MOS器件栅极孔的制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102522328A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102522328A(43)申请公布日2012.06.27(21)申请号201110457512.7(22)申请日2011.12.30(71)申请人江苏宏微科技有限公司地址213022江苏省常州市新北区华山中路18号(72)发明人张景超吴迪林茂戚丽娜刘利峰赵善麒(74)专利代理机构常州市维益专利事务所32211代理人贾海芬(51)Int.Cl.H01L21/28(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书33页页附图附图55页(54)发明名称MOS器件栅极孔的制作方法(57)摘要本发明涉及一种MOS器件栅极孔的制作方法，按以下步骤进行，将清洁处理后的硅片放入氧化炉内进行第一氧化处理，形成第一氧化层；在光刻场环区窗口，并在场环区注入离子和推结在场环区窗口内的栅极孔区域内留下一条凸起部分的第一氧化层，或在场环区的栅极孔区域内留下间隔设置的至少两个以上凸起部分的第一氧化层，光刻有源区窗口，在硅片表面形成第二氧化层、淀积多晶硅层和第三氧化层，再淀积绝缘介质层，在硅片表面涂覆光刻胶，刻蚀光刻胶并露出栅极孔区域的凸起部分处的绝缘介质层，对露出的缘介质层进行腐蚀并形成栅极孔，金属层淀积及光刻刻蚀形成栅极。本发明能减少MOS器件栅极孔制作工艺流程，节省制作成本。CN102538ACN102522328A权利要求书1/1页1.一种MOS器件栅极孔的制作方法，其特征在于：按以下步骤进行，(1)、第一次氧化：将清洁处理后的硅片放入氧化炉内进行第一次氧化处理，形成第一氧化层；(2)、光刻场环区窗口，并在场环区注入离子和推结：在第一氧化层表面涂覆光刻胶，在场环区内进行光刻、显影、刻蚀第一氧化层并形成场环区窗口，在场环区窗口内的栅极孔区域内留下一条凸起部分的第一氧化层，或在场环区窗口的栅极孔区域内留下间隔设置的至少两个以上凸起部分的第一氧化层，在场环区窗口进行硼离子注入和推结，形成P型场环；(3)、光刻有源区窗口：在硅片表面涂覆光刻胶，在有源区内进行光刻、显影、刻蚀第一氧化层；(4)、二次氧化：将硅片放入氧化炉内进行第二氧化，在硅片表面形成第二氧化层，并保持栅极孔区域的凸起部分；(5)、多晶硅淀积、掺杂及淀积第三氧化层：将硅片放入淀积炉内，在硅片表面淀积多晶硅层，将硅片放入扩散炉内，对多晶硅层进行掺杂形成导电层，在多晶硅表面淀积第三氧化层，并保持栅极孔区域的凸起部分；(6)、绝缘介质层淀积：在制得P型区和N+型区后，将硅片放入淀积炉内，在硅片表面淀积绝缘介质层，并保持栅极孔区域的凸起部分；(7)、涂胶、刻蚀栅极孔：在制得源极孔后，在硅片表面涂覆光刻胶，刻蚀光刻胶并露出栅极孔区域的凸起部分处的第三氧化层，对露出的第三氧化层进行腐蚀，然后去胶形成栅极孔；(8)、金属层淀积及光刻刻蚀：对硅片溅射或蒸发金属层，并光刻金属层形成栅极。2.根据权利要求1所述的MOS器件栅极孔的制作方法，其特征在于：所述栅极孔区域的凸起部分的第一氧化层的高度在0.5μm～3μm，宽度为0.5～1μm、长度在1～15000μm。3.根据权利要求1所述的MOS器件栅极孔的制作方法，其特征在于：所述栅极孔区域的凸起部分的绝缘介质层上的光刻胶厚度在0～1μm。2CN102522328A说明书1/3页MOS器件栅极孔的制作方法技术领域[0001]本发明涉及一种MOS器件栅极孔的制作方法，属于半导体器件技术领域。背景技术[0002]目前在功率MOSFET、IGBT、MCT等功率器件的制作过程中，在硅片上形成第二氧化层，再在第二氧化层上淀积多晶硅层，然后对多晶硅层光刻、刻蚀出有源区窗口，在有源区窗口内注入离子、推结扩散形成N形区，再对其光刻形成第二窗口，在第二窗口内注入离子、扩散形成P形区，最后进行绝缘介质层的淀积，并光刻栅极孔，最后淀积金属层使金属与下面的多晶硅连接形成栅极。但在栅极孔制作过程中，通常是使用光刻板，将光刻胶涂在行绝缘介质层，通过光刻机曝光栅极孔区域的光刻胶，在光刻胶在显影时，将栅极孔区域的光刻胶腐蚀掉，露出下面需要腐蚀的绝缘介质层，在后面的刻蚀工序中将栅极孔区域的绝缘层刻蚀掉形成栅极孔，再进行金属淀积后形成栅极。由于需要有版光刻，不仅需要制作光刻板，而且必须通过光刻机进行光刻制作，不仅增加了栅极孔制作工艺的流程，而且也提高制作成本。发明内容[0003]本发明的目的是提供一种减少MOS器件栅极孔制作工艺流程，节省制作成本的MOS器件栅极孔的制作方法。[0004]本发明为达到上述目的的技术方案是：一种MOS器件栅极孔的制作方法，其特征在于：按以下步骤进行，[0005](1)、第一次氧化：将清洁处理后的硅片放入氧化炉内进行第一次氧化处理，形成第一氧化层；[0006](