去除固体硅中硼杂质的方法.pdf
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去除固体硅中硼杂质的方法.pdf
本发明公开了一种去除固体硅中硼杂质的方法,步骤一、将含有硼杂质的固体硅粉碎形成硅粉;步骤二、将硅粉放入一加热炉中并进行氧化,在硅粉颗粒的表面形成二氧化硅层,利用高温以及形成的硅和二氧化硅固体界面促使硅粉颗粒中靠近表面的硼向二氧化硅中转移、硅粉颗粒中间的硼向表面边缘扩散;步骤三、氧化的同时还对硅粉颗粒进行吹氧,促使二氧化硅中的硼氧化并逸出,并随氧气氛被排出加热炉腔;步骤四、降温取出硅粉,用氢氟酸去除硅粉颗粒表面形成的二氧化硅层。本发明能以很低的成本去除硅中的硼元素,从而降低硅中的硼浓度,且能够使硼浓度很容易
去除多晶硅中杂质硼的方法.pdf
本发明公开一种去除多晶硅中杂质硼的方法,其特征在于:所述的方法包括按照以下步骤进行:首先将需要去除杂质的多晶硅片进行电化学腐蚀处理,形成多孔硅片,然后将多孔硅片进行稳定化处理,经稳定化处理后的多孔硅片置于电子束熔炼炉的样品台上,设置真空腔室的真空度为2-5×10
去除三氯氢硅中硼杂质的方法.pdf
本发明属于三氯氢硅的提纯技术领域,特别涉及去除三氯氢硅中硼杂质的方法。本发明所要解决的技术问题是提供去除三氯氢硅中硼杂质的方法,该方法步骤简单、易操作,成本较低。所述去除三氯氢硅中硼杂质的方法具体为:在三氯氢硅中添加活性炭,混匀、静置,过滤后即得去除了硼杂质的三氯氢硅。本发明所需设备较少,不需要其它辅助配套设施。可以和精馏方法连用,即利用活性炭对需要精馏去除B杂质的氯硅烷进行吸附预处理,吸附90~120min后,再进入精馏塔进行精馏。可减少精馏塔数量,节约设备投资;降低能耗,减少精馏过程后,可以节约精馏所
一种去除冶金硅中硼杂质的方法.pdf
本发明涉及一种去除冶金硅中硼杂质的方法,这是一种造渣法与湿法提纯相结合的除硼工艺。先用HF和HCl的混合酸液进行酸洗,酸洗过程中保持搅拌,然后进行脱水和真空干燥,在中频感应炉中加热,当金属硅完全熔化后加入氧化剂反应,将硅中的硼杂质转化为氧化态,部分在熔炼过程中挥发,再加入造渣剂反应,通过一次造渣结合酸洗工艺即可将冶金硅中的硼杂质降至0.3ppmwt以下。
一种去除工业硅中杂质硼的方法.pdf
本发明公开了一种去除工业硅硼杂质的方法,属于光伏领域。首先,将工业硅粉碎成粒度为150~200目的粉末;按质量比1:1~3:1将精炼剂与工业硅混合均匀并装入高纯石墨坩埚中;将装完料后的石墨坩埚置于通有氩气保护的高频感应炉中进行逐步加热升温;待温度升高至1450~1800℃时,保温2~3h;精炼完成后缓慢冷却至室温,即获得精炼硅,采用氯化物去除工业硅中杂质硼的方法,突破了目前完全采用氧化物除硼的工艺和思路,精炼后工业硅中的硼含量最低可降至0.77ppmw,且本方法操作简单,实用性强。