铸造法生产类似单晶硅锭炉底温度控制方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102242393A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102242393A(43)申请公布日2011.11.16(21)申请号201110160800.6(22)申请日2011.06.15(71)申请人安阳市凤凰光伏科技有限公司地址456400河南省安阳市滑县产业聚集区大三路南侧申请人石坚(72)发明人石坚熊涛涛(74)专利代理机构安阳市智浩专利代理事务所41116代理人王好勤(51)Int.Cl.C30B11/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称铸造法生产类似单晶硅锭炉底温度控制方法(57)摘要本发明公开了一种铸造法生产类似单晶硅锭炉底温度控制方法，涉及锭炉底温度控制方法，在GT或四面加顶面加热器的铸锭炉生长类似单晶过程中，熔化阶段炉底温度控制的方法如下：a当TC1大于1170摄氏度后，控制TC1比TC2高50～350摄氏度；b当TC2在1050～1350摄氏度之间出现快速上升时，即温度上升速摄氏度大于或等于每分钟1摄氏度，此时在TC2到达目标温度1250～1390摄氏度前的2～50摄氏度范围内，开始打开隔热笼进行TC2稳定控制，使TC2升温速率小于0.3摄氏度/分钟，稳定在预定的温度上。本发明的有益效果在于：采用该方法，可解决类似单晶晶种熔化问题，可有效解决炉底温度控制不稳的问题，炉底温度可稳定控制，可实现正常批量生产。CN102439ACCNN110224239302242398A权利要求书1/1页1.铸造法生产类似单晶硅锭炉底温度控制方法，其特征在于：在GT或四面及顶面加热器的铸锭炉生长类似单晶过程中，熔化阶段炉底温度控制的方法如下：a当TC1大于1170摄氏度后，控制TC1比TC2高50～350摄氏度；b当TC2在1050～1350摄氏度之间出现快速上升时，即温度上升速摄氏度大于或等于每分钟1摄氏度，此时在TC2到达目标温度1250～1390摄氏度前的2～50摄氏度范围内，开始打开隔热笼进行TC2稳定控制，使TC2升温速率小于0.3摄氏度/分钟，稳定在预定的温度上。2.根据权利要求1所述的铸造法生产类似单晶硅锭炉底温度控制方法，其特征在于：其中，a当TC1大于1170摄氏度后，控制TC1比TC2高80～320摄氏度；b当TC2在1070～1330摄氏度之间出现快速上升时，即温度上升速摄氏度大于或等于每分钟1摄氏度，此时在TC2到达目标温度前的5～45摄氏度范围内，开始打开隔热笼进行TC2稳定控制，使TC2升温速率小于0.3摄氏度/分钟，稳定在预定的温度上。3.根据权利要求1所述的铸造法生产类似单晶硅锭炉底温度控制方法，其特征在于：其中，a当TC1大于1170摄氏度后，控制TC1比TC2高100～300摄氏度；b当TC2在1100～1300摄氏度之间出现快速上升时，即温度上升速摄氏度大于或等于每分钟1摄氏度，此时在TC2到达目标温度前的10～40摄氏度范围内，开始打开隔热笼进行TC2稳定控制，使TC2升温速率小于0.3摄氏度/分钟，稳定在预定的温度上。4.根据权利要求1或2或3所述的铸造法生产类似单晶硅锭炉底温度控制方法，其特征在于：其中，a控制TC1比TC2高的方法指：如果TC2超过预定温度，可打开隔热笼进行降温，如果TC2低于预定温度，可关闭隔热笼或稳定TC1，等待TC2升高到需要的参数。2CCNN110224239302242398A说明书1/3页铸造法生产类似单晶硅锭炉底温度控制方法技术领域[0001]本发明涉及晶体生长领域，进一步涉及硅锭炉底温度控制方法，具体是铸造法生产类似单晶硅锭炉底温度控制方法。背景技术[0002]生产硅锭的方法有：CZ法生产单晶硅锭，铸锭法生产多晶硅锭，FZ法生产单晶硅锭、EFG生产硅带等方法。由于成本问题，目前太阳能电池片主要使用CZ法单晶硅片和铸造法多晶硅片。CZ法单晶硅由于制造成本是铸锭多晶硅的4～5倍，能耗上高出5～7倍，导致CZ单晶硅的市场份额越来越少。但由于铸锭法生产多晶硅锭，存在大量的位错、晶界，使得铸锭法多晶硅片制成的电池片，存在效率偏低的情况，一直使铸锭法多晶硅锭无法完全取代CZ单晶硅锭。[0003]在国际上，跨国巨头BP公司的对用铸锭炉生产类似单晶（准单晶）硅锭的工艺已开发多年，2010年被ALD收购，使得ALD多晶铸锭炉已经小规模开发出铸锭法生产类似单晶硅锭的设备和工艺。[0004]目前，尚未见到在GT或四面及顶面加热器的铸锭炉生长类似单晶（准单晶）过程中，针对铸造法生产类似单晶（准单晶）硅锭炉底温度控制方法的内容的公开报道或专利申请。如果铸锭炉炉底温度控制方法工艺不过关，会导致准单晶生长失败，提高类似单晶的生产成本。如果铸锭炉炉底温度控制方法存在缺陷