一种氧化铝陶瓷基板及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103183500A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103183500103183500A(43)申请公布日2013.07.03(21)申请号201110443640.6(22)申请日2011.12.27(71)申请人比亚迪股份有限公司地址518118广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号(72)发明人徐强任永鹏林信平王书敏(51)Int.Cl.C04B35/10(2006.01)C04B35/622(2006.01)C04B35/63(2006.01)权利要求书1页权利要求书1页说明书7页说明书7页(54)发明名称一种氧化铝陶瓷基板及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种氧化铝陶瓷基板的制备方法及由该方法制备的陶瓷基板，在陶瓷基板粉料中添加第一烧结助剂和第二烧结助剂，所述第一烧结助剂为XCaO·YMgO·ZSiO2的玻璃态粉末，0.1≦X≦0.4，0.1≦Y≦0.4，0.5≦Z≦0.7，X+Y+Z=1，其中X：Y：Z为质量比；第二烧结助剂为BaO；并采用陶瓷基板生坯与表面涂敷有纳米氧化铝粉末的隔烧板隔层叠放后一起放入烧结炉中烧结的方式，所制得的氧化铝陶瓷基片体积密度大，表面平滑度好，抗击穿强度高。CN103183500ACN10385ACN103183500A权利要求书1/1页1.一种氧化铝陶瓷基板，其特征在于，所述氧化铝陶瓷基板的成分包括重量百分比90-96wt%的氧化铝和4-10wt%的第一烧结助剂，所述第一烧结助剂的成分为XCaO·YMgO·ZSiO2，0.1≦X≦0.4，0.1≦Y≦0.4，0.5≦Z≦0.7，X+Y+Z=1，其中X：Y：Z为质量比；所述氧化铝陶瓷基板体积密度大于3.7g/cm3,表面粗糙度小于0.4μm，抗击穿强度大于30KV/mm。2.根据权利要求1所述的氧化铝陶瓷基板，其特征在于，所述氧化铝陶瓷基板的成分还包括第二烧结助剂BaO，具体组分为重量百分比90-96wt%的氧化铝、3-9wt%的第一烧结助剂和0.5-1.5wt%的第二烧结助剂BaO。3.一种氧化铝陶瓷基板的制备方法，将陶瓷基板粉料与第一有机体系混合后的浆料制坯、排胶、烧结，所述陶瓷基板粉料包括氧化铝粉料和第一烧结助剂，所述第一有机体系包括溶剂、分散剂、粘结剂和增塑剂，其特征在于，所述第一烧结助剂的成分为XCaO·YMgO·ZSiO2，0.1≦X≦0.4，0.1≦Y≦0.4，0.5≦Z≦0.7，X+Y+Z=1，其中X：Y：Z为质量比，所述第一烧结助剂为玻璃态。4.根据权利要求3所述的氧化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述第一烧结助剂的粒径为1-3微米。5.根据权利要求3所述的氧化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，氧化铝陶瓷基板的成分包括重量百分比90-96wt%的氧化铝和4-10wt%的第一烧结助剂。6.根据权利要求3所述的氧化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述陶瓷基板粉料还包括第二烧结助剂，所述第二烧结助剂为BaO。7.根据权利要求6所述的氧化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，以陶瓷基板粉料的总重量为基准，所述氧化铝粉料的含量为90-96wt%，第一烧结助剂的含量为3-9wt%，BaO的含量为0.5-1.5wt%。8.根据权利要求3所述的氧化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述第一有机体系包括溶剂、分散剂、粘结剂和增塑剂；所述溶剂为乙醇和二甲苯的混合物，所述分散剂为三油酸甘油酯，蓖麻油，司盘80中的一种或几种，所述粘结剂为聚乙烯缩丁醇，增塑剂为邻苯二甲酸二乙酯、邻苯二甲酸二丁酯、聚已二醇的一种或几种。9.根据权利要求8所述的氧化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，以陶瓷基板粉料的总重量为基准，所述第一有机体系中溶剂的含量占40-50wt%，分散剂的含量占3~5wt%，粘结剂的含量占6~8wt%，增塑剂的含量占5~8wt%。10.根据权利要求3所述的氧化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述烧结方式为隔板烧结，所述隔板烧结中使用的隔烧板为表面涂敷有纳米氧化铝粉料的隔烧板。11.根据权利要求10所述的氧化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述表面涂敷有纳米氧化铝粉料的隔烧板的制备方法为将纳米氧化铝粉末与第二有机体系混合制得纳米氧化铝浆料，然后将纳米氧化铝浆料涂敷于隔烧板上并高温排胶得到表面涂敷有纳米氧化铝粉料的隔烧板。12.根据权利要求11所述的氧化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，纳米氧化铝浆料中，纳米氧化铝的总量为30-90wt%，其余为第二有机体系；所述第二有机体系包括松油醇、乙基纤维素、邻苯二甲酸二丁酯和流平剂；以第二有机体系的总重量为基准，松油醇占85-90wt%，乙基纤维素占2-5wt%，邻苯二甲酸二丁酯占6-10wt%，流平剂占0.1-0.5