一种单晶炉碳/碳复合材料隔热屏及其制备方法.pdf
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一种单晶炉碳/碳复合材料隔热屏及其制备方法.pdf
本发明提供一种多晶硅还原炉用碳/碳材料隔热屏,具体公开了一种单晶炉碳/碳复合材料隔热屏及其制备方法。此隔热屏结构为拼接结构,包括屏上圈与屏下圈及碳条,屏上圈与下圈之间用一定宽度的碳条与碳螺钉,组合拼装成一个近似于圆的多边形;根据所需隔热屏的外径,内径及高度尺寸,确定上圈及下圈的规格,其中上圈及下圈的内径设计为隔热屏的内径,其外径为内径尺寸加10~40mm;高度一般设计为10~50mm,且在上圈下部及下圈上部为台阶面,上面根据圆周尺寸均布一定数量的螺纹孔,螺纹孔规格为M5~M24,孔间距为孔径的2~4倍;碳
一种碳/碳多晶硅氢化炉隔热屏及其制备方法.pdf
一种碳/碳多晶硅氢化炉隔热屏及其制备方法,该碳/碳多晶硅氢化炉隔热屏本体为“三明治夹心”结构,外表层和内表层由密度大于或等于1.2g/cm3的三维整体针刺炭毡或炭布增密而成,中间层由密度小于或等于0.25g/cm3的炭毡增密而成,隔热屏本体表面被覆有碳化硅防护层。其制备方法包括以下步骤:(1)按照设计要求制造隔热屏钢质胎膜;(2)隔热屏本体毛坯制备;(3)固化处理;(4)炭化处理;(5)脱钢质胎膜;(6)CVD增密处理;(7)对隔热屏两端进行机加工;(8)碳化硅防护层被覆;(9)高温纯化处理。本发明之碳/
一种单晶炉隔热屏及其制备方法.pdf
本发明公开了一种单晶炉隔热屏及其制备方法,单晶炉隔热屏包括炉体,在炉体内设有氧化锆陶瓷保温桶,在保温桶内壁上镀有纳米钨薄膜层,在氧化锆陶瓷保温桶外壁上设有薄壁钼质圆筒。制备方法:采用氧化锆粉体掺杂3%Y2O3粉体制备弧形氧化锆陶瓷砖;采用氩气作为工作气体,在磁控溅射室内,直流溅射纯度为99.99%的片状钨靶材,在经处理的弧形氧化锆陶瓷砖内壁上溅射一纳米钨薄膜层;采用镀有纳米钨薄膜层的弧形氧化锆陶瓷砖在炉体内堆砌出圆筒形氧化锆陶瓷保温桶;在氧化锆陶瓷保温桶外侧设置薄壁钼质圆筒。本发明的目的提供一种结构简单,
直拉单晶炉及用于直拉单晶炉的碳碳复合材料的加工方法.pdf
本发明公开了一种用于直拉单晶炉的碳碳复合材料的加工方法,首先利用碳纤维加工成预制体,再在化学沉积炉中将所述预制体加热至1050°C-1150°C,并通入丙烷气体,所述丙烷气体在高温下分解生成碳,所述碳沉积在所述预制体中,将致密后的所述预制体放在石墨化炉中,加热至2300°C-2800°C,并保持2-4小时后冷却形成碳碳复合材料。本发明还公开了一种直拉单晶炉,包括由所述碳碳复合材料加工而成的加热器,所述加热器的密度≥1.8g/cm3。本发明所提供的碳碳复合材料的加工方法采用化学气相沉积炉对预制体进行致密化处
碳/碳复合材料坩埚及其制备方法、晶体生长炉.pdf
本发明提供了一种碳/碳复合材料坩埚及其制备方法、晶体生长炉,其中坩埚包括坩埚体;坩埚体具有用于置物的腔体,坩埚体的侧壁包括表层和里层,表层包裹于所述里层的外部,表层和所述里层的材质均为碳/碳复合材料;坩埚体的侧壁厚度沿坩埚体的轴向自腔体的底部至腔体的敞口处的方向上逐渐增大;里层的密度小于表层的密度,且里层的厚度沿坩埚体的轴向自腔体的底部至腔体的敞口处的方向上逐渐增大,而表层的厚度保持不变。该碳/碳复合材料坩埚自身具有轴向温度梯度设计,无需通过加热装置的结构设计来产生轴向温度梯度,可简化加热装置的结构,且可