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一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法.pdf
2023-06-20
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小沛****文章
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一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法.pdf
本发明涉及一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法，包括以下步骤：将上部石英圆盖的内表面制作成倾斜面；将上部石英圆盖安装在基座上，上部石英圆盖的倾斜面沿气流方向安装，即越离气流末尾的位置上部石英圆盖离基座越近；通入反应气体，反应气体通过硅片时在硅片上沉积下硅，形成外延。本发明解决沿着气流方向硅源浓度越来越少导致生长速率不断下降的问题，消除了外延层厚度沿硅片径向分布成特殊的“W”形，极大提高外延片产品质量。
2023-06-20
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优化薄膜外延生长均匀性的装置、方法及外延生长设备.pdf
本发明公开了一种优化薄膜外延生长均匀性的装置、方法及外延生长设备。所述方法包括:使承载衬底的托盘同时绕第一轴线和第二轴线做圆周运动,以使所述衬底上任一点沿一非圆形轨迹做摆线运动,从而使沉积到衬底表面不同位置的原料的量相同,其中,所述第一轴线为托盘自身轴线,所述第二轴线与第一轴线相互平行且不重合。本发明通过使衬底表面点做摆线运动,使衬底表面点可经过更多的路径以覆盖到更大的源炉束流的入射区域,源炉到衬底表面不同位置的入射距离多次取均值后基本保持恒定,从而使衬底表面不同位置的入射通量基本相同,进而提高了薄膜生长
2023-04-21
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一种提高薄膜生长外延片均匀性的方法.pdf
一种提高薄膜生长外延片均匀性的方法，包括以下步骤：选取衬底，该衬底的规格尺寸大于等于预生长外延片的规格尺寸；设置一个环结构件，该环结构件的内径尺寸大小等于衬底的规格尺寸，环结构件的厚度与衬底的厚度可以相等或者不相等；将衬底放置入环结构件中，环结构件将衬底的边缘全部包围连成一个连续的生长区域；将衬底及环结构放置在生长室中进行生长，使得衬底上生长出预设规格结构的薄膜外延片；生长完成后，将环结构件取出，烘烤、清洗干净留待下次使用。本发明利用环结构件降低由于衬底边界条件带来的不利影响，最终获得均匀性很好的外延片。
2023-11-17
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一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法.pdf
本发明公开了一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法，首先将硅衬底放入桶式外延炉内进行初始定位后在硅衬底表面进行外延生长形成第一层外延层，第一层外延层厚度小于设定外延层总厚度；然后将形成第一层外延层的硅衬底相对初始位置转动，进行外延生长至设定外延层总厚度，采用两步生长过程，先进行第一层外延层生长，形成的第一层外延层覆盖了衬底，在进行二次生长时，硅衬底正面及侧面边缘杂质的蒸发被第一层外延层抑制；硅衬底背面采用多晶及氧化层进行背封，背面杂质的蒸发也被有效抑制，再次生长完成外延层生长，能够有效抑制外延自掺杂效应
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本申请公开了一种膜层厚度均匀性的检测方法，涉及半导体制造领域。该膜层厚度均匀性的检测方法包括在晶圆上的预定膜层表面形成膜厚监控结构；量测所述晶圆上预定位置的所述膜厚监控结构的关键尺寸；根据量测得到的关键尺寸，检测所述预定膜层的厚度均匀性；解决了目前膜厚检测手段无法实时监控晶圆上膜层厚度分布情况的问题；达到了便捷、实时地检测量产产品的膜厚均匀性的效果。
2023-07-25
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