多晶硅铸锭用石英陶瓷坩埚的制造方法.pdf
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多晶硅铸锭用石英陶瓷坩埚的制造方法.pdf
本发明公开一种多晶硅铸锭用石英陶瓷坩埚的制造方法,包括以下步骤:a:将石英块料和石英粗颗粒料、第一部分氧化铝球石和高纯水在球磨设备中研磨成中粒径为6-12μm的半成品浆料;b:加入石英细颗粒料和第二部分氧化铝球石,和步骤a中的半成品浆料一起混合均匀,制作成中粒径为10-50μm的成品浆料;c:成品浆料进行除泡处理,常压下注入石膏模具中,静止放置1-2天以脱水,然后脱模形成半成品坩埚;d:半成品坩埚在90-190℃的温度下干燥;e:将干燥后的坯体放入窑炉,在900-1200℃的温度下烧结12-20小时,获得
多晶硅铸锭用免喷涂熔融石英坩埚的制造方法.pdf
本发明公开了一种多晶硅铸锭用免喷涂熔融石英坩埚的制造方法,其先将高纯熔融石英原料一起通过球磨研磨进行湿法造粒,将料浆充分搅拌后,再加入粉状高纯熔融石英原料混合均匀,然后注入石膏模具中进行充分的脱水成型,脱模;脱模后的坯体在180℃以下进行干燥,制得毛坯;对毛坯进行打磨、清洁预处理;在毛坯内表面喷涂0.2~0.7mm的氮化硅涂层;将喷有氮化硅涂层的毛坯用烧结罩笼罩后或将喷有氮化硅涂层的毛坯装入带有盖子的烧结罩内后,在梭式窑炉中于1000~1300℃下烧结14~24小时。本发明较现有技术缩短了生产周期,简化了
用于多晶硅铸锭的石英坩埚、铸锭炉及多晶硅铸锭方法.pdf
本申请公开了一种用于多晶硅铸锭的石英坩埚,由坩埚埚底和环绕连接在所述坩埚埚底的上表面边缘的坩埚主体组成,所述坩埚埚底的上表面形状为八边形,且所述八边形的每个内角均为135°。本申请中的石英坩埚由上表面形状为八边形的坩埚埚底以及环绕连接在坩埚埚底边缘的坩埚主体组成,并且八边形的每个内角均为135°,即石英坩埚横截面形状为每个内角均为135°的八边形,液相硅与本申请的石英坩埚内壁的接触面积小于横截面形状为四边形的石英坩埚,从而减少进入硅锭的杂质数量,提高硅锭的纯度,进而提高硅锭切片后硅片的光电转换效率,也即提
多晶硅铸锭免喷涂熔融石英坩埚的制造方法.pdf
本发明公开了一种多晶硅铸锭免喷涂熔融石英坩埚的制造方法,其先将高纯熔融石英原料一起通过球磨研磨进行湿法造粒,将料浆充分搅拌后,再加入粉状高纯熔融石英原料混合均匀,然后注入石膏模具中进行充分的脱水成型,脱模;脱模后的坯体在180℃以下进行干燥,制得毛坯;对毛坯进行打磨、清洁预处理;在毛坯内表面喷涂0.2~0.7mm的氮化硅涂层;将喷有氮化硅涂层的毛坯在旋转窑炉中于1000~1300℃下旋转烧结14~24小时。本发明较现有技术缩短了生产周期,简化了生产工艺,大大降低了能耗,提高了生产效率、成品率及企业的经济效
用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法.pdf
本发明公开了一种用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法,其先将高纯熔融石英原料一起通过球磨研磨进行湿法造粒,将料浆充分搅拌后,再加入粉状高纯熔融石英原料混合均匀,然后注入石膏模具中进行充分的脱水成型,脱模;脱模后的坯体在180℃以下进行干燥,制得毛坯;对毛坯进行打磨、清洁预处理;在毛坯内表面喷涂0.2~0.7mm的氮化硅涂层;将喷有氮化硅涂层的毛坯在梭式窑炉中于1000~1300℃下烧结14~24小时。本发明较现有技术缩短了生产周期,简化了生产工艺,大大降低了能耗,提高了生产效率、成品率及企业的经济