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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103526290103526290A(43)申请公布日2014.01.22(21)申请号201310504142.7(22)申请日2013.10.24(71)申请人阿特斯(中国)投资有限公司地址215300江苏省苏州市高新区鹿山路199号申请人阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司(72)发明人李飞龙许涛翟传鑫(74)专利代理机构苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235代理人杨林洁(51)Int.Cl.C30B29/06(2006.01)C30B28/06(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书5页说明书5页附图2页附图2页(54)发明名称多晶硅铸锭的制备方法(57)摘要本发明揭示了一种多晶硅铸锭的制备方法,该方法包括以下步骤:S1、提供一坩埚,并在坩埚内壁上第一区域内涂覆氮化硅涂层,在坩埚内壁上位于第一区域上方的第二区域内不进行氮化硅涂层的涂覆;S2、在上述坩埚涂有氮化硅涂层的第一区域内放置多晶硅料,然后提供一具有镀层的盖板盖在坩埚上;S3、将装有多晶硅料的坩埚放置于一定向凝固铸锭炉中抽真空,然后加热使所述多晶硅料熔化进入长晶阶段;S4、进入长晶阶段后调节控温热电偶的温度和侧部隔热笼向上移动的速率,使热量向下辐射而使熔硅在竖直向上的温度梯度下自下向上生长;S5、待所述熔硅结晶完后经退火和冷却形成多晶硅铸锭。CN103526290ACN1035269ACN103526290A权利要求书1/1页1.一种多晶硅铸锭的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:S1、提供一坩埚,并在坩埚内壁上第一区域内涂覆氮化硅涂层,在坩埚内壁上位于第一区域上方的第二区域内不进行氮化硅涂层的涂覆;S2、在上述坩埚涂有氮化硅涂层的第一区域内放置多晶硅料,然后提供一具有镀层的盖板盖在坩埚上;S3、将装有多晶硅料的坩埚放置于一定向凝固铸锭炉中抽真空,然后加热使所述多晶硅料熔化进入长晶阶段;S4、进入长晶阶段后调节控温热电偶的温度和侧部隔热笼向上移动的速率,使热量向下辐射而使熔硅在竖直向上的温度梯度下自下向上生长;S5、待所述熔硅结晶完后经退火和冷却形成多晶硅铸锭。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,S3步骤中还包括设置定向凝固铸锭炉的炉压和进气量,保证硅料在一定炉压和进气量下完成熔化和长晶阶段。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述炉压为40-60mbar,进入定向凝固铸锭炉的气体为氩气,进气量为45-50SLPM。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,S1步骤中涂覆的氮化硅涂层沿坩埚高度方向分为位于下侧的第一区氮化硅涂层和位于第一区氮化硅涂层上侧的第二区氮化硅涂层,其中所述第二区氮化硅涂层的涂覆厚度小于第一区氮化硅涂层的涂覆厚度。5.根据权利要求1或4所述的制备方法,其特征在于,S1步骤中氮化硅的纯度为99.999%,氮化硅涂层的厚度为50-70um。6.根据权利要求1或4所述的制备方法,其特征在于,S1步骤中坩埚内壁的第二区域为第一区域上缘至坩埚内壁的顶边缘之间的区域,并且第一区域和第二区域的高度根据装料量确定,其中在装料量为500-520Kg时,所述第二区域的高度为8cm;在装料量为450-500Kg时,所述第二区域的高度为10-12cm。7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述盖板上的镀层为难熔金属、或者SiC、或者Si3N4镀层。8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:S3步骤中所述多晶硅熔化的温度控制在1530-1550℃。9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S4中所述控温热电偶的温度调节范围为1400-1430℃。10.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S4中所述侧部隔热笼向上移动的速率为0.5-0.6cm/h。11.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S4中所述侧部隔热笼的最高移动距离为15cm。2CN103526290A说明书1/5页多晶硅铸锭的制备方法技术领域[0001]本发明属于太阳能光伏发电硅片制造技术领域,具体涉及一种碳含量较低的多晶硅铸锭的制备方法。背景技术[0002]目前,提升太阳能电池效率的研究多集中在电池制作工艺的改良及高效电池结构的设计,前者如BSF技术,后者如三洋的HI(THeterojunctionwithintrinsicThinlayer结构,即在p型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜)结构电池,尽管可以制作出效率高出一般商用化产品的电池,但因制程过于复杂、成本过高,而难以大规模推广。如何以较低的成本制备出高效率的太阳能电池成为行业研究的热点。[0003]除电池工艺因素外,传