N型电池.doc

N型晶硅太阳电池简介我们现在所做的p型硅基底材料的太阳电池构造是n+pp+,受光面是n+面，利用磷扩散形成发射极。对于n型硅基底材料的同质结太阳电池结构主要有两种，一种是n+np+，一种是p+nn+。对于n+np+结构太阳电池主要是靠印刷铝形成发射极（即p+层），n+层由磷扩散形成，n+面用SiO2或SiNx做钝化，p+面用等离子气相沉积（PECVD）α-Si（非晶硅）或原子层沉积（ALD）Al2O3做钝化。因为铝的不透光性，n+面为受光面。对于p+nn+结构太阳电池主要是靠扩散硼形成发射极（即p+层），液态源BBr3硼扩散工艺分两步——预扩散：通氮气，双面扩散，扩散温度为1030℃，扩散时间为15h；再分布：采用碳化硅管，扩散温度为1240℃，扩散时间为50h。现在也有低温短时的扩散，但温度还是在930-1100℃捷佳伟创扩散炉最高温度能达到1100℃。如果用离子注入的方式实现硼磷的掺杂，应该是比较容易。n+层由磷扩散形成，n+面用SiO2或SiNx做钝化，p+面用等离子气相沉积（PECVD）α-Si（非晶硅）或原子层沉积（ALD）Al2O3做钝化。当然也可以用氮化硅膜，只是钝化效果不好。因为n+面和p+面都可透光，可以实现双面受光，也就是双面电池的一种。扩散所需的液态源BBr3简介：常温下，三溴化硼为无色或稍带黄色的具有强烈刺激臭味的发烟液体。熔点：-46℃，沸点：90℃，相对密度：2.698。溶于四氯化碳，具有强吸水性，易被水或醇等分解，见光、遇热易分解，受热会爆炸，接触空气会冒白烟。三溴化硼为强路易氏酸，能与碱反应形成络合物和加成物。对人有强刺激作用，腐蚀性较强，蒸气有毒。表一：不同结构的晶硅太阳电池工艺对比工序n+pp+n+np+p+nn+制绒碱制绒（单晶硅）碱制绒（单晶硅）碱制绒（单晶硅）扩散单面磷扩散单面磷扩散一面硼扩散+另一面磷扩散（先进行单面硼扩散然后翻面对另一面进行磷扩散；据说有硼磷共扩散的，未找到实现方法）刻蚀去PSG/BSG刻蚀去PSG（等离子刻蚀+HF酸去玻璃）刻蚀去BSG（等离子刻蚀+HF酸去玻璃）PECVDn+面镀氮化硅膜n+面镀氮化硅膜n+面镀氮化硅膜，p+面镀非晶硅膜丝网印刷p+面整面印刷铝、两面印刷银电极（n+面电极用优质银浆与p+面电极用稍差银浆）p+面整面印刷铝、两面印刷银电极（n+面与p+面的银电极是否用相同银浆不明）两面印刷银电极（n+面与p+面的银电极是否用相同银浆不明）烧结铝场与电极共烧铝场与电极共烧电极烧结