一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法.pdf
Ja****23
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多孔碳化硅陶瓷的制备方法.pdf
多孔碳化硅陶瓷的制备方法,它涉及一种碳化硅陶瓷的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、孔隙率低的技术问题。本方法如下:一、制备浆料;二、制备多孔陶瓷生坯;三、制备预制体;四、制备碳凝胶;五、制备多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;六、制备多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉放入烧结炉中烧结,即得多孔碳化硅陶瓷。本发明制备的多孔碳化硅开口孔隙率为30~83%、孔径尺寸为0.3~100m,孔隙可以实现均匀分布或定向排列。通过三点弯曲试验测试,最终制
一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法.pdf
本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法,包括以下步骤:S1、将70wt%长石、12wt%高岭土和18wt%二氧化硅混合球磨,球磨后陶瓷粘结剂粉料的粒径为5~10μm;S2、用去离子水配制2~3Wt%的羧甲基纤维素水溶液;S3、把SiC粉料和羧甲基纤维素溶液按质量比10~15:l的比例混合均匀,加入陶瓷粘结剂搅拌均匀;S4、将6~8%作为造孔剂的石墨与SiC粉料混合均匀;S5、将此混合好的粉料单向压成Ф50~Ф80mm的圆片;S6、在空气气氛中烧结,烧结温度为1300~1400℃,保温时间为3~5h,最后
一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法.pdf
本发明涉及一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法,将SiC颗粒与PVB和乙醇混合均匀,使PVB尽量均匀地包裹在SiC颗粒表面,便于把SiC颗粒粘接到一起,然后放入化学气相渗透炉(CVI炉)进行化学气相渗透,在CVI过程中,生成的SiC陶瓷相可以起到粘结SiC颗粒和填充孔隙的作用,进而使部件强度增强,得到指定形状的多孔SiC陶瓷部件。采用CVI法粘结SiC颗粒制备多孔SiC陶瓷材料,制备温度较低,工艺流程简单,能够制备复杂构件,且该方法制备的多孔SiC陶瓷的孔隙和力学性能可调节,可以根据具体要求调整工艺参数,进而得到
一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法.pdf
本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。制备方法包括如下步骤:将粉石矿和碳粉混合球磨;将混合料压制成型后放置进1850~2000℃连续作业恒温碳管炉中加热生成碳化硅晶须;将所述碳化硅晶须与短切碳纤维、单质硅和粘结剂,以无水乙醇为球磨介质,进行湿混球磨;烘干得粉料;将粉料过筛后进行加热挤压成型材,然后放入高温真空热等静压机中,逐步升温至1900℃并进行氮气保护的同时充入气态硅,保温3小时,得到碳化硅纤维多孔陶瓷体。本发明短切碳纤维、单质硅原位进行反应烧结,和碳化硅晶须在升温过程中的晶须生长,相互弥合生长
一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法.pdf
本发明公开了一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法,属于碳化硅陶瓷材料制备技术领域。其制备过程如下:1)以SiC粉、混合树脂溶液、碳化硼为原料,充分球磨混合均匀后制成生粉,经造粒、模压、冷等静压后制成生坯;2)将生坯在真空条件下以小于100℃/h的升温速度升至700~900℃,保温2~4h并随炉冷却,使其中的混合树脂充分碳化留下孔隙;3)在常压保护气氛下以200~300℃/h的升温速度升至2000~2200℃,随炉冷却后移至空气炉中在400~500℃下煅烧除去多余的碳,即得到该多孔碳化硅陶瓷。本发明制备过程中避免