一种生产直拉重掺极低电阻率硅单晶的方法.pdf

本发明创造提供一种生产直拉重掺极低电阻率硅单晶的方法，使用重掺单晶头尾料(有一定电阻率)，与原生多晶料在一定的配比下组合；化料完成后，按正常掺杂量掺杂，掺杂时切换高炉压参数进行烘烤，加快掺杂剂熔入熔体，正常炉压稳温后，开始拉晶，在开始长晶时，充入氩气混合气体，增加炉内掺杂剂的分压；当单晶保持且生长稳定后，逐步增加炉压，进一步降低掺杂剂的挥发，降低电阻率。本发明的主要效果在于：使用重掺单晶头尾料降低单晶成本，不增加首次掺杂量的情况下，头总电阻率可降低5％-25％，不影响单晶成晶率的情况下，明显达到降低单晶硅

2023-06-19

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一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法.pdf

本发明涉及一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法，其特征在于：旋转磁场发生器安装在旋转磁场发生器支架上，并套装在直拉炉（的外距离直拉炉外壁1～25cm处，在直拉法拉晶过程中开启旋转磁场发生器对硅熔体施加旋转磁场,其旋转频率为1～19Hz。本发明的技术特点是可以有效促进硅熔体的对流，抑制高浓度掺杂剂的向下沉积问题，提高直拉重掺硅单晶的径向电阻率均匀性。

2023-06-20

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低电阻率重掺砷硅单晶生产方法.pdf

本发明提供一种低电阻率重掺砷硅单晶生产方法，属于掺杂硅单晶生产技术领域。方法包括化料、高温处理、一次安定、一次籽晶试温、降温、砷掺杂、二次安定、二次籽晶试温、引晶、放肩、等径、收尾步骤，其中，降温过程中，使硅熔液液面温度相比引晶温度降低20℃～50℃，砷掺杂过程中，设定单晶炉炉压为20kPa～25kPa。实践表明，采用该方法能够有效降低得到的低电阻率重掺砷硅单晶晶棒的电阻率，砷掺杂剂的用量相比气相掺杂过程降低约7.4%，降低重掺砷硅单晶晶棒发生晶变的概率。

2023-06-15

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能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法.pdf

本发明提供一种能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法，属于掺杂硅单晶生产技术领域。该方法包括以下步骤：等径前工序中，调节氩气流量为120slm‑130slm，并保持该氩气流量至二段等径工序结束；并且，等径前工序中，调节单晶炉炉压为12kPa‑15kPa；一段等径工序中，将单晶炉炉压逐渐升高至18kPa‑20kPa；二段等径工序中，维持单晶炉炉压为18kPa‑20kPa。通过该方法生产重掺砷硅单晶，能够显著降低所制备的重掺砷硅单晶的电阻率，尤其是将重掺砷硅单晶晶棒的头部电阻率降低至0.002

2023-06-15

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一种直拉重掺砷低电阻硅单晶的装置.pdf

本发明涉及一种重掺砷低电阻硅单晶的装置，包括热屏内胆、热屏外胆、石英锅、碳毡、石英环、石英环导向管，石英环为用石英拉制出一石英管和在其上有数根石英环导气管导通管，且数根石英环导气管相对石英管成垂直弯曲，热屏内胆、碳毡、热屏外胆上有与石英环导气管数量相同的通孔，石英环导向管固定于孔内，使石英环导向管外壁距石英锅内壁20-100mm,石英环导气管插于石英环导向管内并可自由滑动，使用时，砷置于石英管内，通过在炉盖上安装的提升装置使石英环上下升降于石英锅内硅熔液液面之上，技术效果是，结构简单，改造容易，通过石英环

2023-06-19

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