等离子体发生装置、以及蒸镀装置和蒸镀方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103597913103597913A(43)申请公布日2014.02.19(21)申请号201380001628.7(51)Int.Cl.(22)申请日2013.02.27H05H1/50(2006.01)C23C14/32(2006.01)(30)优先权数据C23C14/48(2006.01)2012-0885472012.04.09JP(85)PCT国际申请进入国家阶段日2013.12.09(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2013/0552302013.02.27(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/153864JA2013.10.17(71)申请人中外炉工业株式会社地址日本大阪府(72)发明人古屋英二赤野真也(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人张鑫权权利要求书1页利要求书1页说明书5页说明书5页附图2页附图2页按照条约第19条修改的权利要求书1页按照条约第19条修改的权利要求书1页(54)发明名称等离子体发生装置、以及蒸镀装置和蒸镀方法(57)摘要本发明提供一种能够形成适用于等离子体辅助法的等离子体的等离子体发生装置。该等离子体发生装置的特征在于，包括：腔室（2）；等离子体枪（3），该等离子体枪（3）设置成朝向腔室（2）的内部，且具有放出电子的阴极（7）、和形成对阴极（7）所放出的电子进行引导的磁通的收束线圈（11）；以及辅助磁铁（4），该辅助磁铁（4）在腔室（2）的内部形成磁通，而且，对收束线圈（11）施加使磁通的方向发生变动的励磁电流。CN103597913ACN103597ACN103597913A权利要求书1/1页1.一种等离子体发生装置，其特征在于，包括：腔室；等离子体枪，该等离子体枪设置成朝向所述腔室的内部，且具有放出电子的阴极、和形成对所述阴极所放出的电子进行引导的磁通的收束线圈；以及辅助磁铁，该辅助磁铁在所述腔室内形成磁通，对所述收束线圈施加使磁通的方向发生变动的励磁电流。2.如权利要求1所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述等离子体枪是在所述阴极与所述收束线圈之间设有第一电极及第二电极的压力梯度型等离子体枪，所述第二电极在内部配置有电极内线圈，对所述电极内线圈施加与所述励磁电流同步地发生变动的极内电流。3.如权利要求2所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述励磁电流与所述极内电流具有同相位的周期相似的波形，使所述励磁线圈与所述电极内线圈形成相同极性的磁通。4.如权利要求1至3的任一项所述的等离子体发生装置，其特征在于，将所述辅助磁铁设置在所述腔室的与所述等离子体枪相反一侧的外侧，并使磁极的方向与所述等离子体枪的轴相交。5.一种蒸镀装置，其特征在于，具备权利要求1至4中的任一项所述的等离子体发生装置。6.一种蒸镀装置，通过向保持被蒸镀物体的腔室内放出电子，由此来形成等离子体并进行蒸镀，其特征在于，在对所述腔室内放出的电子进行引导的磁通的路径发生变化的同时进行蒸镀。7.一种蒸镀方法，其特征在于，通过向保持被蒸镀物体的腔室内放出电子来形成等离子体，并在对所述腔室内放出的电子进行引导的磁通的路径发生变化的同时进行蒸镀。2CN103597913A说明书1/5页等离子体发生装置、以及蒸镀装置和蒸镀方法技术领域[0001]本发明涉及等离子体发生装置、以及蒸镀装置和蒸镀方法。背景技术[0002]已知有采用形成等离子体来促进蒸镀这一等离子体辅助法的蒸镀装置。在采用等离子体辅助法的情况下，若将玻璃基板等被蒸镀物体放置在等离子体附近，则会导致被蒸镀物体过热而在其表面发生离子溅射，导致在由蒸镀所形成的膜中产生缺陷。[0003]等离子体枪通常具有收束线圈，用于形成对所放出的电子进行引导的磁通。因此，在专利文献1和专利文献2所记载的蒸镀装置中，用磁铁使收束线圈所形成的磁通弯曲，或者形成弯曲的合成磁场，从而在蒸镀原料的坩锅附近形成等离子体。然而，如果被蒸镀物体与等离子体之间的距离变大，则导致导致蒸发的原料的活性降低，以使成膜质量变差。现有专利文献专利文献[0004]专利文献1：日本专利特开平7-76770号公报专利文献2：日本专利特开2001-295031号公报发明内容发明所要解决的问题[0005]鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种能够形成适合于等离子体辅助法的等离子体的等离子体发生装置、以及利用等离子体辅助法能够高质量地成膜而不会在蒸镀膜中产生缺陷的蒸镀装置和蒸镀方法。解决问题的技术方案[0006]为了解决上述问题，本发明的等离子体发生装置包括：腔室；等离子体枪，该等离子体枪设置成面向所述腔室的内部，且具有放出电子的阴极、和形成对所述阴极放出的电子进行引导的磁通的收束线圈；以及辅