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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103184509A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103184509103184509A(43)申请公布日2013.07.03(21)申请号201110455273.1(22)申请日2011.12.31(71)申请人汤仁兴地址214434江苏省无锡市江阴市开发区滨江东路299号(72)发明人汤仁兴(74)专利代理机构江阴市同盛专利事务所(普通合伙)32210代理人唐纫兰曾丹(51)Int.Cl.C30B15/14(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书1页说明书1页附图1页附图1页(54)发明名称单晶炉的热屏(57)摘要本发明涉及一种单晶炉的热屏,属于单晶硅的生产制造设备技术领域。一种单晶炉的热屏,其特征在于:它内热屏层(1)和外热屏层(2),所述内热屏层(1)和外热屏层(2)之间设有保温层(3)。所述保温层(3)为软毡。这种单晶炉的热屏在内热屏层和外热屏层之间增设了保温层,该保温层的材料为软毡,其导热系数小,隔热性能好,使得内热屏层的温度不易传到外热屏层上,从而提高了热屏的保温性能,保证了单晶硅的正常生产。CN103184509ACN1038459ACN103184509A权利要求书1/1页1.一种单晶炉的热屏,其特征在于:它内热屏层(1)和外热屏层(2),所述内热屏层(1)和外热屏层(2)之间设有保温层(3)。2.根据权利要求1所述的一种单晶炉的热屏,其特征在于:所述保温层(3)为软毡。2CN103184509A说明书1/1页单晶炉的热屏技术领域[0001]本发明涉及一种单晶炉的热屏,属于单晶硅的生产制造设备技术领域。背景技术[0002]单晶硅是具有完整的点阵结构的晶体,是一种良好的半导体材料,目前被广泛用于半导体器件以及太阳能电池的制造。现有的单晶硅制造设备为单晶炉,其主要包括炉底、下炉体、上炉体、上炉盖、隔离阀和副炉六大部分组成。[0003]其中下炉体中固定有热屏,用于对放入其内部的单晶硅进行加热。热屏在加热过程中需要保持较高的温度,然而以往单晶炉热屏仅由内热屏层和外热屏层两层组成,其的保温效果较差,导致单晶硅的生产受到影响。发明内容[0004]本发明的目的在于克服上述不足,提供一种能够保证单晶硅正常生产,保温效果较好的单晶炉的热屏。[0005]本发明的目的是这样实现的:本发明单晶炉的热屏,内热屏层和外热屏层,所述内热屏层和外热屏层之间设有保温层。[0006]所述保温层为软毡。[0007]这种单晶炉的热屏具有以下优点:这种单晶炉的热屏在内热屏层和外热屏层之间增设了保温层,该保温层的材料为软毡,其导热系数小,隔热性能好,使得内热屏层的温度不易传到外热屏层上,从而提高了热屏的保温性能,保证了单晶硅的正常生产。附图说明[0008]图1为本发明单晶炉的热屏的结构示意图。[0009]图中:内热屏层1、外热屏层2、保温层3。具体实施方式[0010]参见图1,本发明涉及的一种单晶炉的热屏,包括内热屏层1和外热屏层2,所述内热屏层1和外热屏层2之间设有保温层3,该保温层3为软毡,其导热系数较低,隔热性能好,使得内热屏层1的温度不易传到外热屏层2上,从而提高了热屏的保温性能,保证了单晶硅的正常生产。3CN103184509A说明书附图1/1页图14