多孔碳化硅陶瓷的制备方法.pdf

多孔碳化硅陶瓷的制备方法，它涉及一种碳化硅陶瓷的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、孔隙率低的技术问题。本方法如下：一、制备浆料；二、制备多孔陶瓷生坯；三、制备预制体；四、制备碳凝胶；五、制备多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料；六、制备多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料；七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉放入烧结炉中烧结，即得多孔碳化硅陶瓷。本发明制备的多孔碳化硅开口孔隙率为30～83％、孔径尺寸为0.3～100m，孔隙可以实现均匀分布或定向排列。通过三点弯曲试验测试，最终制

2023-06-20

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一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法.pdf

本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法，包括以下步骤：S1、将70wt%长石、12wt%高岭土和18wt%二氧化硅混合球磨，球磨后陶瓷粘结剂粉料的粒径为5～10μm；S2、用去离子水配制2～3Wt%的羧甲基纤维素水溶液；S3、把SiC粉料和羧甲基纤维素溶液按质量比10～15：l的比例混合均匀，加入陶瓷粘结剂搅拌均匀；S4、将6～8%作为造孔剂的石墨与SiC粉料混合均匀；S5、将此混合好的粉料单向压成Ф50～Ф80mm的圆片；S6、在空气气氛中烧结，烧结温度为1300～1400℃，保温时间为3～5h，最后

2023-06-18

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一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法.pdf

本发明涉及一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法，将SiC颗粒与PVB和乙醇混合均匀，使PVB尽量均匀地包裹在SiC颗粒表面，便于把SiC颗粒粘接到一起，然后放入化学气相渗透炉(CVI炉)进行化学气相渗透，在CVI过程中，生成的SiC陶瓷相可以起到粘结SiC颗粒和填充孔隙的作用，进而使部件强度增强，得到指定形状的多孔SiC陶瓷部件。采用CVI法粘结SiC颗粒制备多孔SiC陶瓷材料，制备温度较低，工艺流程简单，能够制备复杂构件，且该方法制备的多孔SiC陶瓷的孔隙和力学性能可调节，可以根据具体要求调整工艺参数，进而得到

2023-06-19

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一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法.pdf

本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。制备方法包括如下步骤：将粉石矿和碳粉混合球磨；将混合料压制成型后放置进1850～2000℃连续作业恒温碳管炉中加热生成碳化硅晶须；将所述碳化硅晶须与短切碳纤维、单质硅和粘结剂，以无水乙醇为球磨介质，进行湿混球磨；烘干得粉料；将粉料过筛后进行加热挤压成型材，然后放入高温真空热等静压机中，逐步升温至1900℃并进行氮气保护的同时充入气态硅，保温3小时，得到碳化硅纤维多孔陶瓷体。本发明短切碳纤维、单质硅原位进行反应烧结，和碳化硅晶须在升温过程中的晶须生长，相互弥合生长

2023-06-15

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一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法.pdf

本发明公开了一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法，属于碳化硅陶瓷材料制备技术领域。其制备过程如下：1)以SiC粉、混合树脂溶液、碳化硼为原料，充分球磨混合均匀后制成生粉，经造粒、模压、冷等静压后制成生坯；2)将生坯在真空条件下以小于100℃/h的升温速度升至700～900℃，保温2～4h并随炉冷却，使其中的混合树脂充分碳化留下孔隙；3)在常压保护气氛下以200～300℃/h的升温速度升至2000～2200℃，随炉冷却后移至空气炉中在400～500℃下煅烧除去多余的碳，即得到该多孔碳化硅陶瓷。本发明制备过程中避免

2023-06-15

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