芯片接合装置及芯片接合方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103065987A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103065987103065987A(43)申请公布日2013.04.24(21)申请号201210408059.5(22)申请日2012.10.24(30)优先权数据2011-2330462011.10.24JP(71)申请人株式会社日立高新技术仪器地址日本埼玉县(72)发明人秦英惠福田正行市川良雄牛房信之深谷康太(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038代理人黄永杰(51)Int.Cl.H01L21/60(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书9页说明书9页附图7页附图7页(54)发明名称芯片接合装置及芯片接合方法(57)摘要本发明提供芯片接合装置及芯片接合方法，能够减少焊锡接合部中的空隙、界面的接合不良。在通过焊锡将半导体芯片接合在引线框架或衬底上的芯片接合机中，具有：输送部，其输送上述引线框架或衬底；焊锡供给部，其向上述引线框架或衬底上供给焊锡；搭载部，其将半导体芯片搭载、接合在上述引线框架或衬底上的焊锡上。所述芯片接合机还具有表面清洁化单元。将上述焊锡供给到上述引线框架或衬底上之后，所述表面清洁化单元除去在炉内熔融的焊锡表面的氧化膜。通过上述芯片接合设备，能够提高芯片接合品质。CN103065987ACN10365987ACN103065987A权利要求书1/2页1.一种芯片接合装置，形成由焊锡得到的接合部来接合多个被接合部件，所述芯片接合装置的特征在于，具有：焊锡供给构件，所述焊锡供给构件向所述被接合部件供给焊锡；表面清洁化构件，所述表面清洁化构件使用气体还原并除去向所述被接合部件供给的焊锡的表面氧化膜；排气构件，所述排气构件对已用于所述焊锡的还原的气体进行排气；加热构件，所述加热构件加热所述焊锡使其熔融；以及接合构件，所述接合构件在除去所述表面氧化物且被供给到所述被接合部件的熔融焊锡上，接合其他的被接合部件。2.如权利要求1所述的芯片接合装置，其特征在于，所述表面清洁化构件通过在大气压下进行等离子体处理来除去所述氧化膜。3.如权利要求1所述的芯片接合装置，其特征在于，所述表面清洁化构件通过进行激光照射来除去所述氧化膜。4.如权利要求1~3中任一项所述的芯片接合装置，其特征在于，所述气体是氢气和惰性气体的混合气体，氢气浓度在所述表面清洁化构件附近高，随着从所述表面清洁化构件离开，氢气浓度逐渐减小，以成为这样的浓度分布的方式构成炉内的环境气体。5.如权利要求4所述的芯片接合装置，其特征在于，炉内的氢气浓度被抑制在4%以下。6.如权利要求1所述的芯片接合装置，其特征在于，所述排气构件通过进行吸引来排出所述气体。7.如权利要求1所述的芯片接合装置，其特征在于，所述排气构件通过在所述表面清洁化构件的产生等离子体的喷嘴的外周一体地设置的排气口来进行排气。8.如权利要求1所述的芯片接合装置，其特征在于，在所述表面清洁化构件和所述接合构件之间设置分隔部件，所述排气构件设置在比所述分隔部件更靠所述表面清洁化构件侧。9.如权利要求1所述的芯片接合装置，其特征在于，还具有第二清洁化构件，所述第二清洁化构件清洁被供给所述焊锡之前的被接合部件。10.如权利要求1所述的芯片接合装置，其特征在于，还具有第三清洁化构件，所述第三清洁化构件对被供给到所述被接合部件且所述其他的被接合部件被接合之前的所述焊锡进行表面清洁化处理。11.一种芯片接合方法，形成由焊锡得到的接合部来接合多个被接合部件，所述芯片接合方法的特征在于，包括：使用气体还原并除去向所述被接合部件供给的焊锡的表面的氧化膜的表面清洁化工序；对已用于所述焊锡的还原的气体进行排气的工序；将除去了所述氧化膜的焊锡向被接合部件供给的工序；加热所述焊锡使其熔融的工序；以及在除去所述表面氧化物且被供给到所述被接合部件的熔融焊锡上，接合其他的被接合部件的工序。2CN103065987A权利要求书2/2页12.如权利要求11所述的芯片接合方法，其特征在于，在所述表面清洁化工序中，在大气压下对所述焊锡进行等离子体处理。13.如权利要求11所述的芯片接合方法，其特征在于，在所述表面清洁化工序中，对所述焊锡进行激光照射。14.如权利要求11~13中任一项所述的芯片接合方法，其特征在于，氢气浓度在进行所述表面清洁化工序的位置附近高，随着从该位置离开，氢气浓度逐渐减小。15.如权利要求11所述的芯片接合方法，其特征在于，在所述排气工序中，通过吸引来排出所述气体。16.如权利要求14所述的芯片接合方法，其特征在于，所述氢气浓度为4%以下。3CN103065987A说明书1/9页芯片接合装置及芯片接合方法技术领域[0001]本发明涉及芯片接合装置及芯片接