透明导电性薄膜及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102985585A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102985585A(43)申请公布日2013.03.20(21)申请号201180033556.5代理人刘新宇李茂家(22)申请日2011.07.06(51)Int.Cl.(30)优先权数据C23C14/08(2006.01)2010-1542192010.07.06JPB32B9/00(2006.01)2011-0504572011.03.08JPC23C14/58(2006.01)H01B13/00(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日2013.01.06(86)PCT申请的申请数据PCT/JP2011/0654932011.07.06(87)PCT申请的公布数据WO2012/005300JA2012.01.12(71)申请人日东电工株式会社地址日本大阪府(72)发明人山崎由佳梨木智刚菅原英男待永广宣佐佐木惠梨(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书2323页页附图附图44页(54)发明名称透明导电性薄膜及其制造方法(57)摘要本发明的目的在于，制造在透明薄膜基材上形成有结晶的铟系复合氧化物膜的长条状的透明导电性薄膜。本发明的制造方法具有：非晶层叠体形成工序，其中，通过溅射法在所述长条状透明薄膜基材上形成含有铟和四价金属的铟系复合氧化物的非晶膜；以及结晶化工序，其中，形成有所述非晶膜的长条状透明薄膜基材被连续地输送至170℃～220℃的加热炉内，所述非晶膜被结晶化。前述结晶化工序中的加热炉内的温度优选为170℃～220℃。另外，前述结晶化工序中的薄膜长度的变化率优选为+2.5%以下。CN102985ACN102985585A权利要求书1/1页1.一种透明导电性薄膜的制造方法，其是制造在长条状透明薄膜基材上形成有结晶铟系复合氧化物膜的长条状透明导电性薄膜的方法，该方法具有：非晶层叠体形成工序，其中，通过溅射法在所述长条状透明薄膜基材上形成含有铟和四价金属的铟系复合氧化物的非晶膜；以及结晶化工序，其中，形成有所述非晶膜的长条状透明薄膜基材被连续地输送至170℃~220℃的加热炉内，所述非晶膜被结晶化，所述结晶化工序中的薄膜长度的变化率为+2.5%以下。2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜的制造方法，其中，在所述结晶化工序中，被施加到加热炉内的长条状透明薄膜基材上的输送方向的应力为1.1MPa~13MPa。3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜的制造方法，其中，所述结晶化工序中的加热时间为10秒~30分钟。4.根据权利要求1~3中的任一项所述的透明导电性薄膜的制造方法，其中，相对于铟和四价金属共计100重量份，所述铟系复合氧化物含有超过0重量份且为15重量份以下的四价金属。5.根据权利要求1~4中的任一项所述的透明导电性薄膜的制造方法，其中，在所述非晶层叠体形成工序中，在形成所述非晶膜之前，进行排气直至溅射装置内的真空度达到1×10-3Pa以下。6.一种透明导电性薄膜卷绕体，其是在长条状透明薄膜基材上形成有结晶铟系复合氧化物膜的长条状透明导电性薄膜卷绕为卷状而成的，所述铟系复合氧化物含有铟和四价金属，在将所述透明导电性薄膜切成单片体并在150℃下加热60分钟时，所述铟系复合氧化物膜的压缩残余应力为0.4GPa~1.6GPa。7.根据权利要求6所述的透明导电性薄膜卷绕体，其中，在将所述透明导电性薄膜切成单片体并在150℃下加热60分钟时，长条薄膜的长度方向的尺寸变化率为0%~-1.5%。8.根据权利要求6或7所述的透明导电性薄膜卷绕体，其中，相对于铟和四价金属共计100重量份，所述铟系复合氧化物含有超过0且为15重量份以下的四价金属。2CN102985585A说明书1/23页透明导电性薄膜及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及在透明薄膜基材上形成有结晶透明导电性薄膜的透明导电性薄膜及其制造方法。背景技术[0002]在透明薄膜基材上形成有透明导电性薄膜的透明导电性薄膜被广泛利用于太阳能电池、无机EL元件、有机EL元件用的透明电极、电磁波屏蔽材料、触摸面板等。尤其是近年来，触摸面板在移动电话、便携式游戏机等上的安装率上升，能够多点检测的静电容量方式的触摸面板用的透明导电性薄膜的需求急速扩大。[0003]作为用于触摸面板等的透明导电性薄膜，广泛使用在聚对苯二甲酸乙二酯薄膜等挠性透明基材上形成有铟·锡复合氧化物(ITO)等导电性金属氧化物膜的薄膜。例如，对于ITO膜，通常使用与在基材上形成的ITO的膜组成相同的氧化物靶、或由In-Sn合金形成的金属靶，导入单独的非活性气体(Ar气)、以及根据需要的氧气等反应性气体，通过溅射法来成膜。[0004