单晶炉的加料方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103643286103643286A(43)申请公布日2014.03.19(21)申请号201310681632.4(22)申请日2013.12.13(71)申请人英利集团有限公司地址071051河北省保定市朝阳北大街3399号(72)发明人乔松(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240代理人吴贵明张永明(51)Int.Cl.C30B15/02(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图1页附图1页(54)发明名称单晶炉的加料方法(57)摘要本发明提供了一种单晶炉的加料方法，包括：在熔硅的液面的局部生成结晶层；向结晶层上投放硅料。本发明通过在单晶炉中的熔硅的液面的局部生成结晶层，并将硅料投放在该结晶层上，可以有效地解决现有技术中的往单晶炉中投料时容易出现溅料的问题。CN103643286ACN1036428ACN103643286A权利要求书1/1页1.一种单晶炉的加料方法，其特征在于，包括：在熔硅的液面的局部生成结晶层；向所述结晶层上投放硅料。2.根据权利要求1所述的单晶炉的加料方法，其特征在于，在生成所述结晶层前，所述单晶炉的加料方法还包括：向所述熔硅中投放硅料。3.根据权利要求2所述的单晶炉的加料方法，其特征在于，向所述熔硅中投放硅料的速度小于10kg/h。4.根据权利要求2所述的单晶炉的加料方法，其特征在于，向所述熔硅中投放硅料之前，提升已经拉制好的硅棒。5.根据权利要求4所述的单晶炉的加料方法，其特征在于，所述硅棒的提升速度为4mm/s至5mm/s。6.根据权利要求4所述的单晶炉的加料方法，其特征在于，当将所述硅棒提升100mm后，再向所述熔硅中投放所述硅料。7.根据权利要求1所述的单晶炉的加料方法，其特征在于，向所述结晶层上投放硅料的速度为20kg/h至40kg/h。8.根据权利要求2所述的单晶炉的加料方法，其特征在于，在向所述熔硅中投放硅料之前，所述单晶炉的加料方法还包括：调整所述液面与所述单晶炉的导流筒的下端的距离为40mm至60mm；调整所述单晶炉的加热器的功率为60kw至75kw。9.根据权利要求1所述单晶炉的加料方法，其特征在于，在生成所述结晶层后，所述单晶炉的加料方法还包括：控制所述单晶炉的坩埚以0.01mm/s至0.04mm/s的速度下降；调整所述单晶炉的加热器的功率为80kw至95kw。10.根据权利要求1所述单晶炉的加料方法，其特征在于，在所述硅料的投放过程中，所述单晶炉的加料方法还包括：向所述单晶炉的坩埚内通入工艺气体。11.根据权利要求10所述单晶炉的加料方法，其特征在于，所述工艺气体的流量为0.5l/s至2l/s，所述工艺气体的压力为2000Pa至4000Pa。12.根据权利要求1所述单晶炉的加料方法，其特征在于，在投放所述硅料过程中，所述单晶炉的加料方法还包括：以0.03转/s至0.1转/s的速度转动坩埚。2CN103643286A说明书1/3页单晶炉的加料方法技术领域[0001]本发明涉及单晶炉加工领域，更具体地，涉及一种单晶炉的加料方法。背景技术[0002]目前，在单晶炉中拉制硅棒的步骤主要包括装料、抽空、熔料、稳定化、引晶、放肩、等径、收尾环节。由于，单晶炉中能够容纳的硅料的量是固定的，一般在120kg至150kg的范围内，于是，为了进一步增加投料重量，需要采用多次加料技术。多次加料技术的基本步骤包括装料、抽空、熔料、稳定化、引晶、放肩、等径、收尾、再投料，之后重复拉制过程，通过该技术可以实现单晶炉的投料量的大幅增加。[0003]然而，由于单晶炉的坩埚内存在熔硅，于是，当向单晶炉的坩埚中添加硅料时，容易出现溅料的情况。溅料的发生不仅会影响硅棒的拉制，还会降低单晶炉热场的使用寿命。发明内容[0004]本发明旨在提供一种单晶炉的加料方法，以解决现有技术的向单晶炉中加料时容易出现溅料的问题。[0005]为解决上述技术问题，本发明提供了一种单晶炉的加料方法，包括：在熔硅的液面的局部生成结晶层；向结晶层上投放硅料。[0006]进一步地，在生成结晶层前，单晶炉的加料方法还包括：向熔硅中投放硅料。[0007]进一步地，向熔硅中投放硅料的速度小于10kg/h。[0008]进一步地，向熔硅中投放硅料之前，提升已经拉制好的硅棒。[0009]进一步地，硅棒的提升速度为4mm/s至5mm/s。[0010]进一步地，当将硅棒提升100mm后，再向熔硅中投放硅料。[0011]进一步地，向结晶层上投放硅料的速度为20kg/h至40kg/h。[0012]进一步地，在向熔硅中投放硅料之前，单晶炉的加料方法还包括：调整液面与单晶炉的导流筒的下端的距离为40mm至60mm；调