图案化的衬底上的外延膜生长.pdf

实施例包括将材料沉积到衬底上，其中，所述材料包括与所述衬底不同的晶格常数(例如，Si衬底上的III-V或IV族外延(EPI)材料)。实施例包括在沟槽内形成的EPI层，所述沟槽具有随着所述沟槽向上延伸而变窄的壁。实施例包括使用多个生长温度在沟槽内形成的EPI层。当温度改变时在所述EPI层中形成的缺陷势垒包含在所述沟槽内和缺陷势垒下方的缺陷。在所述缺陷势垒上方和所述沟槽内的所述EPI层相对无缺陷。实施例包括在沟槽内退火的EPI层，用以诱导缺陷消失。实施例包括在沟槽内形成的并以相对无缺陷的EPI层覆盖的EPI超

2023-06-14

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锗同质外延和SGOI衬底上锗外延生长研究.docx

锗同质外延和SGOI衬底上锗外延生长研究锗同质外延和SGOI衬底上锗外延生长研究摘要：锗是一种重要的半导体材料，具有优异的电学和光学性能，在光电子和微电子领域有广泛的应用。锗外延生长是制备高质量锗薄膜和锗纳米结构的关键技术之一。本文综述了锗同质外延和SGOI（silicon-on-insulator）衬底上锗外延生长的最新研究进展，重点讨论了外延生长中的材料选择和生长机制，以及生长条件对锗薄膜和锗纳米结构的生长质量和性能的影响。同时，本文还对锗外延生长的应用前景进行了展望。关键词：锗、外延生长、SGOI衬

2024-10-21

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蓝宝石衬底上的GaN外延生长材料研究.docx

蓝宝石衬底上的GaN外延生长材料研究随着半导体技术不断发展，GaN外延生长材料在光电子、半导体照明、功率电子和微波设备等领域逐渐得到广泛应用。其中，蓝宝石衬底是制备高质量GaN外延生长材料的重要基础。1.蓝宝石衬底的优势与应用蓝宝石衬底是一种世界上最好的无机晶体材料之一，具有优异的物理、化学和光学性质，是目前制备高质量GaN材料的最优选择。首先，蓝宝石具有高度晶化和高品质单晶生长的能力，为GaN外延生长提供了良好的支撑。其次，在蓝宝石晶体表面形成的Al2O3保护层可以有效地防止外界杂质进入晶体内部，从而保

2024-10-31

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在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法.pdf

本发明公开了一种在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法，用于解决现有方法制备ZnTe外延厚膜生长速率慢的技术问题。技术方案是将经过处理的ZnTe生长源及(100)GaAs衬底放入生长炉腔室内，生长前采用高纯Ar反复清洗生长炉腔室以去除残余空气并充入Ar至目标压强，加热ZnTe生长源和(100)GaAs衬底，加热到一定温度后，生长源继续升温至目标温度，衬底停止加热，依靠生长源处热辐射维持厚膜生长所需温度。本发明通过控制ZnTe生长源温度、生长炉腔室压力以及生长源与衬底之间的距离，来控制生长Zn

2023-06-19

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图形衬底上GaN材料的外延生长研究的综述报告.docx

图形衬底上GaN材料的外延生长研究的综述报告GaN（氮化镓）材料是一种具有重要应用价值的半导体材料，广泛应用于LED、激光器、高频电子设备和光电探测器等领域。为了满足其应用需求，GaN材料的外延生长技术逐渐成为了该领域研究的热点。本文将综述图形衬底上GaN材料的外延生长研究。固相外延法（HPS）和气相外延法（HVPE）是生长GaN材料常用的方法。但是，随着应用需求的发展，芯片的不断微型化，研究人员希望能够在更小的衬底上生长高质量的GaN薄膜，从而能更好地控制材料的物理和电学性质。图形衬底在外延生长中的应用

2024-09-23

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