三瓣埚，三瓣埚内设置石英坩埚，石英坩埚的上方设置外导流筒，外导流筒内设置内导流筒；保温桶与三瓣埚之间设置加热器，加热器的下端连接两个石墨电极，下保温桶上连接排气管。本发明加热器的外周有下保温桶、中保温桶和上保温桶，外导流筒和内导流筒的上端有上保温层和下保温层，使得保温效果好，温度均衡、结晶均匀。CN10287ACCNN110221287002212877A权利要求书1/1页1.一种单晶炉加热系统，其特征在于：包括炉底、炉室和炉盖，炉室包括下炉室和主炉室，下炉室连接在炉底的上方，主炉室连接在下炉室的上方，炉盖连接在主炉室的上方，炉盖的上端设置炉口，所述炉室内设置环形保温桶、下保温层和上保温层，所述炉室与保温桶之间设置碳毡保温层，保温桶包括下保温桶、中保温桶和上保温桶，中保温桶设置在下保温桶的上方，上保温桶设置在中保温桶的上方，下保温层设置在上保温桶的上方，上保温层设置下保温层的上方；所述炉底上穿置坩埚托杆，坩埚托杆的上端设置在保温桶内，坩埚托杆的上端设置三瓣埚底座，三瓣埚底座的上方设置三瓣埚，三瓣埚内设置石英坩埚，石英坩埚的上方设置外导流筒，外导流筒的上端搁置在下保温层的内周，外导流筒内设置内导流筒，内导流筒的上端搁置在外导流筒的上端；所述保温桶与三瓣埚之间设置加热器，加热器的下端连接两个石墨电极，两个石墨电极的下端分别设置在所述炉底的下方，所述下保温桶上连接排气管。2CCNN110221287002212877A说明书1/2页一种单晶炉加热系统技术领域[0001]本发明涉及熔融单晶硅炉装置的领域。背景技术[0002]单晶炉加热系统是将多晶硅熔化生长成单晶硅的设备，现有的单晶炉加热系统在结晶过程中，由于结构的不合理存在温度难以均衡，保温效果差等缺陷。发明内容[0003]本发明的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种结构合理、温度均衡、保温效果好的单晶炉加热系统。[0004]本发明的目的是这样实现的：一种单晶炉加热系统，包括炉底、炉室和炉盖，炉室包括下炉室和主炉室，下炉室连接在炉底的上方，主炉室连接在下炉室的上方，炉盖连接在主炉室的上方，炉盖的上端设置炉口，所述炉室内设置环形保温桶、下保温层和上保温层，所述炉室与保温桶之间设置碳毡保温层，保温桶包括下保温桶、中保温桶和上保温桶，中保温桶设置在下保温桶的上方，上保温桶设置在中保温桶的上方，下保温层设置在上保温桶的上方，上保温层设置下保温层的上方；所述炉底上穿置坩埚托杆，坩埚托杆的上端设置在保温桶内，坩埚托杆的上端设置三瓣埚底座，三瓣埚底座的上方设置三瓣埚，三瓣埚内设置石英坩埚，石英坩埚的上方设置外导流筒，外导流筒的上端搁置在下保温层的内周，外导流筒内设置内导流筒，内导流筒的上端搁置在外导流筒的上端；所述保温桶与三瓣埚之间设置加热器，加热器的下端连接两个石墨电极，两个石墨电极的下端分别设置在所述炉底的下方，所述下保温桶上连接排气管。[0005]本发明通过以上设计，将多晶硅放入石英坩埚内，通过加热器对石英坩埚内的多晶硅进行加热溶化，将籽晶经导流筒插入熔融多晶硅液中，使多晶硅液按籽晶的硅原子排列顺序结晶凝固成单晶硅棒。由于加热器的外周有下保温桶、中保温桶和上保温桶，外导流筒和内导流筒的上端有上保温层和下保温层，从而使得保温效果好，且温度均衡、结晶均匀、结构合理。附图说明[0006]图1为本发明的一种结构示意图。[0007]图中，1坩埚托杆，2石墨电极，3下炉室，4下保温桶，5主炉室，6三瓣埚，7加热器，8中保温桶，9上保温桶，10炉盖，11炉口，12上保温层，13下保温层，14内导流筒，15外导流筒，16石英坩埚，17三瓣埚底座，18石墨螺钉，19排气管，20炉底，21碳毡保温层。具体实施方式[0008]如图1所示，为单晶炉加热系统，包括炉底