多晶硅铸锭免喷涂熔融石英坩埚的制造方法.pdf
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多晶硅铸锭免喷涂熔融石英坩埚的制造方法.pdf
本发明公开了一种多晶硅铸锭免喷涂熔融石英坩埚的制造方法,其先将高纯熔融石英原料一起通过球磨研磨进行湿法造粒,将料浆充分搅拌后,再加入粉状高纯熔融石英原料混合均匀,然后注入石膏模具中进行充分的脱水成型,脱模;脱模后的坯体在180℃以下进行干燥,制得毛坯;对毛坯进行打磨、清洁预处理;在毛坯内表面喷涂0.2~0.7mm的氮化硅涂层;将喷有氮化硅涂层的毛坯在旋转窑炉中于1000~1300℃下旋转烧结14~24小时。本发明较现有技术缩短了生产周期,简化了生产工艺,大大降低了能耗,提高了生产效率、成品率及企业的经济效
多晶硅铸锭用免喷涂熔融石英坩埚的制造方法.pdf
本发明公开了一种多晶硅铸锭用免喷涂熔融石英坩埚的制造方法,其先将高纯熔融石英原料一起通过球磨研磨进行湿法造粒,将料浆充分搅拌后,再加入粉状高纯熔融石英原料混合均匀,然后注入石膏模具中进行充分的脱水成型,脱模;脱模后的坯体在180℃以下进行干燥,制得毛坯;对毛坯进行打磨、清洁预处理;在毛坯内表面喷涂0.2~0.7mm的氮化硅涂层;将喷有氮化硅涂层的毛坯用烧结罩笼罩后或将喷有氮化硅涂层的毛坯装入带有盖子的烧结罩内后,在梭式窑炉中于1000~1300℃下烧结14~24小时。本发明较现有技术缩短了生产周期,简化了
用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法.pdf
本发明公开了一种用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法,其先将高纯熔融石英原料一起通过球磨研磨进行湿法造粒,将料浆充分搅拌后,再加入粉状高纯熔融石英原料混合均匀,然后注入石膏模具中进行充分的脱水成型,脱模;脱模后的坯体在180℃以下进行干燥,制得毛坯;对毛坯进行打磨、清洁预处理;在毛坯内表面喷涂0.2~0.7mm的氮化硅涂层;将喷有氮化硅涂层的毛坯在梭式窑炉中于1000~1300℃下烧结14~24小时。本发明较现有技术缩短了生产周期,简化了生产工艺,大大降低了能耗,提高了生产效率、成品率及企业的经济
用于多晶硅铸锭的高效免喷涂熔融石英坩埚的制造方法.pdf
本发明公开了一种用于多晶硅铸锭的高效免喷涂熔融石英坩埚的制造方法,对免喷涂熔融石英坩埚的毛坯打磨、清洁预处理,然后在该毛坯内底面上依次喷涂40~60目和70~90目的高纯石英砂颗粒,再在毛坯的内表面喷涂0.2~0.7mm的氮化硅涂层,最后将该毛坯在梭式窑炉中于1090~1180℃下烧结14~24小时。本发明较现有技术缩短了生产周期,简化了生产工艺,大大降低了能耗,提高了生产效率、成品率、光电转换效率及企业的经济效益。
多晶硅铸锭用石英陶瓷坩埚的制造方法.pdf
本发明公开一种多晶硅铸锭用石英陶瓷坩埚的制造方法,包括以下步骤:a:将石英块料和石英粗颗粒料、第一部分氧化铝球石和高纯水在球磨设备中研磨成中粒径为6-12μm的半成品浆料;b:加入石英细颗粒料和第二部分氧化铝球石,和步骤a中的半成品浆料一起混合均匀,制作成中粒径为10-50μm的成品浆料;c:成品浆料进行除泡处理,常压下注入石膏模具中,静止放置1-2天以脱水,然后脱模形成半成品坩埚;d:半成品坩埚在90-190℃的温度下干燥;e:将干燥后的坯体放入窑炉,在900-1200℃的温度下烧结12-20小时,获得