一种N型太阳能电池硼扩散方法.pdf
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一种N型太阳能电池硼扩散方法.pdf
本发明提供一种N型太阳能电池硼扩散方法,包括将制绒的硅片装入石英舟中,推入扩散炉石英管中;同时通入BCl
一种N型太阳能电池硼扩散炉管的清洁方法.pdf
本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种N型太阳能电池硼扩散炉管的清洁方法,在不改变炉管结构的情况下,首先前后两次通入携水氮气对炉管进行清洁,充分去除了炉管壁和炉门附着的BSG,有效降低了携水氮气中的水蒸气在炉管中残留概率,避免了水蒸气在炉管工作过程中影响硼扩散效果;然后在通入携水氮气结束后升温通入氧气,有效去除了炉管内沉积的金属离子,在保护炉管、提高炉管寿命的同时提高了产品质量和效率。
一种N型太阳能电池多步硼扩散工艺.pdf
本发明公开一种N型太阳能电池多步硼扩散工艺,包括如下步骤:(a)、选取N型硅片作为基底材料,在硅片表面通过碱腐蚀形成金字塔绒面;(b)、对处理后硅片表面进行RCA清洗并烘干;(c)、将烘干后N型硅片放置与扩散炉管中,通过多步硼扩散工艺在表面形成PN结;(d)、再对硅片进行后续N型电池制程处理。本发明提出一种硼扩散工艺的新方法,解决N型电池片表面PN结制备的难题,可制备出均匀性好,接触性能优良的PN结,降低电池片横向接触电阻;同时,可以通过调整携带硼源的氮气流量及驱入的时间及温度等参数的调节,得到不同表面掺
N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法.pdf
本发明公开了一种N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。硼扩散方法包括以下步骤:沉积阶段,将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温至预定沉积温度,并通入硼源、氧气和氮气使其在硅片表面进行沉积;推进扩散阶段,将表面沉积后的硅片升温至预定扩散温度,推进扩散,并在升温和推进扩散的过程中通入氧气和氮气;以及后氧化阶段,将扩散后的硅片降温,并在降温的过程中通入氧气和氮气。该沉积扩散工艺降低了硅片表面的硼原子浓度,减小了表面的复合速率和晶格损伤,将方阻标准差(STDEV)控制在2.0左右,改善了硼扩散方阻均匀性
N 型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法.pdf
本发明公开了一种N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。硼扩散方法包括以下步骤:沉积阶段,将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温至890℃~920℃,之后通入氮气、氧气和硼源使其硅片表面进行沉积;扩散阶段,在氮气气氛下将表面沉积后的硅片升温至预定温度,推进硼扩散;以及后氧化阶段,将硼扩散后的硅片降温,并同时通入氧气和氮气,得到硼扩散后的硅片。采用本发明的沉积扩散工艺降低了硅片表面的硼原子浓度,减小了表面的复合速率和晶格损伤,将方阻标准差(STDEV)控制在2.0左右,改善了硼扩散方阻均匀性,提高了