一种触摸屏用ITO靶材的生产方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CN103693945B(45)授权公告日(45)授权公告日2015.02.25(21)申请号201210366657.0CN1326909A,2001.12.19,全文.CN1453392A,2003.11.05,全文.(22)申请日2012.09.28US5660599A,1997.08.26,全文.(73)专利权人柳州华锡铟锡材料有限公司审查员汪强虹地址545006广西壮族自治区柳州市阳和工业新区古亭大道北段(72)发明人阮敦邵熊爱臣赵明勇徐灿辉(74)专利代理机构柳州市荣久专利商标事务所(普通合伙)45113代理人周小芹(51)Int.Cl.C04B35/01(2006.01)C04B35/622(2006.01)(56)对比文件DE4438323C1,1995.07.27,全文.CN101407904A,2009.04.15,说明书倒数第2段-第1段.CN101575203A,2009.11.11,全文.权利要求书1页说明书5页(54)发明名称一种触摸屏用ITO靶材的生产方法(57)摘要一种触摸屏用ITO靶材的生产方法，涉及一种ITO靶材的生产方法，以4N级（99.99%）铟锭和分析纯级结晶四氯化锡为原料，按配比计算出需要的用量，通过化学共沉淀、脱水、煅烧及球磨的现有工序制备In2O3:SnO2=97:3（wt%）、纯度≥99.99%、粒度为0.6～1.0µm的ITO粉；再对ITO粉经冷压成型为冷压坯；再将冷压坯装在石墨模具内置于真空-气氛热压烧结炉中烧结，得到ITO靶材，本发明制备的ITO靶材完整致密无内部裂纹，本发明方法简单，便于推广使用。CN103693945BCN103693945B权利要求书1/1页1.一种触摸屏用ITO靶材的生产方法，其特征在于：包括下述步骤：A.制备ITO粉：以铟锭和四氯化锡为原料，通过化学共沉淀、脱水、煅烧及球磨的工序制备得到重量百分比In2O3:SnO2=97:3、纯度≥99.99%、粒度为0.6～1.0µm的ITO粉；其中，所述的铟锭为4N级铟锭，所述的四氯化锡为分析纯级结晶四氯化锡；B.制备冷压坯：将上述步骤A中所得的ITO粉经44～50MPa压力下冷压成型为冷压坯；C.制备ITO靶材：将上述步骤B中所得到的冷压坯装在石墨模具内置于真空-气氛热压烧结炉中烧结，制得ITO靶材，其中，烧结时真空-气氛热压烧结炉内的真空度为1.0×10-1Pa以上；步骤C中所述的烧结的具体方法为：a.以3～6℃/min的升温速率将温度升至400～550℃，保温5～10小时；b.以3～6℃/min的升温速率将温度升至750～900℃，保温3～7小时；c.以3～6℃/min的升温速率将温度升至1000～1200℃，保温8～12小时后，降至室温即得到ITO靶材，降温速率为10～80℃/h。2.根据权利要求1所述的一种触摸屏用ITO靶材的生产方法，其特征在于：在烧结过程中，真空-气氛热压烧结炉需要对石墨模具内的冷压坯施加压力，所施加的压力为：（1）从开始升温至温度到达1000～1200℃前，压力在10～60min内升至3～5t并保持，直到温度到达1000～1200℃时；（2）当温度到达1000～1200℃后，压力在40～100min内升压至200t～250t并保压到温度降至800～600℃时为止；（3）当温度降到800～600℃后，压力以10～80t/h的速度卸压并自然降温，降至室温时即可出炉，得到ITO靶材。3.根据权利要求1所述的一种触摸屏用ITO靶材的生产方法，其特征在于：步骤C中烧结时真空-气氛热压烧结炉内的真空度为1.0×10-1～1.0×10-2Pa。2CN103693945B说明书1/5页一种触摸屏用ITO靶材的生产方法技术领域[0001]本发明涉及一种ITO靶材的生产方法，特别是一种触摸屏用ITO靶材的生产方法。背景技术[0002]ITO薄膜是所有电阻技术触摸屏及电容技术触摸屏都用到的主要透明导电涂层材料，以ITO靶材作为靶极材料采取磁控溅射的方法可制备ITO薄膜。目前国内生产的ITO靶材主要应用于TN-LCDITO导电玻璃和冰箱、冰柜ITO导电玻璃用的中低端市场，触摸屏用ITO靶材产业还基本处于起步阶段。[0003]现行公开的ITO靶材的生产方法主要有热压烧结法、热等静压法和冷等静压烧结法等，其中生产ITO靶材用的ITO粉中的In2O3和SnO2化学配比比较单一，一般均为90:10，随着社会的发展，这种单一的成分配比已经无法满足客户的需求，特别是在实际生产中，需要采用In2O3和SnO2化学配比高的ITO靶材才能满足市场的需求，国内触摸屏用ITO靶材客户的需求均为In2O3和SnO2化学配比