一种石英舟清洗和饱和处理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CN102881620B(45)授权公告日(45)授权公告日2015.03.11(21)申请号201210315992.8(56)对比文件CN1933110A,2007.03.21,说明书第(22)申请日2012.08.315行至第17行.(73)专利权人宁波尤利卡太阳能科技发展有限CN101319367A,2008.12.10,全文.公司JP特开2009-248021A,2009.10.29,全文.地址315177浙江省宁波市鄞州区望春工业CN102280396A,2011.12.14,说明书第园区杉杉路181号[0002]-[0013]段.(72)发明人吴艳芬詹国平刘伟陈筑审查员纪金国刘晓巍蔡二辉(74)专利代理机构宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙)33228代理人代忠炯(51)Int.Cl.H01L21/673(2006.01)B08B3/08(2006.01)B08B3/02(2006.01)F26B21/00(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称一种石英舟清洗和饱和处理方法(57)摘要本发明公开了一种石英舟清洗和饱和处理方法，具体步骤：石英舟的清洗，将石英舟放入浓度为10%～25%的氢氟酸进行浸泡40min～120min后，放入喷淋槽用纯水喷淋，喷淋时间为20min～90min；干燥，用气体干燥剂吹干石英舟；石英舟的饱和，将石英舟放入炉温为800℃～900℃的管式扩散炉中，通入氧气和流量为1000～3000ml/min三氯氧磷液态源，其中氧气和三氯氧磷液态源的流量比为1:1～5；最后用10～30L/min的氮气或者氧气冷却石英舟。其优点：经过清洗后石英舟上的硅粉松动，再放入喷淋槽中喷淋，使得松动的硅粉完全清除，再通过大流量的三氯氧磷液态源和氧气饱和，使得存在‘死角’的石英舟卡槽充分吸收磷原子，硅片上不会产生卡槽印，提高电池片的合格率。CN102881620BCN102881620B权利要求书1/1页1.一种石英舟清洗和饱和处理方法，其特征在于，包括以下步骤：1)石英舟的清洗：将石英舟放入浓度为10％～25％的氢氟酸进行浸泡40min～120min后，放入喷淋槽用纯水喷淋，喷淋时间为20min～90min；2)清洗后的干燥：用气体干燥剂吹干石英舟；3)石英舟的饱和：将石英舟放入炉温为800℃～900℃的管式扩散炉中，通入氧气和流量为1000～3000ml/min三氯氧磷液态源，其中氧气和三氯氧磷液态源的流量比为1:1～5；4)最后用10～30L/min的氮气或者氧气冷却石英舟。2.根据权利要求1所述的一种石英舟清洗和饱和处理方法，其特征在于，所述步骤1)中的氢氟酸的浓度为15％～20％，浸泡时间为60min～90min，喷淋时间为40min～60min。3.根据权利要求1所述的一种石英舟清洗和饱和处理方法，其特征在于，所述步骤2)中的气体干燥剂为氮气。4.根据权利要求1所述的一种石英舟清洗和饱和处理方法，其特征在于，所述的步骤3)中的炉温为830℃～860℃，通入三氯氧磷液态源的流量为1000～3000ml/min，其中氧气和三氯氧磷的流量比为1:3～4。5.根据权利要求1所述的一种石英舟清洗和饱和处理方法，其特征在于，所述步骤4)中的冷却气体为氮气。2CN102881620B说明书1/2页一种石英舟清洗和饱和处理方法技术领域[0001]本发明涉及晶体硅太阳电池制造领域，具体为晶体硅太阳电池生产中扩散工序的石英舟清洗和饱和处理方法。背景技术[0002]扩散工序是晶体硅太阳电池生产中形成PN结的工序，主要的原理是采用三氯氧磷液态源在高温下与氧气反应生成单质磷沉积在P型晶体硅表面的过程，其化学反应式如下：[0003]5POCl3→3PCl5+P2O5[0004]在进行扩散时，先将硅片插在石英舟内，然后将插满硅片的石英舟放入扩散炉管中进行扩散，扩散完毕将硅片从石英舟内取出，然后再插入新的硅片进行下一批的扩散，因此在生产过程中，石英舟是重复使用的。但是长期使用石英舟的表面会沉积一层白色的五氧化二磷，当石英舟与空气中的水分接触后便生成偏磷酸，具体化学反应：[0005]P2O5+H2O→2HPO3[0006]当石英舟的卡槽中累积大量偏磷酸后，偏磷酸会腐蚀硅片表面，在硅片表面形成卡槽印。硅片表面卡槽印在严重的情况下会导致电池片的转换效率的降低，影响了产品合格率。[0007]目前使用的石英舟清洗和饱和工艺中的清洗工艺仅仅通过氢氟酸对石英舟进行清洗，经过氢氟酸清洗处理后石英舟表面仍附着部分松动的硅粉，导致清洗不干净，此外目前饱和工艺中使用流量为500ml/min的三氯氧磷液态源和氧气，因石英舟卡槽为饱和‘死角’，小流量