一种MOCVD设备的加热系统及MOCVD设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113846374A(43)申请公布日2021.12.28(21)申请号202111427462.8(22)申请日2021.11.29(71)申请人山西中科潞安紫外光电科技有限公司地址047500山西省长治市高新区漳泽新型工业园区(72)发明人宋涛朱金华李辉周国军张超(74)专利代理机构北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390代理人申龙华(51)Int.Cl.C30B25/02(2006.01)C30B25/10(2006.01)C30B25/12(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种MOCVD设备的加热系统及MOCVD设备(57)摘要本发明涉及一种MOCVD设备的加热系统及MOCVD设备，所述加热系统包括加热盘（2）、热辐射防护组件、陶瓷支撑组件、导电组件和绝缘支撑筒（6），热辐射防护组件包括基板（4）和设置在基板（4）上的反射板（3），加热盘（2）通过陶瓷支撑组件支撑在反射板（3）的上方，导电组件包括导电支撑板（5）、铜排（7）和电极（8），铜排（7）与电极（8）相连且电极（8）的上端与导电支撑板（5）相连，基板（4）通过绝缘支撑筒（6）支撑在导电支撑板（5）的上方，导电支撑板（5）通过穿过基板（4）和反射板（3）的接线柱与加热盘（2）相连。其能够满足MOCVD设备对加热系统的要求，实现其温场均匀、稳定的目标。CN113846374ACN113846374A权利要求书1/1页1.一种MOCVD设备的加热系统，其包括加热盘（2），其特征在于，还包括热辐射防护组件、陶瓷支撑组件、导电组件和绝缘支撑筒（6），所述热辐射防护组件包括基板（4）和设置在所述基板（4）上的反射板（3），所述加热盘（2）通过所述陶瓷支撑组件支撑在所述反射板（3）的上方，所述导电组件包括导电支撑板（5）、铜排（7）和电极（8），所述铜排（7）与所述电极（8）相连且所述电极（8）的上端与所述导电支撑板（5）相连，所述基板（4）通过所述绝缘支撑筒（6）支撑在所述导电支撑板（5）的上方，所述导电支撑板（5）通过穿过所述基板（4）和反射板（3）的接线柱与所述加热盘（2）相连。2.根据权利要求1所述的MOCVD设备的加热系统，其特征在于，所述基板（4）上设置有四层所述反射板（3）。3.根据权利要求1所述的MOCVD设备的加热系统，其特征在于，所述热辐射防护组件还包括隔热筒（1），所述隔热筒（1）从所述加热盘（2）的周围包裹住所述加热盘（2）。4.根据权利要求1所述的MOCVD设备的加热系统，其特征在于，进一步包括水冷组件，所述水冷组件用于给所述电极（8）降温。5.根据权利要求4所述的MOCVD设备的加热系统，其特征在于，所述水冷组件包括水嘴（9）和水管（10），所述水嘴（9）安装在所述电极（8）的下端，所述水管（10）与所述水嘴（9）相连。6.根据权利要求1所述的MOCVD设备的加热系统，其特征在于，所述陶瓷支撑组件包括陶瓷支撑丝（11）和支撑所述陶瓷支撑丝（11）的陶瓷支撑杆（12），所述陶瓷支撑杆（12）安装在所述反射板（3）和基板（4）中，所述陶瓷支撑丝（11）安装在所述陶瓷支撑杆（12）的上端且位于所述反射板（3）的上方。7.根据权利要求6所述的MOCVD设备的加热系统，其特征在于，所述陶瓷支撑丝（11）设计成n型且其两端分别与一根所述陶瓷支撑杆（12）的上端相连。8.根据权利要求7所述的MOCVD设备的加热系统，其特征在于，所述陶瓷支撑组件还包括陶瓷支撑板（13），所述陶瓷支撑板（13）安装在两根所述陶瓷支撑杆（12）的上端并且所述陶瓷支撑丝（11）的两端分别连接在所述陶瓷支撑板（13）上。9.根据权利要求8所述的MOCVD设备的加热系统，其特征在于，所述陶瓷支撑丝（11）、陶瓷支撑杆（12）和陶瓷支撑板（13）均由氮化硼制成。10.根据权利要求1所述的MOCVD设备的加热系统，其特征在于，所述加热盘（2）包括内加热盘和围绕所述内加热盘的外加热盘。11.一种MOCVD设备，其特征在于，具有权利要求1‑10中任一项所述的加热系统。2CN113846374A说明书1/4页一种MOCVD设备的加热系统及MOCVD设备技术领域[0001]本发明属于气相沉积设备技术领域，涉及一种MOCVD设备的加热系统及MOCVD设备。背景技术[0002]金属有机物化学气相沉积（MOCVD）是一种制备化合物半导体薄层单晶膜的方法。MOCVD工艺是将稀释于载气的III、II族金属化合物以及V、VI族氢化物导入腔体，在被加热的衬底表面发生热分解等一系列反应，反应的产物在衬底的表面沉积成所需的晶体薄膜。MOCVD设备是集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、热学、