透明导电性薄膜的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106399939A(43)申请公布日2017.02.15(21)申请号201610985842.6C23C14/58(2006.01)(22)申请日2011.07.06H01B13/00(2006.01)(30)优先权数据2010-1542192010.07.06JP(62)分案原申请数据201180033531.52011.07.06(71)申请人日东电工株式会社地址日本大阪府(72)发明人山崎由佳梨木智刚菅原英男(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277代理人刘新宇李茂家(51)Int.Cl.C23C14/08(2006.01)C23C14/56(2006.01)权利要求书1页说明书15页附图2页(54)发明名称透明导电性薄膜的制造方法(57)摘要本发明提供一种在透明薄膜基材上形成有结晶的铟系复合氧化物膜的长条状的透明导电性薄膜的制造方法。本发明的制造方法具有：非晶层叠体形成工序，其中，通过溅射法在所述长条状透明薄膜基材上形成含有铟和四价金属的铟系复合氧化物的非晶膜；以及结晶化工序，其中，形成有所述非晶膜的长条状透明薄膜基材被连续地输送至加热炉内，所述非晶膜被结晶化。相对于铟和四价金属共计100重量份，前述铟系复合氧化物优选含有超过0重量份且为15重量份以下的四价金属。CN106399939ACN106399939A权利要求书1/1页1.一种透明导电性薄膜的制造方法，其是制造在长条状透明薄膜基材上形成有结晶铟系复合氧化物膜的长条状透明导电性薄膜的方法，该方法具有：非晶层叠体形成工序，其中，通过溅射法在所述长条状透明薄膜基材上形成含有铟和四价金属的铟系复合氧化物的非晶膜；以及结晶化工序，其中，形成有所述非晶膜的长条状透明薄膜基材被连续地输送至加热炉内，所述非晶膜被结晶化，相对于铟和四价金属共计100重量份，所述铟系复合氧化物含有超过0重量份且为15重量份以下的四价金属，在所述结晶化工序中，被施加到加热炉内的长条状透明薄膜基材上的输送方向的应力为1.1MPa～2.8MPa，结晶化的ITO膜的表面电阻值R0、与进一步在150℃下加热90分钟后的ITO膜的表面电阻值R的比R/R0为1.3以下，供给至结晶化工序前的非晶层叠体在150℃下加热60分钟时的尺寸变化率H0、与结晶化后的透明导电性层叠体在150℃下加热60分钟时的尺寸变化率H1的差ΔH＝(H1-H0)为-0.4％～+1.5％。2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜的制造方法，其中，在所述非晶层叠体形成工序中，在形成所述非晶膜之前，进行排气直至溅射装置内的真空度达到1×10-3Pa以下。3.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜的制造方法，其中，在所述结晶化工序中，所述加热炉内的温度为120℃～260℃，并且，加热时间为10秒～30分钟。2CN106399939A说明书1/15页透明导电性薄膜的制造方法[0001]本申请是申请日为2011年7月6日、申请号为201180033531.5、发明名称为“透明导电性薄膜的制造方法”的专利申请的分案申请。技术领域[0002]本发明涉及在透明薄膜基材上形成有结晶透明导电性薄膜的透明导电性薄膜的制造方法。背景技术[0003]在透明薄膜基材上形成有透明导电性薄膜的透明导电性薄膜被广泛利用于太阳能电池、无机EL元件、有机EL元件用的透明电极、电磁波屏蔽材料、触摸面板等。尤其是近年来，触摸面板在移动电话、便携式游戏机等上的安装率上升，能够多点检测的静电容量方式的触摸面板用的透明导电性薄膜的需求急速扩大。[0004]作为用于触摸面板等的透明导电性薄膜，广泛使用在聚对苯二甲酸乙二酯薄膜等挠性透明基材上形成有铟·锡复合氧化物(ITO)等导电性金属氧化物膜的薄膜。例如，对于ITO膜，通常使用与在基材上形成的ITO的膜组成相同的氧化物靶、或由In-Sn合金形成的金属靶，导入单独的非活性气体(Ar气)、以及根据需要的氧气等反应性气体，通过溅射法来成膜。[0005]在由像聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜那样的高分子成型物形成的透明薄膜基材上使ITO等铟系复合氧化物膜成膜时，存在由基材的耐热性导致的限制，因此无法在高温度下进行溅射成膜。因此，刚刚成膜之后的铟系复合氧化物膜成为非晶膜(也有部分结晶化的情况)。对于这种非晶的铟系复合氧化物膜，存在泛黄强而透明性差，加湿加热试验后的电阻变化大等问题。[0006]因此，通常在由高分子成型物形成的基材上形成非晶膜后，在大气中的氧气氛下加热，从而将非晶膜转变为结晶膜(例如，参照专利文献1)。通过该方法，能够得到如下优点：铟系复合氧化物膜的透明性提高，进而加湿加热试验后的电阻变化小，加湿加热可靠性提高等。[0007]在透明薄膜基材