

一种高硅铝合金的制备方法.pdf
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一种高硅铝合金的制备方法.pdf
一种高硅铝合金的制备方法,将碳化硅铝合金与固体硅按重量比例混合,碳化硅铝合金20~30%,其中碳化硅约60~80%,铝约20~40%;固体硅70~80%,然后将该混合物放在中频感应炉进行重熔。待重熔完成后,在硅液中碳化硅溶解在下部,铝溶解在上部,然后将底部和上部溶液分离。在得到的铝与硅液混合物中加入铜、铝钛、铝锰、铝镍、镁、铁、锌、铋等合金元素,然后精炼、扒渣、浇铸,制备成高硅铝合金。本发明生产的高硅铝合金可用于制造发动机机体、刹车块、带轮、泵机、汽车空调压缩机和其他有耐磨要求的零部件。
一种高硅铝合金的制备方法.pdf
本发明涉及了一种高硅铝合金的制备方法,其特征在于按以下重量百分比组成分别为:15-21%的硅,1.0-2.0%的铜,0.5-1.1%的镁,0.4-1.0%的锰,0.9-1.4的锌,0.1-0.3的磷,0.1-0.3的杂质。一种高硅铝合金的制备方法,其特征在于制备步骤如下:1)将上述的所有材料置于加热炉内,升温至450-500℃,保温1-1.5小时;2)再进行第二次溶炼,温度上升到600-700℃,保温45分钟,在进行变质处理,充分搅拌均匀,在精炼处理20分钟,进行去渣扒灰;3)然后在温度550-600℃下
一种高硅铝合金的制备方法.pdf
本发明公开了一种高硅铝合金的制备方法,将硅粉、铝粉或铝硅合金粉,按硅重量含量不低于30%的计量比混合均匀后装入密封的石墨或合金模具中,施以5~10MPa以上的轴向压力预压紧;然后将装置放进底部带水冷装置的真空热压炉中升温至580~900℃,炉内真空度保持在10~100Pa;待模具内外温度均匀后施加不大于10MPa的轴向压力并保压10~30分钟,然后以1~10℃/分钟的速度降温;在降温过程中水冷装置持续通水从底部加快冷却模具;待炉温降至可操作温度即可得到高致密度、组织均匀、硅粒子尺寸在100微米以下、性能
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本发明公开了一种高硅铝合金及其制备方法,高硅铝合金按照重量份的原料包括铝、硅粉、铜、铜包铝合金、镁、铁、锌、锰份、镍、钛、铋和杂质,高硅铝合金的制备方法的具体步骤如下:称取各原料,将回收的废铝,熔融后,取样,进行光谱检测,计算回收废铝中各金属含量,先将铝投入熔炼炉内,使其熔化成铝熔体,将称好的铜、铝钛合金、铝锰合金和铝镍合金投入熔炼炉中,熔炼温度控制在800‑850℃。本发明加入较高的硅量是为了形成大量的初晶硅,铜和镁与硅形成Al
一种高硅铝合金电子封装材料的制备方法.pdf
本发明设计一种新型高硅铝合金电子封装材料的制备方法,其主要步骤为:先将硅铝材料按比例配料,其中硅原料的质量百分比为12%~50%,其余为工业纯铝;将混合后的材料放入中频感应炉内加热、搅拌,并进行覆盖造渣与除气处理,采用喷射沉积将金属熔液制成锭坯;对锭坯采用热等静压方式进行致密化处理,冷却后即可得到致密度大于99%的高硅铝合金电子封装材料。本发明成本较低,操作流程简单,所制备的高硅铝合金材料具有组织均匀、致密度高、膨胀系数低和导热性高等特点,综合性能优异,完全适用于现代电子封装领域。