直拉硅单晶的收尾方法及直拉硅单晶的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106676621A(43)申请公布日2017.05.17(21)申请号201710094187.X(22)申请日2017.02.21(71)申请人宁夏协鑫晶体科技发展有限公司地址755099宁夏回族自治区中卫市中卫工业园(72)发明人王思锋潘永娥潘得俊(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224代理人唐清凯(51)Int.Cl.C30B15/20(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称直拉硅单晶的收尾方法及直拉硅单晶的制备方法(57)摘要本发明涉及一种直拉硅单晶的收尾方法，其包括如下步骤：S1、将炉温的设置参数调大至预定的收尾温度，并控制晶体等径生长；S2、在炉温的设置参数调大后的20～30min后，控制并降低埚升为1～3mm/hr，使晶体进入第一段收尾生长；S3、在第一段收尾生长结束后，将晶体的拉速降低，同时控制坩埚静止，使晶体进入第二段收尾生长；S4、在第二段收尾生长结束后，将晶体的拉速提高到所述第一段收尾生长时晶体拉速的90％～120％，使晶体进入第三段收尾生长，直至晶体收尖脱离液面。上述直拉硅单晶的收尾方法，减小晶体收尾长度，增大等径部分长度，成品率高，材料浪费少。另其收尾时间短，节约成本。本发明还公开了一种直拉硅单晶的制备方法。CN106676621ACN106676621A权利要求书1/1页1.一种直拉硅单晶的收尾方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将炉温的设置参数调大至预定的收尾温度，并控制晶体等径生长；S2、在炉温的设置参数调大后的20～30min，控制并降低埚升为1～3mm/hr，使晶体进入第一段收尾生长；S3、在第一段收尾生长结束后，将晶体的拉速降低，同时控制坩埚静止，使晶体进入第二段收尾生长；S4、在第二段收尾生长结束后，将晶体的拉速提高到所述第一段收尾生长时晶体拉速的90％～120％，使晶体进入第三段收尾生长，直至晶体收尖脱离液面。2.根据权利要求1所述的直拉硅单晶的收尾方法，其特征在于，在步骤S1中，在炉内的剩料量为10～12kg时，将炉温的设置参数调大15～20sp。3.根据权利要求1所述的直拉硅单晶的收尾方法，其特征在于，在步骤S1中，晶体的拉速范围为45～60mm/hr。4.根据权利要求1所述的直拉硅单晶的收尾方法，其特征在于，在步骤S2中，当晶体进入第一段收尾生长时，炉内的剩料量为5～8kg。5.根据权利要求1所述的直拉硅单晶的收尾方法，其特征在于，第一段收尾生长结束后，晶体的直径为190～200mm。6.根据权利要求1所述的直拉硅单晶的收尾方法，其特征在于，在步骤S3中，晶体的拉速范围为5～30mm/hr。7.根据权利要求1所述的直拉硅单晶的收尾方法，其特征在于，所述第一段收尾生长的时间为40～60min。8.根据权利要求1所述的直拉硅单晶的收尾方法，其特征在于，所述第二段收尾生长的时间为20～40min。9.根据权利要求1所述的直拉硅单晶的收尾方法，其特征在于，在步骤S4中，晶体的拉速范围为40～80mm/hr。10.一种直拉硅单晶的制备方法，其特征在于，包括权利要求1～9任一项所述的直拉硅单晶收尾方法。2CN106676621A说明书1/4页直拉硅单晶的收尾方法及直拉硅单晶的制备方法技术领域[0001]本发明涉及单晶硅制备领域，尤其涉及一种直拉硅单晶的收尾方法及直拉硅单晶的制备方法。背景技术[0002]直拉硅单晶工艺(CZ法)作为目前主要的硅单晶生产方法，其具有投料量大、单晶直径大、效率高、成本低等特点，其生长过程主要经过引晶、放肩、转肩、等径和收尾几个过程。通过直拉硅单晶工艺得到的直拉硅单晶，只有等径部分才能加工为成品，而其他部分的晶体只能作为复拉料。[0003]目前，收尾时形成的直拉硅单晶的晶体尾部长度较长，一般普遍在200mm左右，造成单晶硅成品率低。另外，目前的收尾方法，时间较长，约为3～4h。发明内容[0004]基于此，有必要针对传统的CZ法收尾过程中，晶体收尾长度长、且时间长的问题，提供一种能够缩短时间且缩短收尾长度的直拉硅单晶的收尾方法。[0005]一种直拉硅单晶的收尾方法，包括如下步骤：[0006]S1、将炉温的设置参数调大至预定的收尾温度，并控制晶体等径生长；[0007]S2、在炉温的设置参数调大后的20～30min后，控制并降低埚升为1～3mm/hr，使晶体进入第一段收尾生长；[0008]S3、在第一段收尾生长结束后，将晶体的拉速降低，同时控制坩埚静止，使晶体进入第二段收尾生长；[0009]S4、在第二段收尾生长结束后，将晶体的拉速提高到所述第一段收尾生长时晶体拉速的90％～120％，使晶体进入第三段收尾生长