硅片制备--多晶硅铸锭炉和单晶炉2.ppt
Jo****34
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硅片制备--多晶硅铸锭炉和单晶炉2.ppt
二、多晶硅铸锭炉1.多晶硅锭生长方法1.1浇铸法1.2热交换法及布里曼法布里曼法则是在硅料熔化后将坩埚或加热元件移动使结晶好的晶体离开加热区而液硅仍然处于加热区这样在结晶过程中液固界面形成比较稳定的温度梯度有利于晶体的生长。其特点是液相温度梯度dT/dX接近常数生长速度受工作台下移速度及冷却水流量控制趋近于常数生长速度可以调节。实际生产所用结晶炉大都是采用热交换与布里曼相结合的技术。下图为一个热交换法与布里曼法相结合的结晶炉示意图。图中工作台通冷却水上置一个热开关坩埚则位于热开关上。硅料熔融时热开关关
硅片制备--多晶硅铸锭炉和单晶炉.ppt
第二节硅片制备中的热工设备--单晶炉和多晶硅铸锭炉一、单晶炉1.1切克劳斯基法(Czochralsik:CZ法)1917年由切克斯基建立的一种晶体生长方法现成为制备单晶硅的主要方法。把高纯多晶硅放入高纯石英坩埚,在硅单晶炉内熔化;然后用一根固定在籽晶轴上的籽晶插入熔体表面,待籽晶与熔体熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶体便在籽晶下端生长。CZ法是利用旋转着的籽晶从坩埚中的熔体中提拉制备出单晶的方法,又称直拉法直拉单晶炉及其基本原理优缺点1.2悬浮区熔法(区熔法或FZ法)1.3基座法1.4片状单晶生长法(EFG法)
铸锭单晶炉和铸锭单晶硅的制备方法.pdf
本发明公开了一种铸锭单晶炉和铸锭单晶硅的制备方法。包括炉体,所述炉体顶部设置有第一开口,所述第一开口中设置有进气装置;所述炉体内设置有隔热笼,所述隔热笼内设有热交换台,所述热交换台上设置有底板,所述底板设置在所述石英坩埚底部,所述底板与围设在所述石英坩埚外侧的护板相连,所述隔热笼内还设有侧边加热器,所述侧边加热器设置在所述护板外侧,所述护板上设置有盖板;所述炉体底部设有第二开口,所述第二开口内设置有旋转轴,所述旋转轴与所述热交换台相固定,所述旋转轴与所述炉体外的旋转驱动装置连接,其中,所述护板包含四块首尾
多晶硅铸锭炉和多晶硅铸锭方法.pdf
本发明公开了一种多晶硅铸锭炉,炉体包括上炉盖、炉身和炉底,炉底和炉身采用液压连接;所述保温体为立方形,保温体包括上保温体和下保温体;石墨平台位于保温体中,四个坩埚放置于石墨平台上;上加热体和下加热体都位于所述保温体中,且上加热体位于上保温体的顶面下方、下加热体位于石墨平台下方,上加热体和上保温体固定在一起并固定于炉身上,下加热体和下保温体固定在一起并能一起和上保温体分开并向下移动。本发明还公开了一种多晶硅铸锭方法。本发明能成倍地提高单个铸锭炉产量、并能保证质量良好,能提高现有设备的使用率并能节省设备投资成
多晶硅铸锭炉的石墨加热器及多晶硅铸锭炉.pdf
本发明涉及一种多晶硅铸锭炉的石墨加热器,包括:顶部加热器,包括电阻值相等的两部分及两个石墨电极,所述两个石墨电极按照将所述电阻值相等的两部分并联的方式接线;侧部加热器组件,包括围成一圈且电阻值相等的四部分及四个石墨电极,所述四个石墨电极按照将所述电阻值相等的四部分并联的方式接线。上述石墨加热器,顶部加热器和侧部加热器组件各包括阻值相等若干部分,通过石墨电极实现并联接线,能够保证顶部加热器的每一部分上的电压彼此相等,相同时间内发热量相等;及保证侧部加热器组件的每一部分的电压也彼此相等,相同时间内发热量相等,