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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102321922A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102321922A(43)申请公布日2012.01.18(21)申请号201110303429.4(22)申请日2011.10.09(71)申请人广州市晶蓝灯饰有限公司地址511396广东省广州市增城市小楼镇腊布将军山(72)发明人刘世全徐家庆(51)Int.Cl.C30B35/00(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称一种电阻式高温真空炉水冷电极防护屏(57)摘要本发明公布了一种电阻式真空高温炉水冷电极热防护屏,其采用难熔金属材质按水冷电极受辐射面形状制成多层隔热防护屏,层与层之间以同样材质的隔环隔离,并将防护屏安装于水冷电极下方,从而隔离来自发热体的高温辐射;另外避免热能通过冷却水带走,提高高温炉热效率;其典型应用是单晶硅及蓝宝石晶体生长炉。CN10239ACCNN110232192202321930A权利要求书1/1页1.一种电阻式真空高温炉水冷电极防护屏,其特征在于在水冷电极下方安装若干层难熔金属片叠合构成的隔热防护屏,使炉内高温热辐射照射到该组屏片,而不能直接辐射到电极上。2.根据权利要求1所述的一种电阻式高温真空炉水冷电极防护屏,其特征在于:隔热防护屏的难熔金属片层数可以是一层或者多层。3.根据权利要求1所述的一种电阻式高温真空炉水冷电极防护屏,其特征在于:难熔金属片材质可以是钨或者钼。4.根据权利要求1所述的一种电阻式高温真空炉水冷电极防护屏,其特征在于:隔环的结构形状可以是短管、卷片、波纹板、丝环。2CCNN110232192202321930A说明书1/2页一种电阻式高温真空炉水冷电极防护屏所属技术领域[0001]本发明涉及熔体籽晶法单晶生长设备,尤其涉及一种电阻式高温真空炉水冷电极防护屏。背景技术[0002]随着太阳能的利用以及LED产业的发展带来了单晶硅及蓝宝石单晶生长炉的大量需求,目前的单晶炉大部份以真空环境、低压大电流大功率、高温为特延,其中构成晶体炉的关键部件——电极,但是电极均为内置水冷式,并且会直接受到发热元件的辐射,是高温热损的主要原因之一。如何隔离这种辐射,大大提高高温炉热效率,将是目前急需解决的主要问题。发明内容[0003]为了克服上述现有技术的不足,本发明提供一种电阻式高温真空炉水冷电极防护屏,采用难熔金属片做成防护屏组,安装在水冷电极迎向热辐射源的一面,使热辐射不能直接照射到水冷电极上,从而使电极处于较低温度,避免热能通过冷却水带走,提高高温炉热效率。[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:在水冷电极下方安装若干层难熔金属片叠合构成的隔热防护屏,使炉内高温热辐射照射到该组屏片,而不能直接辐射到电极上。[0005]作为本发明的进一步改进,所述隔热防护屏的难熔金属片层数可以是一层或者多层。[0006]作为本发明的进一步改进,所述难熔金属片材质可以是钨或者钼。[0007]作为本发明的进一步改进,所述隔环的结构形状可以是短管、卷片、波纹板、丝环。[0008]本发明产生的有益效果是,避免热能通过直接辐射方式照射在水冷电极上,从而使其表面处于较低的温度环境,皮面局部热熔,避免过多热能被冷却水带走,提高高温炉热效率,能大量用于蓝宝石单晶生长炉或单晶硅炉。附图说明[0009]下面结合附图和该实施例对本发明作进一步的说明。[0010]图1为本发明实施例的平面图。[0011]图2为本发明实施例的侧视图。[0012]附图标记说明:1.隔热屏片,2.侧屏,3.隔环。具体实施方式[0013]在图实施例中,一种电阻式高温真空炉水冷电极防护屏,防护屏主要有隔热屏片(1)、侧屏(2)、隔环(3)组成。将难熔金属片按水冷电极受辐射面的形状制成若干隔热屏片3CCNN110232192202321930A说明书2/2页(1),再将若干隔热屏片(1)叠合起来且在隔热屏片之间以同种材质的隔环(3)隔离,然后通过螺栓将多层隔热屏片(1)紧固为一体,再在紧固为一体的多层隔热屏片的外围通过螺栓固定两片同种金属材质且圆弧形状的侧屏(2),即组成防护屏,并将其安装于水冷电极下方形成热辐射防护屏,从而隔离来自发热体的辐射。4CCNN110232192202321930A说明书附图1/1页图1图25