一种用熔盐法制备闪烁硅酸铋粉体的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102351204A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102351204A(43)申请公布日2012.02.15(21)申请号201110187089.3(22)申请日2011.07.06(71)申请人陕西科技大学地址710021陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学(72)发明人王秀峰鲁俊雀江红涛许亚琴(74)专利代理机构西安智大知识产权代理事务所61215代理人刘国智(51)Int.Cl.C01B33/20(2006.01)C09K11/74(2006.01)权利要求书2页说明书3页附图1页(54)发明名称一种用熔盐法制备闪烁硅酸铋粉体的方法(57)摘要本发明涉及闪烁晶体材料的制备，公开了一种用熔盐法制备闪烁硅酸铋粉体的方法，首先，以无水乙醇为球磨介质，将Bi2O3和SiO2按摩尔比1∶1.5～1∶2球磨5小时，作为反应原料，然后将烘干的反应原料与KCl以质量比1∶4～4∶1在研钵中手磨30min；再将配合料放入氧化铝坩埚中，然后将坩埚放入马弗炉中，770℃～850℃条件下保温0.5～3小时，取出，冷却；最后将冷却的试样在超声波中用去离子水清洗后烘干，即得闪烁Bi4Si3O12粉体，本发明可以简单快速制备出闪烁Bi4Si3O12粉体，且产物纯度高，便于大规模生产。CN102354ACCNN110235120402351209A权利要求书1/2页1.一种用熔盐法制备闪烁硅酸铋粉体的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，以无水乙醇为球磨介质，将Bi2O3和SiO2按摩尔比1∶1.5～1∶2球磨5小时，作为反应原料；第二步，将烘干的反应原料与KCl以质量比1∶4～4∶1在研钵中手磨30min；第三步，将配合料放入氧化铝坩埚中，然后将坩埚放入马弗炉中，770℃～850℃条件下保温0.5～3小时，取出，冷却至室温；第四步，将冷却的试样在超声波中用去离子水清洗后烘干，即得闪烁Bi4Si3O12粉体。2.一种用熔盐法制备闪烁硅酸铋粉体的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，以无水乙醇为球磨介质，将Bi2O3和SiO2按摩尔比1∶1.5球磨5小时，作为反应原料；第二步，将烘干的反应原料与KCl以质量比3∶2在研钵中手磨30min；第三步，将配合料放入氧化铝坩埚中，然后将坩埚放入马弗炉中，770℃条件下保温1小时，取出，冷却至室温；第四步，将冷却的试样在超声波中用去离子水清洗后烘干，即得闪烁Bi4Si3O12粉体。3.一种用熔盐法制备闪烁硅酸铋粉体的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，以无水乙醇为球磨介质，将Bi2O3和SiO2按摩尔比1∶1.5球磨5小时，作为反应原料；第二步，将烘干的反应原料与KCl以质量比3∶2在研钵中手磨30min；第三步，将配合料放入氧化铝坩埚中，然后将坩埚放入马弗炉中，800℃条件下保温2小时，取出，冷却至室温；第四步，将冷却的试样在超声波中用去离子水清洗后烘干，即得闪烁Bi4Si3O12粉体。4.一种用熔盐法制备闪烁硅酸铋粉体的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，以无水乙醇为球磨介质，将Bi2O3和SiO2按摩尔比1∶1.5球磨5小时，作为反应原料；第二步，将烘干的反应原料与KCl以质量比2∶3在研钵中手磨30min；第三步，将配合料放入氧化铝坩埚中，然后将坩埚放入马弗炉中，820℃条件下保温1小时，取出，冷却至室温；第四步，将冷却的试样在超声波中用去离子水清洗后烘干，即得闪烁Bi4Si3O12粉体。5.一种用熔盐法制备闪烁硅酸铋粉体的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，以无水乙醇为球磨介质，将Bi2O3和SiO2按摩尔比1∶1.5球磨5小时，作为反应原料；第二步，将烘干的反应原料与KCl以质量比1∶4在研钵中手磨30min；第三步，将配合料放入氧化铝坩埚中，然后将坩埚放入马弗炉中，770℃条件下保温3小时，取出，冷却至室温；第四步，将冷却的试样在超声波中用去离子水清洗后烘干，即得闪烁Bi4Si3O12粉体。6.一种用熔盐法制备闪烁硅酸铋粉体的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，以无水乙醇为球磨介质，将Bi2O3和SiO2按摩尔比1∶2球磨5小时，作为反应原料；第二步，将烘干的反应原料与KCl以质量比4∶1在研钵中手磨30min；2CCNN110235120402351209A权利要求书2/2页第三步，将配合料放入氧化铝坩埚中，然后将坩埚放入马弗炉中，850℃条件下保温0.5小时，取出，冷却至室温；第四步，将冷却的试样在超声波中用去离子水清洗后烘干，即得闪烁Bi4Si3O12粉体。7.根据权利要求1至6任一权利要求所述的闪烁硅酸铋粉体的制备方法，其特征在于，所述第四步中进行一次以上的清洗。3CCNN110235120402351209A说明