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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103643291103643291A(43)申请公布日2014.03.19(21)申请号201310597534.2C04B35/48(2006.01)(22)申请日2013.11.23(71)申请人中山兆龙光电科技有限公司地址528400广东省中山市火炬开发区中山港逸灵路1号A栋2区(72)发明人李海瑞翟剑庞黄镜蓁潘丽青刘凯歌(74)专利代理机构中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙)44286代理人吴剑锋(51)Int.Cl.C30B29/20(2006.01)C30B17/00(2006.01)C23C14/18(2006.01)C23C14/35(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书4页说明书4页附图2页附图2页(54)发明名称一种单晶炉隔热屏及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种单晶炉隔热屏及其制备方法,单晶炉隔热屏包括炉体,在炉体内设有氧化锆陶瓷保温桶,在保温桶内壁上镀有纳米钨薄膜层,在氧化锆陶瓷保温桶外壁上设有薄壁钼质圆筒。制备方法:采用氧化锆粉体掺杂3%Y2O3粉体制备弧形氧化锆陶瓷砖;采用氩气作为工作气体,在磁控溅射室内,直流溅射纯度为99.99%的片状钨靶材,在经处理的弧形氧化锆陶瓷砖内壁上溅射一纳米钨薄膜层;采用镀有纳米钨薄膜层的弧形氧化锆陶瓷砖在炉体内堆砌出圆筒形氧化锆陶瓷保温桶;在氧化锆陶瓷保温桶外侧设置薄壁钼质圆筒。本发明的目的提供一种结构简单,价格低廉,性能稳定,能有效保证蓝宝石单晶生长所需良好保温性能的单晶炉隔热屏及制备方法。CN103643291ACN1036429ACN103643291A权利要求书1/1页1.一种单晶炉隔热屏,包括炉体(1),其特征在于:在所述炉体(1)内设有氧化锆陶瓷保温桶(2),在所述的保温桶(2)内壁上镀有纳米钨薄膜层(3),在所述氧化锆陶瓷保温桶(2)外壁上设有薄壁钼质圆筒(4)。2.根据权利要求1所述的一种单晶炉隔热屏,其特征在于所述的氧化锆陶瓷保温桶(2)由若干个弧形氧化锆陶瓷砖(5)堆砌而成。3.根据权利要求2所述的一种单晶炉隔热屏,其特征在于所述的弧形氧化锆陶瓷砖(5)由氧化锆粉体掺杂3%Y2O3粉体压制成型后高温烧结而成。4.根据权利要求2所述的一种单晶炉隔热屏,其特征在于所述的弧形氧化锆陶瓷砖(5)的厚度为40-60mm。5.根据权利要求1所述的一种单晶炉隔热屏,其特征在于所述的纳米钨薄膜层(3)通过磁控溅射的方法镀在保温桶(2)内壁上。6.根据权利要求3所述的一种单晶炉隔热屏,其特征在于所述弧形氧化锆陶瓷砖(5)的表面光洁度达到1级以上。7.根据权利要求1或5所述的一种单晶炉隔热屏,其特征在于所述纳米钨薄膜层(3)的厚度为80-500nm。8.一种权利要求1所述单晶炉隔热屏的制备方法,其特征在于包括以下步骤:A、制备弧形氧化锆陶瓷砖采用氧化锆粉体掺杂3%Y2O3粉体压制成型后高温烧结定型;B、弧形氧化锆陶瓷砖镀膜采用氩气作为工作气体,在磁控溅射室内,直流溅射纯度为99.99%的片状钨靶材,在经处理的弧形氧化锆陶瓷砖内壁上溅射一纳米钨薄膜层(3);C、氧化锆陶瓷保温桶的制作采用步骤B中镀有纳米钨薄膜层(3)的弧形氧化锆陶瓷砖在炉体(1)内堆砌出圆筒形氧化锆陶瓷保温桶(2);D、在步骤C中的氧化锆陶瓷保温桶外侧设置薄壁钼质圆筒(4)。9.根据权利要求8所述单晶炉隔热屏的制备方法,其特征在于步骤B中所述弧形氧化锆陶瓷砖的处理方法:在丙酮中浸泡30分钟,然后用酒精和超纯水洗净晾干。10.根据权利要求8所述单晶炉隔热屏的制备方法,其特征在于步骤B中所述磁控溅射室真空度高为3.0×10-5Pa,工作气体氩气的纯度为99.99%,溅射气压是1.2Pa,溅射功率为150w,靶材到衬底的距离45mm,退火温度不低于350℃,退火时间1至3h。2CN103643291A说明书1/4页一种单晶炉隔热屏及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种单晶炉隔热屏,特别涉及一种用于泡生法蓝宝石单晶炉的隔热屏,本发明还涉及一种制备上述单晶炉隔热屏的方法。背景技术[0002]蓝宝石α-Al2O3又称白宝石,具有良好的光学、机械、化学和电性能,被广泛应用于各个生产领域及LED、军事工业中。[0003]蓝宝石衬底占据了LED衬底的92%市场份额,而蓝宝石单晶炉是生长晶体的重要设备,其温场的设计与改造直接影响着蓝宝石晶体的质量及成本。隔热屏是蓝宝石单晶炉中的隔热保温最重要的装置,用以保障炉内热场的温度均匀性,提高热能利用率。由于蓝宝石单晶体必须在高温约2050℃条件下缓慢生长而成,高温使得炉内的热场容易氧化变形,因此,抗氧化与保温性能直接决定着温场的寿命及成本的降低,因此在蓝宝