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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103147061A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103147061103147061A(43)申请公布日2013.06.12(21)申请号201310092190.X(22)申请日2013.03.21(71)申请人上海理工大学地址200093上海市杨浦区军工路516号(72)发明人洪瑞金倪争技王忠坦周瑶盛斌黄元申(74)专利代理机构上海三和万国知识产权代理事务所31230代理人陈伟勇(51)Int.Cl.C23C14/58(2006.01)C23C14/35(2006.01)C23C14/08(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书3页说明书3页附图2页附图2页(54)发明名称一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法(57)摘要本发明涉及薄膜技术。一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法,包括一基片,采用基片表面作为基底层,在基底层镀上一层均匀金属锌膜层,金属锌薄膜在空气环境中通过热氧化处理,即得到氧化锌薄膜。将制备好的金属锌薄膜置于马弗炉中,在空气环境下,4-25分钟内将温度升至400-600摄氏度,对金属锌薄膜进行热处理,即可得到非晶态透明氧化锌薄膜。本发明通过调节金属锌薄膜热氧化速度和温度可以制备非晶态透明氧化锌薄膜。CN103147061ACN103476ACN103147061A权利要求书1/2页1.一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法,包括一基片,采用基片表面作为基底层,其特征在于:在基底层镀上一层均匀金属锌膜层,金属锌薄膜在空气环境中通过热氧化处理,即得到氧化锌薄膜,将制备好的金属锌薄膜置于马弗炉中,在空气环境下,4-25分钟内将温度升至400-600摄氏度,对金属锌薄膜进行热处理,即可得到非晶态透明氧化锌薄膜。2.根据权利要求1所述的一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法,其特征在于:热氧化处理中,热氧化升温速度为4-25分钟。3.根据权利要求1所述的一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法,其特征在于:金属锌薄膜的热氧化温度范围为400-600摄氏度。4.根据权利要求1所述的一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法,其特征在于:所述基片为石英、玻璃、晶体或硅片。5.根据权利要求1-4中任意一项所述的一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法,其特征在于:室温下,采用磁控反应溅射法,实验采用99.99%的金属锌作为阴极靶,阳极和真空室相连;将超声清洗后的基底装在基底夹具上,活动挡板置于基底夹具与靶之间;关好各气阀后抽真空,直至真空度达2×10-4Pa以上;通入适量氩气;调节高阀至所需工作气压;开直流电源起辉预溅射数分钟;旋转基底夹具,移开活动挡板,开始沉积薄膜;将沉积好的金属锌薄膜置于马弗炉中,在空气环境下,5分钟内将温度升至400度,对薄膜进行热处理,即可得到非晶态透明氧化锌薄膜。6.根据权利要求1-4中任意一项所述的一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法,其特征在于:室温下,采用磁控反应溅射法,实验采用99.99%的金属锌作为阴极靶,阳极和真空室相连;将超声清洗后的基底装在基底夹具上,活动挡板置于基底夹具与靶之间;关好各气阀后抽真空,直至真空度达2×10-4Pa以上;通入适量氩气;调节高阀至所需工作气压;开直流电源起辉预溅射数分钟;旋转基底夹具,移开活动挡板,开始沉积薄膜;将沉积好的金属锌薄膜至于马弗炉中,在空气环境下,10分钟内将温度升至500度,对薄膜进行热处理,即可得到非晶态透明氧化锌薄膜。7.根据权利要求1-4中任意一项所述的一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法,其特征在于:室温下,采用磁控反应溅射法,实验采用99.99%的金属锌作为阴极靶,阳极和真空室相连;将超声清洗后的基底装在基底夹具上,活动挡板置于基底夹具与靶之间;关好各气阀后抽真空,直至真空度达2×10-4Pa以上;通入适量氩气;调节高阀至所需工作气压;2CN103147061A权利要求书2/2页开直流电源起辉预溅射数分钟;旋转基底夹具,移开活动挡板,开始沉积薄膜;将沉积好的金属锌薄膜至于马弗炉中,在空气环境下,20分钟内将温度升至600度,对薄膜进行热处理,即可得到非晶态透明氧化锌薄膜。3CN103147061A说明书1/3页一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法技术领域[0001]本发明涉及薄膜技术,具体涉及一种氧化锌薄膜的制备方法。背景技术[0002]宽禁带氧化物半导体由于在可见光范围内具有高透过率和良好的导电性能,被广泛应用于太阳能电池、平板显示器、有机光发射二极管、低辐射玻璃、透明薄膜晶体管及柔性电子器件等领域,其商业化前景十分看好。传统的半导体薄膜,存在大量的晶界等缺陷,引发了诸多器件性能方面的问题。如器件稳定性降低,均匀性变差,I-V特性随时间变化显著,受力弯折后性能发生突变等,这些