晶舟自动吹扫装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103264025A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103264025103264025A(43)申请公布日2013.08.28(21)申请号201310213627.0(22)申请日2013.05.31(71)申请人上海华力微电子有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路497号(72)发明人俞玮倪立华裴雷洪(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275代理人吴世华林彦之(51)Int.Cl.B08B5/02(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图1页附图1页(54)发明名称晶舟自动吹扫装置(57)摘要本发明公开了一种晶舟自动吹扫装置，属于半导体技术领域。其设置在炉管内的装载区，具体可以包括：喷嘴、导轨和吹扫控制机构，喷嘴用于喷洒吹扫气体，以实现将晶舟槽内残留物自动清除的功能，在清除过程中，所述喷嘴可沿着所述导轨行进；所述吹扫控制结构用于控制喷嘴的吹扫状态。通过这种方案自动实现了残留物的清扫，避免了现有技术中人工进行停机、清扫等工作，从而降低了产品的生产成本，提高了产品的良率。CN103264025ACN1032645ACN103264025A权利要求书1/1页1.一种晶舟自动吹扫装置，其特征在于，设置在炉管内的装载区，包括：喷嘴、导轨和吹扫控制机构，喷嘴用于喷洒吹扫气体，以实现将晶舟槽内残留物自动清除的功能，在清除过程中，所述喷嘴可沿着所述导轨行进；所述吹扫控制结构用于控制喷嘴的吹扫状态。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述吹扫控制结构为一气缸。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述反应物为氮气。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述炉管为垂直炉管。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括驱动机构，用于接口控制信号，驱动所述喷嘴在所述导轨上行进。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述喷嘴在其工作状态下配合晶舟的旋转，完成对晶舟的全方位吹扫。7.一种炉管，其特征在于，包括权利要求1-6任一所述晶舟自动吹扫装置。2CN103264025A说明书1/3页晶舟自动吹扫装置技术领域[0001]本发明属于半导体技术领域，具体地说，涉及一种晶舟自动吹扫装置。背景技术[0002]在半导体制造工艺中，为了设置分立器件和集成电路，需要在晶圆的衬底上沉积不同种类的薄膜。而在各种沉积薄膜的方法中，低压化学气相沉积(LPCVD，LowPressureChemicalVaporDeposition)是一种常用的方法，已经被广泛应用到各种薄膜的沉积工艺中。[0003]在LPCVD工艺中，当前采用的主流设备是垂直炉管，而在炉管中，使用晶舟来进行硅片传送、清洗及加工的承载工具。半导体工艺中，一般晶舟有两种材质，一是石英/碳化硅，另一是特氟龙。石英/碳化硅晶舟用在温度较高（大于300℃）的场合，如炉管工艺。而特氟龙晶舟则用在传送或酸处理的场合。[0004]目前，在炉管工艺中，由于硅片与晶舟的硅片支撑脚的材质不同，其在高温下的热膨胀率不同。因此，在升降温过程中，硅片与晶舟的硅片支撑脚处的膜容易产生剥落，导致硅片在晶舟的硅片支撑脚位置的颗粒不断积累，影响产品良率。如果不及时吹扫晶舟槽内的颗粒（剥落的膜），会对后续再进管的产品产生不良影响。目前的晶舟槽内的颗粒的清除手法主要依赖于工程师手动将晶舟搬走，之后，后用氮气枪吹扫，然后再安装回炉管内，并进行机械手传送校正确认。但是，这种方式依赖于手工，在吹扫的过程中，设备必须停机时间，而且还需要人为搬送石英件。因此，导致产品的生产成本较高，产品的良率较低。发明内容[0005]本发明所要解决的技术问题是提供一种晶舟自动吹扫装置，用以实现线性和分布式控制。[0006]为解决上述技术问题，本发明提供了一种晶舟自动吹扫装置，其设置在炉管内的装载区，包括：喷嘴、导轨和吹扫控制机构，喷嘴用于喷洒吹扫气体，以实现将晶舟槽内残留物自动清除的功能，在清除过程中，所述喷嘴可沿着所述导轨行进；所述吹扫控制结构用于控制喷嘴的吹扫状态。[0007]优选地，在本发明的一实施例中，所述吹扫控制结构为一气缸。[0008]优选地，在本发明的一实施例中，所述反应物为氮气。[0009]优选地，在本发明的一实施例中，所述炉管为垂直炉管。[0010]优选地，在本发明的一实施例中，还可以包括驱动机构，用于接口控制信号，驱动所述喷嘴在所述导轨上行进。[0011]优选地，在本发明的一实施例中，所述喷嘴在其工作状态下配合晶舟的旋转，完成对晶舟的全方位吹扫。[0012]为解决上述技术问题，本发明提供了一种炉管，其包括上述任一晶舟自动吹扫装置。3CN103264025A说明书2/3页[0013]本发