中频磁控溅射镀膜装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102978577A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102978577A(43)申请公布日2013.03.20(21)申请号201110262076.8(22)申请日2011.09.06(71)申请人鸿富锦精密工业（深圳）有限公司地址518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号申请人鸿海精密工业股份有限公司(72)发明人张新倍黄登聪彭立全(51)Int.Cl.C23C14/35(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书33页页附图附图44页(54)发明名称中频磁控溅射镀膜装置(57)摘要一种中频磁控溅射镀膜装置，其包括一反应室、位于反应室中央的一转架及设置于反应室腔壁与转架之间的至少一对靶材，每对靶材于反应室内均相应配置有一内衬板及至少一外挡板，该至少一外挡板为可移动的，当该至少一外挡板移动至靶材与转架之间时，所述一对靶材容置于该至少一外挡板和该内衬板所形成的空间内，以防止靶材原子于洗靶时溅射至转架上。本发明中频磁控溅射镀膜装置可使洗靶与真空镀膜能同炉完成，大幅提高了生产效率。CN1029785ACN102978577A权利要求书1/1页1.一种中频磁控溅射镀膜装置，其包括一反应室、位于反应室中央的一转架及设置于反应室腔壁与转架之间的至少一对靶材，其特征在于：每对靶材于反应室内均相应配置有一内衬板及至少一外挡板，该内衬板邻近反应室的部分腔壁设置，该至少一外挡板为可移动的，当该至少一外挡板移动至靶材与转架之间时，所述一对靶材容置于该至少一外挡板和该内衬板所形成的空间内，以防止靶材原子于洗靶时溅射至转架上。2.如权利要求1所述的中频磁控溅射镀膜装置，其特征在于：所述靶材为圆柱靶。3.如权利要求2所述的中频磁控溅射镀膜装置，其特征在于：所述至少一外挡板包括有二外挡板，每一外挡板邻近每对靶材中的一靶材的周缘设置且可绕靶材的周缘方向移动，且每一外挡板包括一主体部及与主体部的一端一体延伸的一连接部。4.如权利要求3所述的中频磁控溅射镀膜装置，其特征在于：该主体部为拱形，主体部的截面为半圆弧，且主体部的截面与靶材的截面同圆心，并且主体部截面的弧长大于所述靶材截面的半圆弧长。5.如权利要求3所述的中频磁控溅射镀膜装置，其特征在于：该连接部为平板状，当该二外挡板移动至靶材与转架之间时，二外挡板的二连接部接合于一起。6.如权利要求5所述的中频磁控溅射镀膜装置，其特征在于：所述内衬板的沿着腔壁周向方向的二端部连线的长度不小于二外挡板对应接合时该二外挡板的二端部连线的长度。7.如权利要求1所述的中频磁控溅射镀膜装置，其特征在于：所述至少一外挡板包括一外挡板，该外挡板包括一主体板和分别连接于主体板两端的二侧板，每一侧板呈拱形。8.如权利要求1所述的中频磁控溅射镀膜装置，其特征在于：所述内衬板和外挡板的纵向高度均等于或大于所述靶材的纵向高度。9.一种中频磁控溅射镀膜装置，其包括一反应室、位于反应室中央的一转架，其特征在于：该中频磁控溅射镀膜装置还包括一内衬板及至少一外挡板，该内衬板邻近反应室的部分腔壁设置，该至少一外挡板可移动地设置于反应室内，当每一外挡板移动至靠近所述转架时，该至少一外挡板与内衬板之间对应形成一容纳空间，用以容纳一对靶材防止靶材原子于洗靶时溅射至转架上。10.如权利要求9所述的中频磁控溅射镀膜装置，其特征在于：所述至少一外挡板包括有二外挡板，每一外挡板邻近一靶材的周缘设置且可绕靶材的周缘方向移动，每一外挡板包括一主体部及与主体部的一端一体延伸的一连接部，该主体部为拱形，该连接部为平板状，当每一外挡板移动至靠近所述转架时，每对靶材的二外挡板的二连接部为对应接合于一起，以隔离所述一对靶材与转架。11.如权利要求10所述的中频磁控溅射镀膜装置，其特征在于：所述内衬板沿着腔壁周向方向的二端部连线的长度不小于二外挡板对应接合时该二外挡板的二端部连线的长度。2CN102978577A说明书1/3页中频磁控溅射镀膜装置技术领域[0001]本发明涉及一种中频磁控溅射镀膜装置。背景技术[0002]物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)镀膜过程中，需向镀膜装置的镀膜室内通入溅射气体(如氩气)，有时还需向镀膜室内通入反应气体(如氮气，甲烷等)，以使反应气体与被溅射出来的靶材原子反应生成化合物沉积于基材上。为了获得特定颜色(如极度黑色，极度白色)等，通入镀膜室的反应气体的量往往很大，超出正常反应所需要的量。此时由于反应气体的量较大，会在靶材表面反应生成化合物，影响靶材的正常溅射，造成靶材溅射率大幅下降，这就是靶材的“中毒”。针对靶材“中毒”现象，通常做法是在下一次镀膜之前，对靶材进行“洗靶”，也就是在真空状态下，通入氩气将靶材表面的化合物溅射