一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103147118A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103147118103147118A(43)申请公布日2013.06.12(21)申请号201310057877.X(22)申请日2013.02.25(71)申请人天津市环欧半导体材料技术有限公司地址300384天津市滨海新区高新区华苑产业园区（环外）海泰东路12号(72)发明人乔柳王彦君张雪囡刘嘉孙健王遵义涂颂昊刘铮冯啸桐孙昊(74)专利代理机构天津滨海科纬知识产权代理有限公司12211代理人李莉华(51)Int.Cl.C30B13/28(2006.01)C30B29/06(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图1页附图1页(54)发明名称一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法(57)摘要本发明提供一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法：在区熔阶段的等径生长工艺中，在区熔硅单晶炉电气控制系统的控制下，使下转电机正向、反向交替转动，所述下转电机带动硅单晶按照设定的正向角度和反向角度转动。本发明提高了太阳能级硅单晶的径向均匀性，解决了太阳能级硅单晶的黑心问题，能够提高由该太阳能级硅单晶制得的太阳能电池片的转换效率。CN103147118ACN103478ACN103147118A权利要求书1/1页1.一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法，其特征在于：在区熔阶段的等径生长工艺中，在区熔硅单晶炉电气控制系统的控制下，使下转电机正向、反向交替转动，所述下转电机带动硅单晶按照设定的正向角度和反向角度转动。2.根据权利要求1所述的利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法，其特征在于：所述正向角度和所述反向角度的比值为一预设值。3.根据权利要求2所述的利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法，其特征在于：所述正向角度和所述反向角度之比为380：620。4.根据权利要求1所述的利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法，其特征在于：所述正向角度为100°-800°，所述反向角度为50°-750°。2CN103147118A说明书1/3页一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法技术领域[0001]本发明属于硅单晶的制备技术领域，尤其是涉及一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法。背景技术[0002]直拉区熔硅单晶生产技术克服了传统直拉法和区熔法生产工艺中的固有缺陷，易于规模化生产。由直拉区熔法制得的硅单晶具有良好的性能价格比，且具有易于掺入特殊固态杂质元素的特性，所以在半导体材料领域具有广阔的市场和应用前景。但目前用于太阳能领域的直拉区熔硅单晶，在其制备工艺中的区熔阶段单晶是单方向旋转的，所以气相掺杂过程中，掺杂剂和氧碳等分布不均，仍然会出现直拉硅单晶常见的黑心现象，且其径向均匀性差，影响由其制得的太阳能电池片的转换效率。发明内容[0003]本发明要解决的问题是提供一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法，尤其适合用于改善太阳能级硅单晶的光伏性能。[0004]为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法：在区熔阶段的等径生长工艺中，在区熔硅单晶炉电气控制系统的控制下，使下转电机正向、反向交替转动，所述下转电机带动硅单晶按照设定的正向角度和反向角度转动。[0005]进一步，所述正向角度和所述反向角度的比值为一预设值。[0006]进一步，所述正向角度和所述反向角度之比为380：620。[0007]进一步，所述正向角度为100°-800°，所述反向角度为50°-750°。[0008]本发明具有的优点和积极效果是：本发明在制备太阳能级硅单晶的等径生长工艺中引入双向旋转工艺，使太阳能级硅单晶的径向电阻率的均匀性有了很大改善，解决了太阳能级硅单晶的黑心问题，能够提高由该太阳能级硅单晶制得的太阳能电池片的转换效率。附图说明[0009]图1是利用现有技术制得的太阳能级硅单晶[0010]图2是利用实施例所述的技术方案制得的太阳能级硅单晶具体实施方式[0011]本发明提供一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法：在区熔阶段的等径生长工艺中，在区熔硅单晶炉电气控制系统的控制下，使下转电机正向、反向交替转动，下转电机带动硅单晶按照设定的正向角度和反向角度转动，正向角度和反向角度的比值为一预设值。正向角度的优选范围为100°-800°，反向角度优选为50°-750°。正向角度和3CN103147118A说明书2/3页反向角度的比值优选为380：620。[0012]在整个太阳能级硅单晶的制备过程中，正向角度和反向角度的数值一直不变。在不同的太阳能级硅单晶的制备工艺中，根据制备需求，可以预设不同的正向角度和反向角度的比值。[0013]具体实施例：[0014]在本