直拉式单晶炉的副炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103184504A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103184504103184504A(43)申请公布日2013.07.03(21)申请号201110455233.7(22)申请日2011.12.31(71)申请人汤仁兴地址214434江苏省无锡市江阴市开发区滨江东路299号(72)发明人汤仁兴(74)专利代理机构江阴市同盛专利事务所(普通合伙)32210代理人唐纫兰曾丹(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书1页说明书1页附图1页附图1页(54)发明名称直拉式单晶炉的副炉(57)摘要本发明涉及直拉式单晶炉的副炉，属于单晶硅的生产制造设备领域。一种直拉式单晶炉的副炉，其特征在于：它包括副炉本体（1），所述副炉本体（1）包括内壁（2）和外壁（3），所述内壁（2）和外壁（3）之间设有水夹层（4），所述内壁（2）和外壁（3）的上下两端分别连有上法兰（5）和下法兰（6），外壁（3）上开设有镁棒接口（7），所述镁棒接口（7）与水夹层（4）相连通。这种直拉式单晶炉的副炉在外壁上开设了镁棒接口，镁棒接口与内壁与外壁之间的水夹层相连通，镁棒接口中插入镁棒后，将代替内壁和外壁上的铁与自来水中的氯离子发生反应，使得氯离子不会对炉壁产生腐蚀。CN103184504ACN103845ACN103184504A权利要求书1/1页1.一种直拉式单晶炉的副炉，其特征在于：它包括副炉本体（1），所述副炉本体（1）包括内壁（2）和外壁（3），所述内壁（2）和外壁（3）之间设有水夹层（4），所述内壁（2）和外壁（3）的上下两端分别连有上法兰（5）和下法兰（6），外壁（3）上开设有镁棒接口（7），所述镁棒接口（7）与水夹层（4）相连通。2CN103184504A说明书1/1页直拉式单晶炉的副炉技术领域[0001]本发明涉及直拉式单晶炉的副炉，属于单晶硅的生产制造设备领域。背景技术[0002]单晶硅作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，单晶硅的生长技术有两种：区熔法和直拉法，其中直拉法是目前普遍采用的方法。现有普遍采用的直拉单晶炉，其主要包括炉底、下炉体、上炉体、炉盖、隔离阀和副炉六大部分组成。[0003]以往的直拉式单晶炉的副炉在工作过程中处于高温状态，需要往水夹层中注水来降低炉壁的温度，从而增加副炉的使用寿命。但自来水中含有大量的氯离子，氯离子对不锈钢炉壁会产生腐蚀作用，这会缩短副体的使用寿命。发明内容[0004]本发明的目的在于克服上述不足，提供一种炉壁不易腐蚀、使用寿命较长的直拉式单晶炉的副炉。[0005]本发明的目的是这样实现的：本发明直拉式单晶炉的副炉，包括副炉本体，所述副炉本体包括内壁和外壁，所述内壁和外壁之间设有水夹层，所述内壁和外壁的上下两端分别连有上法兰和下法兰，外壁上开设有镁棒接口，所述镁棒接口与水夹层相连通。[0006]与现有技术相比，本发明的有益效果是：这种直拉式单晶炉的副炉在外壁上开设了镁棒接口，镁棒接口与内壁与外壁之间的水夹层相连通，镁棒接口中插入镁棒后，将代替内壁和外壁上的铁与自来水中的氯离子发生反应，使得氯离子不会对炉壁产生腐蚀。附图说明[0007]图1为本发明直拉式单晶炉的副炉的结构示意图。[0008]其中：副炉本体1、内壁2、外壁3、水夹层4、上法兰5、下法兰6、镁棒接口7。具体实施方式[0009]参见图1，本发明涉及一种直拉式单晶炉的副炉，它包括副炉本体1，所述副炉本体1包括内壁2和外壁3，所述内壁2和外壁3之间设有水夹层4，所述水夹层4中通入自来水用于对副炉降温，所述内壁2和外壁3的上下两端分别连有上法兰5和下法兰6，外壁3上开设有镁棒接口7，所述镁棒接口7与水夹层4相连通，镁棒接口7中插入镁棒后，将代替内壁2和外壁3上的铁与自来水中的氯离子发生反应，使得氯离子不会对炉壁产生腐蚀。3CN103184504A说明书附图1/1页图14