图案化的衬底上的外延膜生长.pdf

实施例包括将材料沉积到衬底上，其中，所述材料包括与所述衬底不同的晶格常数(例如，Si衬底上的III-V或IV族外延(EPI)材料)。实施例包括在沟槽内形成的EPI层，所述沟槽具有随着所述沟槽向上延伸而变窄的壁。实施例包括使用多个生长温度在沟槽内形成的EPI层。当温度改变时在所述EPI层中形成的缺陷势垒包含在所述沟槽内和缺陷势垒下方的缺陷。在所述缺陷势垒上方和所述沟槽内的所述EPI层相对无缺陷。实施例包括在沟槽内退火的EPI层，用以诱导缺陷消失。实施例包括在沟槽内形成的并以相对无缺陷的EPI层覆盖的EPI超

2023-06-14

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图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究.docx

图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究研究题目：图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究摘要：氮化镓（GaN）是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景，特别是在电子、光电子和光通信领域。现有的GaN生长方法包括金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）和气体相转移（TGS）等。然而，这些传统的生长方法存在一些困难，如衬底选择性生长、高温和高压条件下的生长，导致了产量低、成本高的问题。图形化SOI（SilicononInsulator）衬底上的GaN的侧向外延生长技术可以有效地解决这些问题

2024-11-13

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锗同质外延和SGOI衬底上锗外延生长研究.docx

锗同质外延和SGOI衬底上锗外延生长研究锗同质外延和SGOI衬底上锗外延生长研究摘要：锗是一种重要的半导体材料，具有优异的电学和光学性能，在光电子和微电子领域有广泛的应用。锗外延生长是制备高质量锗薄膜和锗纳米结构的关键技术之一。本文综述了锗同质外延和SGOI（silicon-on-insulator）衬底上锗外延生长的最新研究进展，重点讨论了外延生长中的材料选择和生长机制，以及生长条件对锗薄膜和锗纳米结构的生长质量和性能的影响。同时，本文还对锗外延生长的应用前景进行了展望。关键词：锗、外延生长、SGOI衬

2024-10-21

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Si衬底上侧向外延生长GaN的研究.docx

Si衬底上侧向外延生长GaN的研究研究题目：Si衬底上侧向外延生长GaN摘要：氮化镓（GaN）材料在半导体器件领域具有重要的应用，尤其是在高电子迁移率晶体管（HEMTs）、蓝光发光二极管（LEDs）和激光器等领域。然而，传统的GaN材料生长方法存在一些问题，如晶格匹配性差和缺陷密度高等。Si衬底上侧向外延生长GaN是一种有效的方式来解决这些问题。本论文将详细介绍Si衬底上侧向外延生长GaN的方法、特点和应用。1.引言1.1研究背景1.2研究意义2.Si衬底上侧向外延生长GaN的方法2.1封闭格子边界（CL

2024-11-11

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蓝宝石衬底上的GaN外延生长材料研究.docx

蓝宝石衬底上的GaN外延生长材料研究随着半导体技术不断发展，GaN外延生长材料在光电子、半导体照明、功率电子和微波设备等领域逐渐得到广泛应用。其中，蓝宝石衬底是制备高质量GaN外延生长材料的重要基础。1.蓝宝石衬底的优势与应用蓝宝石衬底是一种世界上最好的无机晶体材料之一，具有优异的物理、化学和光学性质，是目前制备高质量GaN材料的最优选择。首先，蓝宝石具有高度晶化和高品质单晶生长的能力，为GaN外延生长提供了良好的支撑。其次，在蓝宝石晶体表面形成的Al2O3保护层可以有效地防止外界杂质进入晶体内部，从而保

2024-10-31

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