一种用于生产直拉重掺磷单晶的防爆装置及防爆方法.pdf
醉香****mm
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一种用于生产直拉重掺磷单晶的防爆装置及防爆方法.pdf
本发明涉及一种用于生产直拉重掺磷单晶的防爆装置及防爆方法。本防爆装置包括空气净化器、气体流量阀、气体流量计、环形管道、数个的分支管道及连接管道,所述空气净化器、气体流量阀及气体流量计通过连接管道连接,连接管道的一端与环形管道相通连接,每个分支管道的一端与环形管道相通连接,另一端伸入到炉体内部。其防爆方法是在生产重掺磷单晶过程中,掺杂开始后,打开气体流量阀,通入定量的净化空气,直至拉晶收尾,埚底料凝固结晶超过1~5min后停止通入净化空气。采取本发明,有效地解决了直拉重掺磷单晶清炉时容易爆炸的问题,从而保证
一种用于重掺磷硅单晶生产的防爆单晶炉及除磷方法.pdf
一种用于重掺磷硅单晶生产的防爆单晶炉,该单晶炉的主真空泵通过抽空管道与炉筒的底部连通,以控制主真空泵通过抽空管道抽取炉筒内的气体;抽空管道靠近炉筒的一端上连接有进空气管道,进空气管道与空气开关连接,以通过空气开关的控制向抽空管道中充入空气,进而使抽空管道内沉积的含磷挥发物进行氧化去除。本发明通过在单晶炉抽空管道的最前端增加一个进空气管道,进空气管道上的空气开关开启后可以通过该进空气管道向抽空管道中输入空气,进而对管道壁、过滤器等沉积挥发物的部位进行氧化,避免反应产生的热量积聚达到爆炸极限,从而很好的控制了
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重掺磷直拉硅单晶中缺陷的研究摘要本文研究了重掺磷直拉硅单晶中缺陷的形成与影响,使用了多种测试方法,包括原子力显微镜、电感耦合等离子体发射光谱、透射电子显微镜以及自行设计的测试装置等。结果表明,重掺磷直拉硅单晶中出现了大量的气泡、晶界等缺陷,这些缺陷会严重影响晶体的性能和稳定性。同时,本文还探讨了可能的减少缺陷的方法,并提出了未来的研究建议。关键词:重掺磷直拉硅单晶,缺陷,气泡,晶界,性能引言重掺磷直拉硅单晶作为半导体材料,具有广泛的应用前景,包括光电子学、通信、微电子等领域。然而,直拉硅单晶的制备过程中往
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本发明创造提供一种生产直拉重掺极低电阻率硅单晶的方法,使用重掺单晶头尾料(有一定电阻率),与原生多晶料在一定的配比下组合;化料完成后,按正常掺杂量掺杂,掺杂时切换高炉压参数进行烘烤,加快掺杂剂熔入熔体,正常炉压稳温后,开始拉晶,在开始长晶时,充入氩气混合气体,增加炉内掺杂剂的分压;当单晶保持且生长稳定后,逐步增加炉压,进一步降低掺杂剂的挥发,降低电阻率。本发明的主要效果在于:使用重掺单晶头尾料降低单晶成本,不增加首次掺杂量的情况下,头总电阻率可降低5%-25%,不影响单晶成晶率的情况下,明显达到降低单晶硅