一种多晶硅铸锭的制备方法.pdf

本发明涉及一种多晶硅铸锭的制备方法，其中，包括如下步骤：向铸锭炉内加入硅原料后，持续抽真空第一预设时间，直至炉内的气压为第一预设气压；继续加热第二预设时间，直至炉内温度为第一预设温度；将炉内温度升高至第二预设温度，气压回升至第二预设气压，进行熔化作业第三预设时间；向炉内通入含氢纯化物，并将炉内的温度设为第三预设温度，进行长晶作业第四预设时间；继续通入所述含氢纯化物，将炉内的温度设为第四预设温度，进行退火作业第五预设时间；将炉内温度冷却至第五预设温度，将炉内压力回升至第三预设气压后，取出炉内成品以得到所述多

2023-06-17

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一种多晶硅铸锭的制备方法.pdf

本发明涉及一种多晶硅铸锭的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)在去离子水中加入粘结剂、分散剂和纯度大于99.9％、粒径为1～5000μm的硅颗粒，搅拌均匀得到浆料，其中硅颗粒占浆料的质量百分数不低于50％；(2)在内表面设有氮化硅涂层的石英坩埚内，将所述浆料喷涂、辊涂或刷涂在氮化硅涂层表面，形成1～10mm的浆料层，干燥得到硅涂层坩埚；(3)将所述硅涂层坩埚装上硅料，送入多晶硅铸锭炉，经抽真空后，对硅料加热，硅料全部熔化后，使硅料熔液降温进行多晶硅生长，多晶硅生长完成后，经退火冷却得到多晶硅铸锭。将本发明

2023-06-19

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一种高效多晶硅铸锭的制备方法.pdf

本发明公开了一种高效多晶硅铸锭的制备方法，该制备方法使用DSS炉，所述DSS炉包括坩埚、加热器、隔热笼、控温热电偶TC1和测温热电偶TC2，包括以下步骤：(1)当硅料进入熔化阶段时，打开隔热笼，保持隔热笼的开度为5-40mm，控制控温热电偶TC1的温度为1530-1560℃；(2)当坩埚底部未熔化的硅料厚度为30-50mm时，控制控温热电偶TC1的温度为1500-1540℃，使隔热笼的开度扩大5-65mm，并保持隔热笼的开度为40-70mm；(3)当坩埚底部未熔化的硅料厚度为10-20mm时，熔化阶段结束

2023-06-19

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多晶硅铸锭的制备方法.pdf

本发明揭示了一种多晶硅铸锭的制备方法，该方法包括以下步骤：S1、提供一坩埚，并在坩埚内壁上第一区域内涂覆氮化硅涂层，在坩埚内壁上位于第一区域上方的第二区域内不进行氮化硅涂层的涂覆；S2、在上述坩埚涂有氮化硅涂层的第一区域内放置多晶硅料，然后提供一具有镀层的盖板盖在坩埚上；S3、将装有多晶硅料的坩埚放置于一定向凝固铸锭炉中抽真空，然后加热使所述多晶硅料熔化进入长晶阶段；S4、进入长晶阶段后调节控温热电偶的温度和侧部隔热笼向上移动的速率，使热量向下辐射而使熔硅在竖直向上的温度梯度下自下向上生长；S5、待所述熔

2023-06-19

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多晶硅铸锭的制备方法.pdf

本发明揭示了一种多晶硅铸锭的制备方法，该方法包括以下步骤：S1、制备均匀分散有颗粒硅及石英砂的浆料；S2、将所述浆料倒入坩埚内，在预定温度烘干后，烧结制得颗粒硅形核层；S3、在所述坩埚内加入多晶硅料，并将该装有多晶硅料的坩埚放置于一定向凝固铸锭炉中抽真空，并加热使所述多晶硅料融化进入长晶阶段；S4、进入长晶阶段后调节控温电偶的温度和侧部隔热笼向上移动的速率，使热量向下辐射而使熔融硅在所述颗粒硅形核层上形核结晶；S5、待所述熔融硅结晶完后经退火和冷却形成多晶硅铸锭，本发明提供的多晶硅铸锭的制备方法成本较低，

2023-06-19

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