一种单晶炉二次加料装置以及加料方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103243381A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103243381103243381A(43)申请公布日2013.08.14(21)申请号201310193424.X(22)申请日2013.05.23(71)申请人上海九晶电子材料股份有限公司地址201617上海市松江区长塔路399号申请人九晶（雅安）电子材料有限公司(72)发明人李炜王林马鑫许雪松刘杰(74)专利代理机构上海天翔知识产权代理有限公司31224代理人吕伴(51)Int.Cl.C30B15/02(2006.01)C30B29/06(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图2页附图2页(54)发明名称一种单晶炉二次加料装置以及加料方法(57)摘要本发明涉及一种单晶炉二次加料装置以及加料方法，装置包括吊盘，吊盘的上部设置有复数个挂钩，该加料装置设置有复数套硅片料层，复数套硅片料层中最上层硅片料包括长硅片料和短硅片料，最上层硅片料之间采用采用耐高温横连接件连接，最上层硅片料与吊盘之间采用耐高温竖直连接件连接，其余层硅片料之间通过硅销连接，其余层硅片料层与层之间采用硅片料本身连接，两层硅片料之间采用硅片料中的长硅片料连接。本发明能直接使用片块状硅料、无容器污染、成本较低且操作方便，可使石英坩埚得到充分利用，并且可根据石英坩埚情况重复加料，两次加料后石英坩埚成本可降50%以上，能大幅提搞生产效率，降低生产成本且操作简单。CN103243381ACN103248ACN103243381A权利要求书1/1页1.一种单晶炉二次加料装置，其特征在于：所述加料装置包括吊盘，吊盘的上部设置有复数个挂钩，所述加料装置设置有复数套硅片料层，复数套硅片料层中最上层硅片料包括长硅片料和短硅片料，最上层硅片料之间采用采用耐高温横连接件连接，最上层硅片料与吊盘之间采用耐高温竖直连接件连接，其余层硅片料之间通过硅销连接，其余层硅片料层与层之间采用硅片料本身连接，两层硅片料之间采用硅片料中的长硅片料连接。2.根据权利要求1所述的单晶炉二次加料装置，其特征在于：硅片料的层数为两层，分别为上层和下层，上层的硅片料分为长硅片料和短硅片料，上层的硅片料和下层的硅片料通过上层的长硅片料连接，长硅片料深入下层硅片料，长硅片料靠近下层硅片料的一端穿过一根硅销，硅销两端分别连接下层硅片料中的一根，所有上层的长硅片料和短硅片料平行放置，所有上层的长硅片料和短硅片料通过一根连接钼销连接在一起，连接钼销与所有上层的长硅片料和短硅片料的位置垂直。3.根据权利要求2所述的单晶炉二次加料装置，其特征在于：下层的硅片料的长度一样长。4.根据权利要求1所述的单晶炉二次加料装置，其特征在于：硅片料的层数为大于等于三层。5.根据权利要求1所述的单晶炉二次加料装置，其特征在于：所述硅销的材料为硅。6.根据权利要求1所述的单晶炉二次加料装置，其特征在于：所述挂钩的个数为三个，三个挂钩环形分布在吊盘的周围。7.根据权利要求1所述的单晶炉二次加料装置，其特征在于：所述耐高温连接件为钼销连接件。8.一种利用权利要求1-7之一所述的单晶炉二次加料装置进行加料的方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：（1）、硅片料安装完成后首先对单晶炉副室进行抽空，真空抽至1.2-1.8kpa打开隔离阀；（2）、隔离阀打开后调整功率至化料功率并下降边皮至热屏中心位置进行预热，预热时间为8-10分钟；（3）、预热时液面上升至热屏下沿40-60mm处，预热完成后设定籽晶速度为50mm/min下降硅料至液面上方20mm处停留1-3分钟后下降硅片料至熔体内开始熔料，当加料装置的连接钼销下降至热屏下沿以上20mm处时停止下降，然后上升埚位至热屏下沿以下20mm处进行最后一次熔料。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述步骤（1）中真空抽至1.5kpa。10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述方法包括硅销使用单晶硅加工，在加料过程中全部融入原料里面。2CN103243381A说明书1/3页一种单晶炉二次加料装置以及加料方法技术领域[0001]本发明涉及一种加料装置以及加料方法，尤其涉及一种能直接使用片块状硅料、无容器污染、成本较低且操作方便的单晶炉二次加料装置以及加料方法。背景技术[0002]单晶炉是生产太阳能电池片所使用的单晶硅的生产装置。其操作流程为：装料、抽空、熔料、引晶、放肩、等径、收尾、停炉；其生产过程是在真空氩气下，在石英坩埚内填充固态硅原料后，通过加热使硅料融化，通过籽晶的旋转和液体之间的张力，并向上提升来制造单晶。目前，拉晶基本上采用一次性加料方式，即在加热前一次性地往石英坩埚内加满硅料，由于硅料的形状、大小不一，在石英坩埚内盛放硅料时会造成