一种大面积单层和几层二硒化钼单晶片的制备方法.pdf
猫巷****觅蓉
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一种大面积单层和几层二硒化钼单晶片的制备方法.pdf
本发明公开了一种大面积单层和多层二硒化钼单晶片的制备方法,该方法包括如下步骤:1)衬底的清洗;2)将衬底、三氧化钼粉末和硒粉放入反应炉中;3)给反应炉内抽真空,充入不活泼气体;4)反应炉内升温、反应、自然降温;取出衬底,衬底上得到大面积反应产物。该法操作简单、重复性高、可控性强,制备出的MoSe2具有面积大、均匀性好、质量高等优点,在太阳能电池、场效应晶体管、光催化制氢等领域中具有重要的研究价值和广泛的应用前景。
制备大面积单层二硒化钨单晶的方法.pdf
本发明公开了一种制备大面积单层二硒化钨单晶的方法,主要解决了传统制备方法工艺较复杂,可控性差的问题,其实施步骤为:1.选用衬底并进行RCA标准清洗,选取两片衬底依次用去离子水、丙酮和异丙醇超声清洗5分钟,吹干;2.将清洗后的衬底置于管式炉内,准备两只石英舟分别作为钨舟和硒舟,将NaCl溶液滴在第一片衬底前端后在热板上加热至去离子水完全气化;在第一片衬底盛放WO
一种单层硫硒化钼合金组份可调的制备方法.pdf
本发明公开了一种单层硫硒化钼合金组份可调的制备方法,采用钼箔、硫粉和硒粉作为生长源,溴化钠作为生长促进剂,通过一种面对面的短程垂直近稳态供源方式,借助氧气辅助生长制备出高质量、组分可调的单层硫硒化钼连续薄膜。本发明所述对钼箔进行表面盐浴处理,能够降低了钼源升华温度,有利于硫硒化钼的成核和二维生长;在生长中引入氧气,通过面对面的短程垂直近稳态供源方式能够控制硫硒化钼成核密度、单晶畴分布及其尺寸。该制备方法具有操作简单、反应条件温和、可控性好、重复性高,由该方法制得的单层硫硒化钼材料晶体质量高,其合金组分比和
制备大面积不同层数二维二硒化钼薄膜的方法和应用.pdf
本发明公开了一种制备大面积不同层数二维二硒化钼薄膜的方法和应用,方法包括以下步骤:将三氧化钼和氯化钠混合均匀,得到混合粉末,在炉体内,将单面抛光的二氧化硅基片设置在混合粉末的上方且二氧化硅基片的抛光面朝下,将硒粉置于炉体中,在惰性气体下对硒粉和混合粉末分别进行加热10~15min,冷却至室温,在二氧化硅基片表面得到不同层数的二维二硒化钼薄膜,本发明通过化学气相沉积法制备高质量的单层或多层二硒化钼薄膜。本发明的方法简单、快速、清洁、成本低,可控制等优点,制备出的二维二硒化钼薄膜面积较大,多层尺寸约为5cm,
一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的制备方法.pdf
本发明公开了一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的制备方法,其主要步骤为:1)将硫粉末和三氧化钼粉末分别装入两个石英舟中,将衬底放置于盛有三氧化钼粉末的石英舟上,正面朝下;2)将盛有硫粉末和三氧化钼粉末的两个石英舟分别放置于一根石英试管的底端和管口处;3)?将上述石英试管放置于管式炉中,试管底端和管口分别处于管式炉的边缘区和中心区;4)向管式炉中通入保护气体氩气或氮气,且保持常压,直至实验结束;5)以一定的升温速率升温管式炉,使管式炉的边缘区和中心区分别处于适当温度,并保持一段时间,硫粉末升华后与气相三氧化钼