一种制备高效铸锭多晶硅的方法及专用单晶硅片.pdf

本发明涉及一种制备高效铸锭多晶硅锭的方法，在常规铸锭工艺的开始之前，将处理过的单晶硅片放入多晶铸锭炉底部，之后普通工艺铸锭，可得到小晶粒铸锭多晶硅锭。同时，本发明还涉及一种专用于制备高效铸锭多晶硅的单晶硅片，包括硅片本体，其特征在于：在所述硅片本体的两侧分别依次设置有硅氧层和硅氮层，所述硅片本体厚度为0.18mm，硅氧层厚度为0.1-0.2mm，硅氮层的厚度为0.2-0.3mm。本发明通过在多晶铸锭炉底部铺放经处理过的单晶硅片，该些单晶硅片的两面均涂有硅氧层-硅氮层的单晶硅片，单晶硅片起到诱导效果形成小颗

2023-06-19

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硅片制备--多晶硅铸锭炉和单晶炉.ppt

第二节硅片制备中的热工设备--单晶炉和多晶硅铸锭炉一、单晶炉1.1切克劳斯基法（Czochralsik：CZ法）1917年由切克斯基建立的一种晶体生长方法现成为制备单晶硅的主要方法。把高纯多晶硅放入高纯石英坩埚，在硅单晶炉内熔化；然后用一根固定在籽晶轴上的籽晶插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便在籽晶下端生长。CZ法是利用旋转着的籽晶从坩埚中的熔体中提拉制备出单晶的方法，又称直拉法直拉单晶炉及其基本原理优缺点1.2悬浮区熔法（区熔法或FZ法）1.3基座法1.4片状单晶生长法（EFG法）

2024-01-30

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硅片制备--多晶硅铸锭炉和单晶炉2.ppt

二、多晶硅铸锭炉1.多晶硅锭生长方法1.1浇铸法1.2热交换法及布里曼法布里曼法则是在硅料熔化后将坩埚或加热元件移动使结晶好的晶体离开加热区而液硅仍然处于加热区这样在结晶过程中液固界面形成比较稳定的温度梯度有利于晶体的生长。其特点是液相温度梯度dT/dX接近常数生长速度受工作台下移速度及冷却水流量控制趋近于常数生长速度可以调节。实际生产所用结晶炉大都是采用热交换与布里曼相结合的技术。下图为一个热交换法与布里曼法相结合的结晶炉示意图。图中工作台通冷却水上置一个热开关坩埚则位于热开关上。硅料熔融时热开关关

2023-12-15

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一种高效多晶硅铸锭的制备方法.pdf

本发明公开了一种高效多晶硅铸锭的制备方法，该制备方法使用DSS炉，所述DSS炉包括坩埚、加热器、隔热笼、控温热电偶TC1和测温热电偶TC2，包括以下步骤：(1)当硅料进入熔化阶段时，打开隔热笼，保持隔热笼的开度为5-40mm，控制控温热电偶TC1的温度为1530-1560℃；(2)当坩埚底部未熔化的硅料厚度为30-50mm时，控制控温热电偶TC1的温度为1500-1540℃，使隔热笼的开度扩大5-65mm，并保持隔热笼的开度为40-70mm；(3)当坩埚底部未熔化的硅料厚度为10-20mm时，熔化阶段结束

2023-06-19

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一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法.pdf

本发明公开了一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法，其主要步骤如下：(1)清洗；(2)真空蒸镀铝层；(3)进炉；(4)第一步退火；(5)匀速降至低温；(6)第二步退火；(7)降温；(8)除去杂质层。经过大量的实验验证，本发明工艺能除去铸锭多晶硅片中大部分的金属杂质(如铁、镍、铜、钴等)，从而增加少子寿命提高太阳能电池的光电转换效率。通过仪器测定，经过本发明铝吸杂的多晶硅片的平均少子寿命在15.80μs左右，并且本发明的铝吸杂工艺较为稳定，有较高的工业化生产价值。

2023-06-18

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