铸造法生产类似单晶硅锭热场梯度改进装置.pdf
丹烟****魔王
亲,该文档总共11页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
铸造法生产类似单晶硅锭热场梯度改进装置.pdf
本发明公开了一种铸造法生产类似单晶硅锭热场梯度改进装置,涉及硅锭热场装置及材料,在GT铸锭炉或四面及顶部加热器的铸锭炉内,在坩埚护板或坩埚外,设置有4面的保温层。进一步:所述保温层设置于下述位置之一或之二或之三或之四:固定在坩埚护板上,或固定在坩埚与护板之间,或固定在隔热笼上,或固定在加热器上,或固定在导热块上。保温层的设置高度为1~650mm。保温层厚度为0.01~100mm。本发明的有益效果在于:在GT炉或四面及顶部加热器的铸锭炉中采用该装置,可显著改善化料及生长等温曲线;进而可使晶种固化在炉底,不熔
铸造法生产类似单晶硅锭热场梯度改进装置.pdf
本发明公开了一种铸造法生产类似单晶硅锭热场梯度改进装置,涉及硅锭热场装置及材料,在GT铸锭炉或四面及顶部加热器的铸锭炉内,在坩埚护板或坩埚外,设置有4面的保温层。所述保温层设置于下述位置或位置组合:所述保温层设置于下述位置或位置组合:固定在坩埚护板上,或固定在坩埚与护板之间,或固定在隔热笼上,或固定在加热器上,或固定在导热块上。保温层的设置高度为1~650mm。保温层厚度为0.01~100mm。本发明的有益效果在于:通过本方法的控制,可显著改善化料及生长等温曲线;进而可使晶种固化在炉底,不熔化或漂浮,同时
铸造法生产类似单晶硅锭炉内加热器改进装置.pdf
本发明公开了一种铸造法生产类似单晶硅锭炉内加热器改进装置,涉及锭炉内加热器加热装置,在GT铸锭炉或四面加顶部加热器的铸锭炉内,将加热器电阻调大,加热器同时向上移动;所述的加热器电阻调大指:加热器电阻由0.03Ω调到0.04~0.08Ω。所述的加热器同时向上移动指:加热器在现有的位置上向上移动5~150mm。本发明的有益效果在于:通过本方法的控制,使晶种固化在炉底,不熔化或漂浮,同时可以进一步降低晶种高度,通过本方法,可将晶种控制在20mm以下。晶种高度的下降,可有效地降低生产成本。
铸造法生产类似单晶硅锭化料加热方法.pdf
本发明公开了一种铸造法生产类似单晶硅锭化料加热方法,涉及硅锭化料加热方法,铸锭炉从室温开始升温至预定的最高温度过程中,采用以下控制措施:a在TC1≤1170摄氏度时,控制ΔT≤800摄氏度;b在TC1达到>1170摄氏度时,控制150摄氏度≤ΔT≤400摄氏度;c当TC1达到预定的最高温度,进入抓晶种阶段。本发明的有益效果在于:通过本方法的运用,在加温过程中,控制温度梯度在陶瓷的材料所能承受的范围内,使晶种固化在炉底,不熔化或漂浮,坩埚不会因为承受过大热应力而开裂。确保生产安全,并可提高生产效益。
铸造法生产类似单晶硅锭晶种制作方法.pdf
本发明公开了一种铸造法生产类似单晶硅锭晶种制作方法,涉及晶种制作方法,采用的单晶硅晶向为,电阻率≥0.1Ω?cm,极性不限;依次进行以下工序:a.该圆柱状单晶硅的直径选择在130~250mm之间;b.断棱处反切50~350mm;c.采用开方机将单晶硅加工成方棒;d.采用平磨机对方棒四边进行抛光;e.采用截断机将硅单晶切割成每块高度在5~50mm的晶块;f.采用化学抛光或机械抛光,对晶块进行抛光,去除表面损伤层;清洗干净,烘干包装,待用。本发明的有益效果在于:通过本方法的控制,可有效地减少晶种引起的缺陷,使